Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа

 

Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа на основе меди, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры вжигания контакта, материал, кроме меди, содержит олово и галлий, причем меди 70 - 75 вес.%, олова 14 - 17 вес.% и галлия 11 - 13 вес.%.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к порошковой металлургии и может быть использовано в электротехнической, электронной промышленности и машиностроении
Наверх