Элемент памяти12

 

Г)(: 5()-Ч н . . А и 4

99ОП

Союз Советских

Социалистических

Республик

СПИ

И3СБРЕТЕ Н ИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДИЕЛЬСТВУ ав.i;".)мое of авт.;в:!дстезь.тв,i ¹

Заяв1сн0 02.V(.1972 (¹ 1792436 18-24) с ир)!сосдо!нсн<)см заявки М -—.Ч.К,i. G 11с 11, 34

Государственнь:й комитет

Совета 1(инистров СССР

fIa „Eлам изобретений

1 (>3 1 > o >) i, i с !

Онубл:.)кона!)О 27.!Х.1973. Бюллетс:)ь ¹ 38 . (3T3 oil> б. 1)ll(i>!3:l. I l)i Ои вся!l!151 21.11. (9i 4

УДК 621.377.622.25 (088.8) и отаре)тии

А втори) изобретения

О. А. Раисов н Л. И. Сз!Ободянюк

3 )3 5И3 НТСЛ Ь

ЭД EM E НТ П АЛИЯТ И

Изобретение Относи Гс)I к выч!Гслитс.il )ой технике.

1 (313(CTII bi Э, IC31CIITI>l I I BX)51TII ля IIO 1J IipOBOдIllil(oBbIx ирибора.(с . )-образными характсрис т и к я м и . O I I I I x 3 р 3 I(T c p I ç x Io T c 51 !3 ы с 0 к и м и т р (..бов<)н)35! IIOCTII II 3 íðÿæñ!«151 1(. . I I1151 11 P 1)00 P 0 B.

Целью изобретения является иовышсни( быстродействия, упрощение схемы управления памятью, аи)жение требований к стябил)н)ости параметров приборов. Отличительной осоосн) I 0 С Т Ь 10 И Р С. I Г! Я! <1 С 3 О Г 0 ЭЛ С М С и Т Я П 3 XI 51 Т И 51 13, I и—

С ГС51 ТО, ЧТО 3)iO:(И Р-ОЯЗЯ УНР<)ВЛЯ)0)ЦСГО ТИристора соединены со входными информяционitl>I3IiI LLIIIII33III, яиод заноминяк)щего Tиристоря с o c J I I I I O I I с 13 BI x 03 )1011 и и (1) o P!>t 3 tL I I 0) I I I 011 ш и и О й, которая через рези(тор подключена к источнику IIIIT <1 катоды обоих тиристоров сосдиИ Сi)1>l С ЯДР СC llolt Ш И Н ОН. (:xc3i;I элемент i иа»яти ир !всдсня ия )ертся,с.

Элем(нт )I

flip!)clop;I 7 и управляющего иристоря 2.

Анод и р-u)133 управляющего тир,tcTop3 2 соединены соответственно со входными инфор.rl3ltII0llllbl3III шинами 5 и 4. Катоды запомииякнцего II уирявляющсп) тирнсторов соединены с адресной ш!шой 5,;l анод запоминающего TllplicTopil сос)1инси с выходной информяill!0llll0II IIJIIIloII 6. Выходная информационнаH шина б через рсзllcтор 7 (Осдинсн;1 (llc fo÷llil

КОМ 1) IIT31111)b

Резистор 7 является общим для все.; элементов памяти д))нного разряда. что позволяет выполнять ячс(!к) малых геометрических размеров и достигать высокой степени интеграции.

Устройство работает следующим образом.

В ре)киме xp3)10111151 информации адресная шиH;l 5 имеет высок!)и потенция I, равный няиря),1 жСНШО ИСтОЧНИКЯ НнтЯНИЯ (+с . ); На НСС ИOдаются восстаняг>ливаюин!с импульсы отрицательной иолярности. При иоступлеш)и импульсоВ адресная шина 5 иодключястс» к < минусу» источника пITяни): Входные Iøôормяционные

1 > Ill)lllbl ) И -1 ИМСЮ1 ИИЗКИII УР013СНI> CIII )1)1 13.

Ч()стлт3 «.)сдо!3яни5! восстяня 111>33101)/1!x импульсов и!Пания выоирают такой, чтобы пауза

»ежду имиу,.li сами б I;Iil меньше времени выкл!очеиия запоминающего тиристора. Блягодя2) ря импульсному иитяии)о средняя мощность, )iОТРСО,)51СМ BЯ ЭЛЕ> )IСНТО31 И Я 3!! 5ЯТI I > ОКЯЗ1>1 ВЯCТС51

О>)СИ) 31<)Л Ой. (. l! Il i>113 <1 ll l I (. И и фОР:>1 Я Н И И ) I POII3130 J I ITC ß В

tIiIX 33Х 3)СЖД>> 130ССТЯНЯВ, IIIB) ЛЬСЯ ми IIIIT;till!)i подачей на адресную шину 5 импульсов,;шялогичных восстанавливающим.

