Элемент памяти

Авторы патента:

ЭЛЕМЕНТ ГШ-ШТИ на основе МНОП (металл-нитрид кремния и двуокись кремния - полупроводник) структуры, включающей область двуслойногодиэлектрика, обладающую эффектом за- nqMHHaHHH, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повьшения надежности, он содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси' 'кремния в 15-^20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в области запоминания.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

60 А (19) (11) (51) 4 С 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 1829617/18-24 (22) 12.09.72 (46) 15.05.88. Бюл. ¹ 18 (72) В.А.болдырев, А.С.Гиновкер, М.В.Мокеев, Б.Г.Тепман и Г.С.Хрящев (53) 681.327.065(088.8) . (54)(57) ЭЛЕМЕНТ ПАЖИТИ на основе

MH0II (металл-нитрид кремния и двуокись кремния вЂ” полупроводник) структуры, включающей область двуслойного диэлектрика, обладающую эффектом запоминания, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повышения надежности, он содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси кремния в 15-20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в области за,поминания.

440960

Изобретение относится к области вычислительной техники и может использоваться для создания полупроводниковых постоянных запоминающих уст- 5 ройств с электрической перезаписью информации с сохранением информации при отключении питания.

Известны элементы памяти на основе структуры металл-нитрид кремния и 1р двуокись кремния-полупроводник (МНОП) работа которых основана на хранении заряда на границе раздела двух ди- электриков: двуокиси кремния и нитрида кремния. 15

Однако наличие состояния с поло. жительными значениями порогового напряжения делает невозможным схематическое применение отдельного элемента памяти и заставляет ставить последовательно с ним при образовании ячейки памяти обычный МДП-транзистор с .индуцированным каналом, низкие . значения напряжения пробоя р и переходов под диэлектриком затвора, 25 обусловленные близким расположением электрода затвора, снижают надежность элемента памяти и ограничивают амплитуду импульсов записи.

Цель изобретения вЂ” улучшить эксплуатационные характеристики и повысить надежность элемента памяти.

Это достигается тем, что предлагаемая конструкция элемента памяти, кроме области двуслойного диэлектри35 ка, обладающей эффектом запоминания, со слоем двуокиси кремния. толщиной

15-40 А и слоем,нитрида кремния толщиной 600-1200 Л, содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси кремния в 15-20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в .области запоминания.

На фиг. 1 представлена конструкция предлагаемого элемента памяти; на фиг. 2 показан характер,.зависимости тока стока элемента памяти от величины напряжения на затворе при записи и стирании информации.

Элемент памяти содержит подложку

1, область 2 истока, один дополнительный слой 3 двуокиси кремния, слой

4 двуокиси кремния в области запоми- . нания, электрод 5 затвора, второй дополнительный слой 6 двуокиси кремния, слой 7 нитрида кремния, область

8 стока.

Запись. информации осуществляется подачей на электрод затвора 5 (фиг. 1} импульса отрицательного напряжения, достаточного для туннелирования носителей заряда через слой .4 двуокиси кремния на границу раздела двуокиси кремния и нитрида кремния в области запоминания. Пороговое напряжение области запоминания сдвигается в сторону больших отрицательных значений.

Дополнительные области двуслойного диэлектрика со слоями 3 и 6 двуокиси кремния не обладают эффектом запоминания и сохраняют неизменным низкое пороговое напряжение отрицательной полярности. Так как предлагаемый элемент памяти аналоничен системе из трех последовательно соединенных транзисторов с общим затвором, пороговое напряжение при записи опредевЂ” ляется наибольшим по абсолютной величине отрицательным пороговым напряжением области запоминания.

Для стирания записанной информации на электрод затвора подается импульс положительного напряжения. Пороговое напряжение области запоминания сдвигается в сторону положительных значений. Пороговое напряжение всей системы определяется низким отрицательным пороговым напряжением дополнительных областей двуслойного диэлект рика.

440960

-@ - - - o -a

Напряжение на от lope,д

Риз.2

Техред М.Ходанич

Корректор М. Васильева

Редактор Н.Сильнягина

Заказ 3384

Тираж 590 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Похожие патенты:

Патент 422043 // 422043

Патент 422042 // 422042

Резервированный триггер // 421046

Запоминающее устройство на мдп-транзисторах // 421045

Многоканальный резервированный триггер // 419983

Патент 417843 // 417843

Патент 416754 // 416754

Патент 410459 // 410459

Ячейка памяти // 409293

Вптб ш14ш11жу1 // 409292

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Накопитель запоминающего устройства // 2106022

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Цепь усиления напряжения для использования в полупроводниковом запоминающем устройстве // 2138085

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Динамическая ячейка памяти // 2147772

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Способ регенерации для динамических запоминающих устройств с произвольным доступом // 2163035

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Устройство полупроводниковой памяти для достижения высокой производительности и способ расположения в нем сигнальных шин // 2170955

Изобретение относится к устройству полупроводниковой памяти

Генератор накачки с изменяемым числом ступеней // 2172525

Изобретение относится к электронной технике

Запоминающая ячейка статического зупв // 2188465

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Схемное устройство с некоторым числом электронных схемных компонентов // 2189082

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние