Элемент памяти

 

ОПИСДНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

) 521664 (61) Дополнительное к авт. свкд-ву— (22) Заявлено24,08.73 (21) 1956593/24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

2 (51) М. Кл.

G 11 О 11/34

Государственный комитет

Соаета Миниотроа СССР по делам изооретений и открытий (43) Опубликовано 15.07.76.Бюллетень ¹26 (53) УДК 628.327.66 (088.8) (45) Дата опубликования описания 15.12.76 (72) Автор изобретения

В. А. Ермолов

Научно-исследовательский и опытно-конструкторский пнсгкгут автоматизации черной металлургии (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в промышленной автоматике, в частности, для управления мощными индуктивными и активными нагрузками. 5

Известен элемент памяти на кремниевых тиристорах, содержащий тирисгор, диоды и резисторы (1). Этот элемент памяти имеет низкую нагрузочную способность. Наиболее близким к изобретению является элемент памяти, содержащий тиристоры записи, сброса, шину нулевого потенциала, шины постоянного и переменного напряжения, нагрузочный резистор (2). Однако он мо- д жег быть применен только при питании его ог сети трехфазного напряжения и не может быть использован с чисто активной нагрузкой. Возможно управление известного элемента коротким импульсом, но только при 20 условии его привязки синхронизатором к соответствующей фазе напряжения сети.

Целью изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик. В описываемом элементе это достигается тем, что в него введены гкрис,ор гашения, диод гаIlIeFIHR, разделительные диоды, буферный диод, первый и второй дополнктельнь.е диоды, резистор гашения, гервый, второй к третий дэпэлнительные резисторы, причем аноды тиристэрэв записи и сброса подключены к шине постоянного напряженкя, кагод гирисгора запкск через цагрузочнь,й резистор, а катод гиристора сбороса через третий дополнительный резистор подключены к шине нулевого потенциала, анод тиристэра гашения через буферный диод пэдключен к шине переменного напряжения, катод гиристора гашения через первый дополнительный резистор и резистор гашения подключен к шине нулевого потенциала, через первый разделительный диод — к катоду тиристора записи, через второй разделительный диод и через первый дополнительный диод — к катоду гиристора сброса, управляющий электрод гиристора гашения через второй дополнительный резистор и второй дополнигельнь|й диод - к катоду гирисгора сброса, а параллельно первому дополнительному резистору включен диод гашения.

521604

На чертеже показана схема описываемого элемента .

Постоянное или непрерывно пульсирующее напряжение подают на шину постоянного напряжения 1 элемента памяти, а переменное напряжение — на шину переменного напряжения 2. B исходном состоянии ни один из тиристоров не включен, напряжение на нагрузке 3 равно нулю, При поступлении импульса "Запись" на вход тиристора запи« си 4 последний открывается и остается включенным (если характер нагрузки не обеспечивает за время длительности входного импульса включение тиристора т. е если за время длительности импульса ток нагрузки не дорастет до тока включения тиристора, применяются известные меры для ускоренного нарастания анодного тока тиристора, например в простейшем случае установка активного резистора в его катодной цепи). Для отключения нагрузки подают импульс "Сброс" на вход тиристора сброса 5. Третий дополнительный резистор

6 обеспечивает включение тиристора сброса 5. Напряжением на этом резисторе, прикладываемым к управляющему электроду гиристора гашения 7 через второй дополнительный резистор 8 и второй дополнительный диод 9, включается тиристор гашения, если при этом к его аноду приложена положительная полуволна переменного напряженая, поданного на шину 2.

Буферный диод 10 увеличивает вентильную прочность тиристора 7 в случае, когда ,на его вход подано управление, " на его аноде существует отрицательная полуволна напряжения, имеющая место на шине 2.

Первый дополнительный резистор 11 и резистор гашения 12 обеспечивают включение тиристора 7. Если в момент включения этого тиристора мгновенное значение напряжения íà его катоде больше, чем напряжение на нагрузке, то первый разделительный диод 13 открывается и выключается тиристор

4, так как напряжение на катоде тиристора

4 становится более положительным, чем на

его аноде. Чуть позже с выключением тирисгора 4 аналогично выключается тиристор 5.