Гели зяиоминаюнц!й тиристор включен (в элементе памяти зягшсаия <((»), то при подаче

ЛЬIIЫ II И 3)П»ЛЬС, () i3Bll bill и() 3 (!(! !! !

Пред>ист изооретсиия

Г ) t (:», ) и))и) «)ь Р. Яв(>ровскав

i, ;(>I> Jl С(руi:ñ I;x!)«;i Л. Грачева Корректор Л. Орловы . .) Т!)78 3а . X):!)48 )i! >;> )к 5 ((> П) >7(i) кс», л ! lI!1 !111! I! 1 ос) и;)рс) ис;ио) и комитеты C»()ex;! .))1ииистр>и) (ХС!>

il>>:(с,ii)> i!.) )(>I)>"ò(.i()i)i и (>!(()) !Ill .>1 иск иl. /!,-Зо, !)X((ic!<;)5) i! i(>.,;(..1/о

<) i i i I<:, ); »„".,;:,;,„., ); и".к иадательсп,. 1) >():)ã;>i)(I>:i!) и к;и(жиои (орков.i . амплитуде ((— 3<,), где с) — напряжение питания, ЛЬт — остаточное напряжение тиристора. При считывашш информации с выключенного тиристора (в элементе записан «0») на выходной информационной шипе остается потенциал, равный +U..

Для записи информации одновременно с адресным импульсом подается положительный импульс на одну из входных информационных шии. Если импульс подан на входную шину о, то через всрхншi р-и переход управляющего тиристора 2 импульс попадает на управляющий гход запоминающего тиристора 1 и производит его включение, т. е. происходит запись

«1». Если импульс заffffc« ffoffaдает иа шину 4, ТО 72 )(7 /1 ТР )1!3ffCTOP, 3)XO;131 if(fffl 13 СОС! 1!3 УIIP 1!3

;I 3f fo Ul, c à 0 Г и Р и сто Р е) 2, 0 T 1< P f>f 13;l c T c )f и ш ) l! T !рует управляющий переход згн)оминающсго

Tf! p fICTOp fl 1. При это>! 33 110)! f 1 if 31011(f f if

T0J) 1 13 и! кгl lоч() стс и.! !3!иульсы llil входных информационных шинах, > и 4 имеют ами,пггуду меш шую, чем 1!пир)l)!<0èèñ н;(адресной шине 13 режиме хрансИ> ), ll() - !ОМ3 (НИ. ОКаЗЬИ)а!От ВОЗдейетвп!С Тскн!.О l! а I, Ы Ор 11111i lя I! э, i(. )! (. ll !, l l i !<01 О)) l)i!i иод)i Il (!д!)ссныи из)п> . fl)c. далю Iснис Il 13ьи:. 1!О !сilllc

lO f0.",fIf if (1I0ÙCÃ() Tf! f) if("ТО );l НРОИЗ!30ДИТС)1 il(:

j7-базе I! к наиряж !!lifo переключения тирисгора иредъ)и)лястс)1 лишь Oдпо требоьание: Оио .(ОЛ;l< I:О ОЫТ!> ВЫIНС И а И РЯЖсil fl rl ИИТ() f) If)f С У 1<. го)! вл> япия макси)яалш!ой скорости из>венеция,!аиря)кения ирfi выполнении операций

Эго трсоова!!ис легко )itil()лияется для широ.

1 () КОГО ТС)l 1ICpа Г3 !) нОГÎ;ill() ll!1 зон !!.

Элсмсl!T и;)мя Г)1, сочср)!.а)циll зипомfffI()10

18 ии!й тиристор, 77-ба „i к(>i()p(>10 «Oezffileff;) с

71 О азО! 3 иР !âë ßþ1! i cl О тl iРllстОP;i, От.)ич())О ((ийся тем, что, с цел!но повышения быстродействия и надежности работы устройства, анод и (7-база управляющего тиристора соедн2() li(ны со 13x0;gffffbfff информационными шинами, а)год запоминающего тнристора соединен с вы .О, iIiolf информационной шиной, которая через резистор подключена к источнику питания. а катоды 0;:oiix тирпсторов соединены с адрес".> 1;()I I I!II!1!OII

Элемент памяти12 Элемент памяти12 

 

Похожие патенты:
Наверх