Полировальный состав для обработки полупроводниковых материалов

 

Союз Советсних

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 29.10,73 (21) 196813

1) М. Кл. . Н OIL 21/463 с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет

Совета «1инистров СССР ео делам изобретений н открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.05,76. Бюллет

) УДК 621.382(088.8) (45) Дата опубликования описания (72 Авторы изобретения

В. Л. Приходько, А. В. Парфенова и А. С. Ломакин (71) Заявитель

Ф4) "-ОЛИ ОВА ЬНЫЙ СОСТАВ ДЛЯ ОВРАЬОТ1.Д

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Двуокись кремния

Двуокись алюминия

Зтилендиамин

Вода

1 — 2

8 — 9

17 — 18 остальное

Иэобретеияе относится к злектронной технике и может быть использовано в технологии финишной об рвботкет подложек из кремния, сапфира, шпинели.

Извесзкы полировальные составы для обработки юлупроводниковых материалов, содержащие двуокксь кремния, этилендиамин и воду.

Известные составы имеют недостатки. Так, смеси с етспользованием в качестве абразива двуокиси кремнеея непригодны для полирования твердых материа-. лов (кремния, сапфира), вследствие того что твер1еость двуокиси кремния сравнима с твердостью ofрабатываемых материалов.

Применение двуокиси алюминия в качестве абразива увеличивает удельный съем при обработке твердьех материалов, однако такие составы более " жесткеев", не обеспечивают получения поверхности высокого класса чистоты. Кроме того, суспензнн иа осноse такого абразивного материала нестабильны зо

Эременн (осаждение происходит в течение несколь-: ких минут) .

Цель изобретения — увеличение производительности процесса полирования, снижение теплового зффекта н обработка материалов с твердостью более 7.

Поставленная цель. достигается тем, что в полировальную смесь на основе двуокиси кремнии, зтилендиамнна и воды введены двуокись алюминия, причем компоненты взяты в следующем соотношении вес.%:

Введение в состав полировальной смеси двуокиси

10 алюминия увеличивает съем с поверхности и расширяет диапазон применения состава для обработки пс» лупроводниковых материалов.

Воздействие двуокиси алюминия в смеси с двуо1б кисью кремния - более мягкое, чем в случае примене. ния чистой двуокиси алюминия, вследствие образования на поверхности алюмосилнкатов, которые стабилизуют суспензию (время осаждения 10 — 15 час) и "закрывают" зерна двуокиси алюминия, понижая их абразивность.

Пример 1, В 800 мл деиопизованной воды (71,44 вес, %) вводят 200 r 50% — ного этнлендиамина (17,85 вес. %), перемешивают и вводят 20 r дву25 окиси кремния (1,78 вес. %), снова перемешивают t

Полировальный состав для обработки полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, преимущественно к технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике

Изобретение относится к материаловедению полупроводников

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии, и может использоваться для анализа микроструктуры керамики: выявления границ зерен, анализа распределения зерен по размерам
Изобретение относится к области очистки сапфировых подложек для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе CdHgTe, в частности к улучшению параметров приборов, их однородности по пластине и стабильности во времени и может найти применение для создания матриц, например, n-p-переходов или других полупроводниковых приборов

Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной обработки подложек из дифторида бария BaF2 при изготовлении фотоприемных устройств
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов
Наверх