Оперативное запоминающее устройство

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Сова Советских

Социалистических

Республик пц604245

К АВТРРСКРМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51) М. Кл.

P. (у11 C 11/14 (22) Заявлено21.05.74. (21) 2026 1 13/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Гасударстввннмй намнтат

Саввта Мннистраа СССР ва делам изаарвтвний и аткрмтнй

{53) УДК 681.327.66 (088.8) (43) Опубликовано25.02.76. Бюллетень № 7 (4б) Дата опубликования описаийяф0..03,76.

С. И. Карый, Б. С. Севериновский и В, П. Ремизов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (64) ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) относится к вычислительной технике, Известно ОЗУ, содержащее, накопитель

:на магнитных пленках, адресные и разрядные шины которого подключены соответствен-:а но к выходам j oðìèðoâàòåneNI Гимпупьсов адресного; и разрядного,. токов, входы кото

", ых подключены соответственно к выходам "считывающие и "запись" блока синхроя з& ции, 10

Запоминающие элементы накойителя на .магнитных пленках изготавливаются группо- . вым методом и их количество на одной подложке достигает нескольких. тысяч штук., В таком накопителе для устойчивогр,считыва-. 1б ния информации магнитное поле ",(На) адресного тока должно превышать поле анизотропии того запоминающего элемента, у кото рого оно имеет максимальное значение

; (Н ). Вместе с тем максимально допус- 20 кмах

,тимое магнитное поле адресного тока{Н ) амах ограничивается тем запоминающим элеглен;томм, . который подвержен наибольшему разру:шению информации при одновременном дей-! ствии магнитного поля импульса разрядного 25 тока и,:поля тока iio соседней адресной шине, Таким образом, величина магнитного дбля адресного тока определяется условйем

Н: Н амах а кмах Необходимость выполнения этого условия лриводит к сужению области,устойчивог& функционирования накопителя, что снижает надежность работы всего ОЗУ.

Цель изобретения - повышение надежнос ти работы устройства.

Это достигается тем, что оперативное апоминающее устройство содержит усилитель и элемент запрета, прямой и инверсный вхо;., ды которого подключены соответственно к ! ,выходам считывание" и "запись блока син хронизации, а выход подключен к входу уси-.

I ,лителя, один из выходов которого соединен с адресными шинами, а другой - с шиной ,нулевого потенциала.

На фиг. 1 -; на фиг. 2 — временная диаграмма его работы.

Устройство содержит накопитель 1, запоминающие элементы 2,адресные шины 3,,разрядные шины 4, формирс>ватель пмпуль504245 со.ь адресного тока пульсов .разрядного ние" 7 и записи

9, элемент з арета

5, формирователи имтока 6, шины "считыва8, блок синхронизации

10, усилитель 11, б

На временной диаграмме показаны сигнал "считывание" 12, сигнал запись 13, сигнал выход элемента запрета" 14, импульс адресного тока 15, адресный ток известного ОЗУ Й, импульс разрядного тока 17 и сигналы 18 и 19, наводимые

< запоминаюшего элемента соответственно при считывании и записи информации, Устройство работает следуюшим образом.

С блока синхронизашш 9 по шине считы1 ванне 7 на вход блока 5 и на прямой вход элемента запрета 10 поступает сигнал считывание 12, а lIQ шине " запись" 8 на вход блока 6 ° и ца инверсный вход элемента 1О поступает сигнал запись 13, С выхода элемента запрета 1А на вход усилителя, 11 поступает сигнал выход элемента запрета" 14. По сигналу 12 блок 5, в соответствии с кодом адреса, выдает в одну из адресных шин импулы адресного тока 15.

На время действия сигнала 14, передний фронт которого совпадает с передним фронтом сигнала 12, включается усилитель 11.

Амплитуда адресного тока 15 при этом оп» рецаляется парамеграми блока. 5. После д окончания действия сигнала 14 усилитель

11 включается, а амглитуда адресного тока

15 определяется параметрами блока 5 и внутренним сопротивлением усилителя 1 1 (например, сопротивлением резистора, под- 3 клкченного параллельно выходам усилителя).

Импульс разрядного тока 17 положительной или отрицательной полярности (в соответ» ствии с кодом числа) поступает в каждую разрядную шину 4 по сигналу "запись 13. @

В реэуль-.ате адресный ток 15, в отличие от адресного тока 16 известного ОЗУ, прирбретает двухступенчатую форму, причем амплитуда первой ступени больше амплитуды.

1 второй ступени, а первая ступень адресного тока 15 и разрядный ток 17 каждой разрядной шины разнесены во времени.

Благодаря этому в устройстве (даже при .наличии запоминаюших элементов со значительным,разбросом параметров магнитной пленки) отсутс вуют указанные ограничения на амплитуду адресного тока. Это объясняется тем, что в рассмотренном ОЗУ при считывании, т. е. во время действии первой ступени адресного тока, магнитное поле его может значительно превышать значение Н к а при одновременном действии магнитного поля импульса разрядного тока и поля тока по соседней адресной шине, -. е. во время действия второй ступени адресного то са, магнитное поле не превышает значения H амах

Необходимо также отметить, что р. таком

ОЗУ уменьшается разброс считанных сигналов с запоминаюших элементов, имеюших значение угла скоса оси аниз тропии, отличное от нуля.

Эти преимущества позволяют расширить область устойчиво"о функционирования накопителя .. всего устройства и тем самым повысить его надежность. Кроме того, ойисанное устройство позволяет снизить требования

Гк параметрам магнитлой пленки. что увеличивает выход годных пленок при их производстве.

Формула изобретения

Оперативное запоминаю1цее устройство, содержащее накопитель на магнитных пленках, адресные и разрядные шины которого подключены соответственно к выходам формирователей импульсов адресного и разрядного токов, входы которых подключены соответственно к выходам " считывание и запись блока синхронизации, о т л и ч аю ш е е с я тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, оно содержит уси."чтель и элемент запрета, прямой и инверсньп" входы ко горого подключены,соотвечсственно к выходам считывание" и " зались блока синхронизации, а выход подключен ко

I входу усилителя, один из выходов которого соединен с адресными шинами, а другой— с шиной нулевого потенциала.

504245

С сталитеть С, Карый

Редактор Е. Гончар Техред М. Лпкович Корректор И. Гоксич

Заказ 100 Тираж 783 Подписное

БНИИПH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж35, Раушская наб.,д, 4/5 филиал П;1П Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 1OI

Оперативное запоминающее устройство Оперативное запоминающее устройство Оперативное запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх