Электрофотографический материал

 

.!

ОП ИСАНИ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ л

Coio3 Советских

Социалистических

Республик

Ф 3й;к Л. ;1, Я®

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 04.11.1971 (№ 1617891, 23-4) М.Кл. G 03 5I08 с присоединением заявки №вЂ”

Комитет ло делам

Пр:иоритет—

Опубликовано 22,V.1973. Бюллетень № 22

Дата опубликования описания 3.Х.1973 изобретений и открытий ори Сооете Миниотрое

СССР

УДК 772.93(088.8) Авторы изобретения Г. М. Дейчас, Л. И. Нюнько, С. А. Таурайтене и A. С. Таурайтис

Заявитель

ЭЛ ЕКТРОФОТО ГРАФ И Ч ЕСКИ Й МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к материалам для региспрации информации, в частности, электрофотографическим и фототермопластическим и стада м и.

Известен электрофотографический материал для фототермопласгичеокой записи, состоящий из стеклянной подложки с электропроводящим покрытием из Sn02, слоя неорганического полупроводника и полимерного фототермопл астичного поли-N-винилкарбазола.

Указанный материал не обладает достаточной проз рач постью и чувствительностью.

С целью устранения повышения чувствительности материала за счет большои эффективности фотогенсрации носителей в неорганическом полупроводнике и осуществления их инжекции в органический полупроводник, предложено между электропроводящим покрытием и слоем неорганического полупроводника ввести барьерный диэлектрический слой из моноокиси кремния.

Величи на фоточунсгвительносги такого материала определяется фогоиндуцированной инжекцией дырок из тонкого слоя неорганического фогополу1про водника в органический полимерный фотополупроводник в случае отрицателыной зарядки свободной поверхности слоя.

Необходимым условием для осущвствления ннжекцни являегся пали Ille электрического поля в нсорганическом полупроводнике.

Когда в известном материале в качестве неорганического полупроводника п1 именяегся

As2Se3, потенциальный барьер дчя носителей тока между слоем As Se3 и слоем $пОа очень низок, электрическое поле в пленке AsqSeq отсутствует и по величине чувсгвитеоыностн двойнои слой не отличается от слоя фототермоIQ пл астика.

П рименение As Se> в двойных фотопроводни ковых слоя. . перспективно, так как, во-первых, в однослойных материалах с AsqSe осуществляется высокая эффективность фотогенерации носителей с квантовым выходом, превышающтом единицу, Ав Яеа обладает высокой термостойкостью, в отли ше от Se, что важно для фототермопласппчеоких слоев, которые при эксплуатацIIII многократно напревают до

20 90 —.,130 С.

Особенностью предложенного слоя является возможность реалнзовать высокую фотоэлектрическую чувствительность селеноида мышьяка при нанесении на стекло, имеющее прово25 дящее покрытие из двуокиси олова.

Введение барьерного слоя гиз SiOg между

SnOq II Аванса обеспечивает наличие электРического поля в последнем, и таким образом, фотоинжекцию дырок в органический полимер30 ный полупроводник.

382057

Предмет изобретения

Составитель П. Абраменко

Редактор Э. Шибаева Текред Г. Дворина Корректоры Л. Орлова и О. Тюрина

Заказ 3942 Изд. № 1502 Тираж 523 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Загорская типография

При нанесенви Азз$ез непосредственно на пленку из SnO невозможно реализовать его высокую фотоэлектрическую чувспвительность, так как дырки из Sn02 из-за отсутствия барьера между Sn02 и AsqSe> переходят в АзяЯез, смещаясь к границе Азз$ез полимерное покрытие.

За ряд экра нирования (в случае отр ицательной зарядки поверхности) будет находиться не на границе SnOq — АззЬез, что приводит к отсутствию поля в фонополупро водяике (Азз$ез) и исключает воз можность инжекции дырок из Азз$ез в пол ямер ное покрытие.

В известном, слое по этим, причинам црименить Аз2$ез на стеклянной подложке с покрытием из Sn02 невозможно.

В предлагаемом материале кроме высокой чуествительности слои обладают значительно большей тыражеспособностью благодаря высокой термостойкости, что позволяет использовать фоготермапластичвокие композиции со значительно более, высокой тем пер атурой раз1мярчения, так как воз можно многократное нагревание слоя из Азз$ез до 200 — 250,С.

П р н м е р. Стеклянную подложку, на одной поверхности которой имеется прозрачная проводящая пленка из SnOq, предварительно обезжир ивают, затем термическим раопылением в вакууме наносят тонкую прозрачную пленку (Toлщина 1 мк) из окиси кремния, обладающую диэлекнрпчоскнмп cBQIIcTIBBIUIH. Далее, и вакууме (не нпжс 10 торр) на пленку

4 из SnO,no методу термического испарения наносят прозрачный слой As2Se3 толщиной

0,02 — 0,03 мк. Сверху слоя Азз5ез образуют пленку из органического фотополупроводника (полн-N-ви нилкарбазол или его содержащая полииерная композиция) толщиной 1 — 25 мк путем полива его раствора в толуоле. После сушки в вакуумном термостате в течение 1 час при 70 С слой пр именяют по назначению.

1р Полученный слой прозрачен (60%), по чувснвительноспи не уступает лучшим электрофотографическим слоям, Прозрачность слоя позволяет применять его в режиме диапроекции, что важно при фототермопластической реги15 страции информации. Максимальная фоточувст вительность слоя не ниже 0,16 эрг — см2.

20 Элекпрофотографический материал для фототер мопластичеакой записи, состоящий из стеклянной подложки с электропроводящим покрытием из SnO, слоя неорганического полупровадни ка и полимерного фотополупровод25 никовопо покрытия, например, из фототермопластичного поли-N-винилкароазола, отличаюи1ийся тем, ITQ, с целью получения материала высокой чувсгвительностл, между электропрово1чящим покрытием и слоем неоргани3р чеакого полупроводника I:Bc;IVIII гнэлектрнческнй слой II3 моноок lc11 I.ð мннн.