Запираюшее напряжение к катоду тиристора

5 приклацываетсяс катода тиристора 7 через второй разделительный диод 14 и первый дополнительный диод 15.

Если нагрузка активная, то, когда анодное напряжение тиристора 7 падает до "0" (полуволна синусоидального напряжения), он выключается также, и устройство возвращается в исходное состояние.

В случае активно-индуктивной нагрузки выключение тиристора 4 происходит также ри положительной полуволне напряжения на шине 2, а выключение тиристора 7 наступает при отрицательной полуволне напряжения на

I Шине 2, когда мгновенное значение этого напряжения достигает такой величины, что ток, протекающий через прибор оказывается больше тока нагрузки. Диод гашения 16 замыкает цепь спадаюшего тока нагрузки. Ре10 зистор 12 способствует ускоренному спадению тока.

Включение тиристора 7 возможно только при появлении положительнойполуволны напряжения Hà его аноде. Если включение его прод изошло в те моменты времени, когда напряжение на шине 2 больше напряжения на шине 1, тиристоры 4 и 5 выключаются вэтом же полупериоде напряжения сети, в против» ном случае выключение тиристоров 4 и 5

З0 начинается с задержкой, меньшей периода сетевого напряжения. Так как времявыклю чения тиристоров 4 и 5 разное, то в моменты времени, когда спадающее напряжение на шине 2 мало отличается от напряжения на шине 1, возможно выключение тиристора 5, но не тиристора 4, что недопустимо.

Для обеспечения коммутационной устойчивости схемы установлен элемент с отсечкой напряжения, первый дополнительный диод 15, благодаря которому первым выклю чается тиристор 4.

Тиристоры записи и сброса управляются

® испульсами напряжения, подаваемыми на их управляющие электроды относительно катодов или относительно нулевой шины питания.

На вход тиристора записи можно подавать и потенциальный сигнал управления, но тог,у да его надо снять до момента подачи импульса сброса на тиристор 5.

Особенно удобно согласование такого устройства с внешними цепями управления при применении тиристорных оптронов. При

45 этом резистор 8 и диод 9 оказываются ненужными. Светодиод оптрона устанавливается в аноде опгрона и последовательно с ним.

На шину 1 можно подавать и выпрямленное напряжение or трехфазной сети. Одна

Ю из фаз этого выпрямленного напряжения должна иметь меньшее значение напряжения, чем другие фазы; в этом случае на шину 2 подают напряжение с фазой меньшего напряжения, чем на шину 1, но с амплитудой, например, равной налряжению других фаз на шине 1.

Преимущества описываемого элемента памяти заключаются в том, что он работает от однофазной сети, управляется сигналом малой длительности и может быть нагружен

521604

Составитель B. Фролов

Редактор Л. Тюрина Техред А. Богдан Корректор Б. Югас

Заказ 4861/515 Тираж 723 Подписное

1ЛНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 как на активно-индуктивную, так и активную нагрузку.

Формула и;обретения

Элемент памяти, содержаший тиристоры записи и сброса и нагрузочный резистор, отличаюшийся тем,что,сцелью улучшения эксплуатационных характеристик Ю элемента, он содержит тиристор гашения, диод гашения, разделительные диоды, буферный диод, первый и второй дополнительные диоды, резистор гашения, первый, второй и третийдополнительные резисторы, причем аноды тиристоров за писи и сбооса подключены к шине постоянно,го напряжения, катод тиристора записи через нагрузочный резистор, а катод тиристора сброса через третий дополнительный резистор подключены к шине нулевого потенциала, анод тиристора гашения через буферный диод подключен к шине переменного напряжения, катод тиристора гашения через первый дополнительный резистор и резистор гашения подключен к шине нулевого потенциала, через первый разделительный диод — к катоду тиристора записи, через второй разделительный диод и через первый дополнительный диод — к катоду тиристора сброса, управляющий электрод гирис гора гашения через второй дополнительный резистор и второй дополнительный диод поключен к катоду тиристора сброса, а параллельно первому дополнительному резистору включен диод гашения.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент ФРГ № 734120, кл. Q 11

С 11/34, 1967.

2. Авт. св. СССР № 251621, кл. (rl1

С 11/34, 1969.

Элемент памяти Элемент памяти Элемент памяти 

 

Похожие патенты:
Наверх