Способ изготовления проводящего элемента резисторов

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (») 538430

А t с ф, г, ° ( (51) М. Кл."Н 01 С 17/30 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 22. 05. 73 (21) 1921383/07 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05. 12. 76. Бюллетень № 45 (45) Дата опубликования описания 04.04.77

Государственный комитет

Совета Министров СССР оа делам изобретений и открытий (53) УДК 621.316.89 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. С. Тян, Ю. В. Зайцев и А. С. Татарчук (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОВОДЯЩЕГО ЭЛЕМЕНТА

РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам изготовления проводящих элементов объемных переменных резисторов, используемых в качестве подстроечных и регулировочных элементов в цепях переменного и постоянного тока электронных и радиотехнических устройств.

Переменные резисторы с объемными проводящими элементами обладают высокой перегрузочной способностью и надежностью, более высокой термостойкостью, влагостойкостью и износо стойчивостью по сравнению с пленочным.

Известные объемные проводящие элементы подковообразной формы переменных резисторов изготавливают из специальных пресс — порошков, состоящих из нескольких компонентов — проводящего, связующего и наполнителя.

При изготовлении переменных объемных резисгоров типа СПО на основе неорганического связующего в качестве проводящих компонентов композиции используют турбулентную (ламповую) и диффузионные газовые сажи, наполнителями служат микропорошки из плавленого электрокорунда (1).

Технология изготовления проводящих элементов таких резисторов сложна, поскольку состав их многокомпонентньй, составы порошков необходимо многократно корректировать, поскольку юстировка объемных элементов затруднительна. Возникающие в композиционном материале поры снижают его влагостойкость, термостабильность и механическую прочность.

Наиболее близким по технической сущности и

10 достигаемому результату к изобретению является способ изготовления проводящего элемента резистора, при котором в форму заливают в качестве исходного материала всего один компонент фенолфурфуролформальдегидную смолу, которую

)5 подвергают термообработке при t=540 — 620 С. При такой температуре указанная смола становится полупроводником со значительным температурным коэффициентом сопротивления, что позволяет использовать полученньй рабочий элемент в термо20 резисторах (2) .

Однако получаемые при такой термообработке величины удельных сопротивлений и температурные коэффициенты сопротивлений не позволяют использовать их в объемных переменных низкоом25 ных резисторах, хотя по своим высоким механичес538430

Температура термообработки, оС

Удел сопр

1 — 20 — 10 — 10 — 10 — 10

I,37

1,01

0,52

0,46

0,42

)100

1200

Состав итель H. Неетеренко

Техред М. Ликович

Релактор В. Фельдман

Корректор А. Лакида

Заказ 5725/31

Тираж 952 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

11303 i, ч!осква, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 ким свойствам пирополимер фенолфурфуролформальдегидной смолы без дальнейшей термообработки может стать рабочим элементом переменного резистора.

По предлагаемому способу, с целью получения проводящих элементов объемных переменных низкоомных резисторов, имеющих высокую стабильность характеристик, указанную термообработку ведут в интервале температур 850 — 1200оС, причем конечную температуру выбирают в зависимости от 1О желаемой величины сопротивления проводящего элемента.

При изготовлении резисторов фенолфурфуролформальдегидную смолу можно заливать в подко- 1о вообразную или прямоугольную форму, повторяющую форму резистора и затем отверждать

Данный способ изготовления позволяет получить объемные проводящие элементы с сопротивлением

0,5 — 2,0 ом, имеющие высокую стабильность характео ристик в широком интервале температур — 100+ 300 С.

Об

Формула изобретения

Способ изготовления проводящего элемента ре4О зисторов путсм заливки в форму фенолфурфуролформальдегидной смолы с последующей термообработкой, от лича ющий ся тем, что, с целью получения проводящих элементов объемных пере4 до 120оС. После этого проводящие элементы освобождают от фопм и термообрабатывают при 850 — 1200 С, выбирая конечную температуру термообработки в зависимости от желаемой величины удельного электросопротивления рабочего элемента.

Проводящие элементы можно вырубать на штампах из отвержденных больших пластин, но тогда отходы материала при вырубке подковообразных элементов достигают 50 — 60%.

При температуре термообработки от 850 до

1200 С пирополимер имеет удельное сопротивление о

10 4 — 10 ом.м. и температурный коэффициент сопротивления 10 4град., В таблице указаны величины удельных сопротивлений проводящих элементов резисторов в зависимости от температуры термообработки менных низкоомных резисторов, имеющих высокую стабильность характеристик, указанную термообработку ведут в интервале температур 850 — 1200 С, причем конечную температуру выбирают в зависимости от желаемой величины сопротивления проводящего элемента.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Мартющов К. И., Зайцев Ю. В., "Технология производства резисторов, М., "Высшая школа", 1972 г, стр. 241.

2. Авторское свидетельство Р 363405 по кл.

НО1С 7/04 от 1971 г (прототип) .

Способ изготовления проводящего элемента резисторов Способ изготовления проводящего элемента резисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления резисторов, в частности к стабилизации и подгонке тонкопленочных резисторов, и может быть использовано при производстве металлопленочных тензорезисторных датчиков давления, силы, деформации и гибридных интегральных схем в радиотехнической и приборостроительной промышленности

Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению непроволочных цилиндрических резисторов с аксиальными выводами, которые перед использованием окрашивают эпоксидной эмалью и сушат

Изобретение относится к электронной технике, а именно к пленочным терморезисторам
Наверх