'всесоюзная

 

366567

Составитель А. Мерман

Редактор E. Гончар

Техред T. Курилко

Корректоры Г. Запорожец и А. Степанова

L ного конденсатора 4 еще и динамическую нагрузку 7, которая меняется периодически с приходом заднего фронта опорных импульсов.

В исходном состоянии (при отсутствии опорных, импульсов) форсирующий транзистор 9 за перт и динам ическая нагрузка 7 определяется сопротивлением резистора утечки 8.

Потенциал земли передается на отсекающий кремниевый диод б, удерживая его в запертом состояниями.

Во время действия опорного, импульса,динамическая нагрузка 7 не меняет своей величи ны. Накопительный конденсатор 4 заряжается модулирующим напряжением. К окончанию опорного импульса напряжение на накопительном,конденсаторе 4 отличается от модулирующего сигнала на величину, равную сумме падений напряжения на отсекающем кремниевом диоде б в прямом направлении, буферном резисторе 5 и отпертом последовательном транзисторном ключе 2. При этом через отсекающ ий кремниевый диод б протекает в основном стабилизированный ток генератора постоянного тока 12. Через буферный резистор 5 и последовательный транзисторный ключ 2 помимо стабилизпзрованного тока протекает еще QQIIloлнительный ток, определяемый падением напряжения на резисторе утечки 8.

В момент окончания опорного импульса с помощью схемы дифференцирования заднего фронта опорных импульсов 11 формируется специальный импульс, который отпирает форсирующий транзистор 9. Динамическая нагрузка 7 уменьшается до величины сопротлвления токоопраничи вающего резистора 10.

Это вызывает скачок тока в последовательной цепи, образованной буферным резистором 5 и последовательным транзисторным ключом 2.

На буферном резисторе 5 создается начальный скачок напряжения, запирающий отсекающий кремниевый диод б. Следовательно, в момент окончания импульса запертый переход отсекающего кремниевого диода 6 изолирует накопительный конденсатор 4 от рассасывающегося последовательного транзисторного ключа 2.

Через некоторое время после восстановления обратного сопротивления транзисторного ключа 2 форсирующий транзистор 9 возвращается в исходное (запертое) состояние. Постоянная времени схемы дифференцирования заднего фронта опорных импульсов 11 выбирается такой, чтобы время пребывания форсирующего транзистора 9 в открытом состоянии превышало длительность рассасывания транзисторного ключа 2. После запирания форсирующего транзистора 9 динамическая нагрузка 7 становится равной сопротивлению резистора утечки 8. При этом отсекающий кремн|иевый диод 6 продолжает удерживаться в запертом состоянии до следующего такта.

Таким образом, момент начала преобразования напряжения во временной интервал определяется задним мфронтом спорного импульса и не зависит оТ инерционности процесса восстановления обратного сопротивления последовательного транзисторного ключа 2.

Предмет изобретения

Устройство время-им пульснoll модуляции для малоканальных радиорелейных станций, содержащее усилитель модулирующего сигнала, последовательный транзисторный ключ, управляемый генератором опорных импульсов и нагруженный на накопительный конденсатор, подключенный к генератору постоянного тока и компаратору, на выходе которого включен формирователь, импульсов, отличаюи1ееея тем, что, с целью повышения стабильности исходного фазового положения и устранения шумовых флуктуаций импульсов времяим пульсной модуляции, между выходом TfpBH зисторното ключа и накопительным конденсатором включены последовательно буферный резистор и кремниевый диод, к общей точке которых подключена нагрузка, вы полненная, например, из параллельно соединенных резистора утечки и нормально запертого форсирующего транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером,,в цепи коллектара которого включен токоограничивающий резистор, причем база транзистора подключена к выходу ге|нератора опорных импульсов через схему дифференцирования заднего фронта этих импульсов, выполненную, например, в виде,дифференцирующей цепи с шунтирующим диодом. аз 118/565 Изд. № 135 аж 780 Подписное ь111ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»