Составной сложный инверторв п 1 ьр-'шц •if'^'oerptnnk^vulk слу^*1,г sua

 

!

"! 42OI24

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

С о! и а: и ст и ц с с к их

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельстьа (22) Заявлено 21.04.72 (21) 1775552 26-9 (51) М. Е,л. Н 03k 19/08 с присоединением заязки (32) Приоритет

Опубликовано 15.03.74. Б!оллетень М 10

Дата опубликования описания 15.08.74

Гввудврвтвввва!",, квмитвт щвтв М!!в !втрвв,",Гв!! вв делам изввввтввнй к вта1!а!тиЙ (53) УДК 621.374(088.8) (72) Авторы изобретения А. Г. Филиппов, В. В. Прушинский, В. А. Большаков, С. А. Пронин, А. П. Удовик, А. С. Савлук и В. Г. Федоров (71) Заявитель (54) состАвной сложный ННВЕрТор

Инвертор относится и области вычислите.!ьной техники и предназначен для формирования мощных тактовых импульсов в цифровых вычислительных устройствах, а также для использования в качестве мощного выходного каскада в других импульсных устройствах.

Известен сложный инвертор, содержащий управляющий транзистор, база которого .!ерез диодно-резистивную перекл!оча!ощу!о цепь соединена с входной шиной, последовательно включенные инвертирующий и повторительный транзисторы, шину питания.

Целью изобретения является увеличение нагрузочной способности, быстродействия и снижения рассеиваемой мощности в мощном формирователе импульсов. Это достигается тем, что в инвертор введены две дополнительнь!е диодно-резистивные переключающие цепи и последовательно включенные дополнительные инвертирующий и повторительный транзисторы, точка соединения которых подключе»а к базе основного повторительного транзистора. Дополнительный повторительный транзистор соединен коллектором через резистор с дополнительной шиной питания, а базой с коллектором управляющего транзистора и через резистор с дополнительной шиной питания.

Базы основного и дополнительного.. швар и-. рующих транзисторов соединены через дополнительные днодпо-резистивные переключающие цепи с входной шиной.

На чертеже изображена принципиалыгая схема предлагаемого инвертора.

5 Инвертор содержиг управляющий 1 и инвертирующие 2 и 3 транзисторы с диодно-резистивными переключающими цепями на входных диодах 4, 5 и 6, диодах 7 — 12 смещения, диодах 13, 14 и 15 нелинейной обратной связи

10 и резисторах 16, 17 и 18, подключенных к входу основного источника !9 питания, а также повторительные транзисторы 20 и 21 и резисторы 22 и 23, соединенные с входом вспомогательного источника 24 питания. !коллектор

15 транзистора 21 подключен к входу основного источника пита!и!я.

При наличии на входе 25 ннвертора низкого уровня напряжения ток от источника 19 через резисторы 16, 17 и 18 течет в диоды 4, 5

20 и 6, вызывая накопление заряда в них. При этом транзисторы 1, 2 и 3 закрыты, а транзисторы 20 и 21 открыты и насыщены благодаря протеканию тока от источника 24 через резисторы 22 и 23. На выходе 26 инвертора уста-

25 навливается высокий уровень .потенциала, близкий по Be, !è÷è!è к напряженн!о источни ка 19 питания-..

При поступлении íà вход инвертора положительного импульса в момент достижения

30 входным напряжением порогового значения

420124

Составитель Н. Дубровскаи

Тскред Л. Богданова

Редактор Т. Юрчикова

1(орректор Л. Чуркина

Заказ 1858, !2 Изд, № 1396 Тиран: 811 Подписное

ЙНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открьпий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 происходит переключение тока во входных диодных цепях. При этом за счет заряда, накопленного в диодах 4, 5 и 6, в цепях базы транзисторов 1, 2 и 3 создается мощный импульс тока, обеспечивающий форсированное открывание этих транзисторов. Транзистор 1, включаясь, переключает в свою коллекторпую цепь ток резистора 22 и вместе с трапзисгором 2 обеспечивает быстрое рассасывапие заряда, накопленного в транзисторах 20 и 21. 10

Транзисторы 20 и 21 закрываются, а па выходе 26 формируется короткий отрицательный фронт благодаря протеканию большого коллекторного тока транзистора 3.

Во время действия положительного входпо- 15 го импульса на выходе инвертора устанавливается низкий уровень потенциала, определяемый остаточным напряжением па коллекторе открытого транзистора 3. При этом в цепях базы транзисторов 1, 2 и 3 действует нелипей- 2р ная обратная связь через диоды 13, 14 и 15, предотвращающая насыщение транзисторов 1, 2 и 3.

С приходом отрицательного фронта входного импульса в момент достижения входным напряжением порогового значения происходит перетекание тока из базы транзисторов 1, 2 и

3 во входную цепь. При этом благодаря заряду, накопленному в диодах 7 — 12, происходит весьма быстрое закрывание транзисторов 1, 2 3р и 3. Ток резистора 22 переключается в базу транзистора 20, вызывая его открывание. Током эмиттера транзистора 20 открывае,ся транзистор 21, и на выходе инвертора формируется положительный фронт выходного импульса.

Предмет изобретения

Составной сложный инвертор, содержащий управляющий транзистор, база которого через диодно-резистивную переключающую цепь соединена с входной шиной, последовательно включенные инвертирующий и повторительный транзисторы, шину питания, отличаюшийся тем, что, с целью увеличения нагрузочной способности, быстродействия и снижения рассеиваемой мощности, в него введены две дополнительные диодно-резистивные переключающие цепи и последовательно включенные дополнительные инвертирующий и повторительный транзисторы, точка соединения которых подключена к базе основного повторительного транзистора, дополнительный повторительный транзистор соединен коллекгором через резистор с дополнительной шиной питания, а базой с коллектором управляющего транзистора и через резистор с дополнительной шиной питания, причем базы основного и дополнительного инвертирующих транзисторов соединены через дополнительные диоднорезистивные переключающие цепи с входной шиной.

Составной сложный инверторв п 1 ьр-шц •if^oerptnnk^vulk слу^*1,г sua Составной сложный инверторв п 1 ьр-шц •if^oerptnnk^vulk слу^*1,г sua 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначения, в частности, в усилительных устройствах, импульсных устройствах, автогенераторах

Изобретение относится к электронным интегральным схемам типа, содержащего способные образовывать логические схемные структуры

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических комбинированных Би-КМОП сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности
Наверх