Матричное запоминающее устройство

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ,11 498330

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 22.01.73 (21) 1877619/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.01.76. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 19.04.76 (51) М, Кл г G 11С 7 00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий

ДК 628.327 66 (088.8) (72) Авторы изооретспия

А. С, Глебов, И. М. Петров и П. T. Орешкин

Рязанский радиотехнический институт (71) Заявитель (54) МАТРИЧНОЕ ЗАПОМИНА1ОЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в ЦВМ, в разного рода логических устройствах.

Известно матричное ПЗУ с электрической перезаписью, сохраняющее информацию при отключении питания, и представляющее собой двойную систему металлических шин на кремниевой подложке, содержащее план арные р — n-диоды, соединенные последовательно с диодными структурами типа «сэндвич» на основе аморфного полупроводника.

С целью упрощения технологии изготовления, повышения надежности и радиационной стойкости, в предложенном устройстве диодные элементы памяти выполнены в виде каналов в пластине аморфного полупроводника, на торцы которых нанесены металлические пленки, поверх которых расположены адресные шины, с одной стороны — непосредственно, с другой стороны — на пленке из халькогенидного стекла.

Одна ячейка устройства показана на чертеже.

Устройство содержит пластину 1 из аморфного полупроводника, в которой в виде каналов 2 выполнены диодные элементы памяти.

На торцы каналов нанесены металлические пленки 3, поверх которых с одной стороны непосредственно, а с другой на пленке 4 из халькогенидного стекла расположены адресные шины 5.

Матричное ЗУ функционирует как матрица резисторов с двумя устойчивыми значениями

5 сопротивления, не изменяющимися при отключении напряжения. Отношения сопротивлений в состоянии с большим и меньшим сопротивлением порядка 10 . Принцип его действия заключается в следующем. При изменении наI0 пряжения, между шинами 5 от нуля до некоторой величины V,р элемент 2 находится в высокоомном состоянии. Переход от состояния с высоким сопротивлением к состоянию с низким сопротивлением, т. е. запись новой инфор15 мации, осуществляется в отформированной области путем подачи импульсов напряжения и тока определенной амплитуды и длительности.

Считывание информации осуществляется импульсами напряжения или путем подачи

20 постоянного тока и измерения величины падения напряжения, определяющей, в каком состоянии находится элемент. Ложное считывание информации исключается за счет последовательного соединения с элементом памяти

25 4 диодной структуры с варисторной несимметричной вольт-амперной характеристикой.

Электрические параметры матричного ЗУ определяются условиями электрической формовки и параметрами записывающих и сти30 рающих импульсов.

498330

Формула изобретения

Составитель В. Боголюбов

Техред Т. Курилко

Корректоры. А. Дзесова и 3. Тарасова

Редактор Л. Утехина

Заказ 752/3 Изд. № 230 Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Матричное запоминающее устройство, содержащее пластину из аморфного полупроводника, адресные шины и диодные элементы памяти, соединенные последовательно с развязывающими элементами из халькогенидного стекла, отл и ч а ющееся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, повышения надежности и радиационной стойкости, диодные элементы памяти выполнены в виде каналов в пластине аморфного полупроводника, на торцы которых нанесены металлические

5 пленки, поверх которых с одной стороны непосредственно, а с другой стороны на пленке из халькогенидного стекла расположены адресные шины.