Способ изготовления резисторов

 

ОЛИСАНИ

И ЗОБРЕТЕ Н И

Союз Саеетеииз

Соцмалмстмческми

Реев ублмк и) 5775<® (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.11,7 5 (21) 2189689/ с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.10.77. Бюллетень (45) Дата опубликования описания 10.1 (ЬЦ М. Кл.

Н 01 С 17/30

Гав дарственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 621.396.69 (088. 8) А, И, Антонян Д. Я. Чопоров, Л. П. Богсцпобова, H. F., Просвирнина, А. С. Фиатов, Л. С. Тян, KL В. Ажксандров, В. С. Самойлов и Г. Ф, Казанова (?2) Авторы, изобретения (?1} Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИ Я РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области радиодеталестроения и может быть использовано в технологии производства резисторов общего примененияя.

Известен способ изготовления лакосажевых резнстивных элементов путем смешения сажи, связующего лака и диэлектрического наполнителя, нанесения смеси методом полива на подложку с последующей термообработкой при

150 - 250 С. В качестве связующего можно использовать любой тип органической смолы натуральной или синтетической и в частности фурфуролофенолформальдегидную смолу (ФФФС). Сажа, используемая в качестве проводящего компонента, предварительно прокаливается при 1300 С t1).

Недостатками. известного способа являются малая толщина резистивного слоя, получаемая при поливе суспензий с малой вязкостью; относительно высокий ТКС, который в интервале температур минус 60 — -125" С составляет 1000+ 2000 10 " / С; высокий уровень ЭДС собственных шумов до 10 мкв/в и более для резисторов с номинальным сопротивлением выше однгпо мегома; относительно низкая износоулой ивость до 25 тыс. циклов вращения, определя мая малой толщиной слоя. Применение сажи, прокаленной при 1300 С, приводит к уничтожению активных центров н; поверки<и тц сажевых частиц, принимак щих i ÷àñòèå н об11азовании химических связей междт сажевыми частицами и связующим, что ведет к lit (. абильности таких характеристик резистивных элементов как ЭДС собственных шумов и ТК(:.

Цел ь изобретени я — у меньшение уровня

ЭДС шумов, температурного коэффициента сопротивлений и повышение износостойкости резисторов.

10 Это достигается тем, что в способе изготовления резисторов, преимущественно лакосажеBbIx. включающем и редва рител ьную термообработку сажи, смешивание исходных компонентов, сажи и инертного наполнителя, формование заготовок, их термообработку, вырубку рези THBHt! x элементов, монтаж токовыводов и окончательную термообработку резисторов, предусматривааюц(ую нх нагрев до определенной температуры и выдержку при данной температуре, термообработку до вырубки резнстивных элементов осуществляют со скоростьнт подъема температуры 5 - 10 град/час до с10 — 120 (:. При окончательной термообработкс нагрев резисторов осуществляют со скоростью подъема температуры 30 — 50 град/час до 300 — 500 С с выдержкой при данной темпе. ратуре в течение 10 — 20 час.

Формула изобретения

Состаан гель 11. Латин

ТехредО. Лч оаан Корректор A. Кравченко

Редактор Л Народнаи

„=„-.. ьа 41«1/ЗВ 1 ирак . 976 11одмнсное

ЦНИИПИ Государственного комитета СÎB(ти Министров СССР

00 делам иаоб1ктений и открытий! 1ЗО:15, Моекои, Ж З5, 1 ачьи.иаи иаб, д. 4(0

Фжйиаа 111111 «1 laòåíòü, г Ум(горОд, чл 11роектнан, 4

При данном способе термообработки происходит карбонизация фурфуролофенолфорчальдегидной смолы, за счет чего она из диэлектри ка становится материалом с полупроводниковыми свойствами.

С цельк сохранения активных центров сажи, принимающих участие в образовании химических связей между сажей и связукпцим термообработиу сажи, используемой для получения резистивных элементов, проводят при 420—

450 С, что ведет к улучшению характеристик токопроводящих элементов ЭДС шумов, стабилизации ТКС и повышению износостойкости.

Этот способ позволяет получить резистивные элементы с такими характеристиками: тол1цина до 0,1 мм, ТКС в интервале температур минус 60 — 1155 С, ЗЦС собственных шумов до

5 мкв/в, износоустойчивость до 50 тыс. циклов вращения.

11p» мер 1. Берут 100 вес.ч. смолы, 5 вес.ч. печной сажи, прокаленной при 420 С, 2 в;-: .ч. инертного наполнителя. Все перемешива1от, наносят на стеклянную или фторопластовую подложку и термообрабатывают со скоростью подъема температуры 5 град/час до 90 С, а затем со скорос"ью подъема температуры

30 град/час до 300 С и выдержива1от при

300 С 20 час. Из полученной пленки вырубают резистивные элементы любой формы.

Вели«ина сопротивления токопроводящего слоя при этом составляет 300 кОм, ЗДС шумов — 01,2 0,4 мкв/в; TKC- — 480 ° 10 / С, из.уC OA ;8800 гb -- 50 TbIC. 11HKJ108. ,Пример 2. Берут 00 вес.ч. ФФФС, 7 весл. сажи печной, прокаленной при 450 С, 6 вес.ч. инертного наполнителя, перемешивают, нанося", „; стеклянну1о или фторопластовую подложку и т рмообрабатывают со скорость1о подъема ех.;-ратуры 10 град/час до 120 С. Из полученной пленки вырубают резистив«ые элементы, а затем термообрабатывают со скоростью подъема температуры 50 грал/час.

Выдерживают их при 500" С в течение ! 0 «ас.

5 Величина сопротивления токопроводящего слоя при этом составляет 150 кОм, ЭДС п1умов - 0,2 мкв/в, ТКС вЂ” 300 ° 10 /" С, износоустойчивость - 50 тыс. циклов.

Способ изготовления резисторов, преимущественно лакосажевых, включающий предварительную термообработку сажи, смешивание исходных компонентов, например фурфуролоформальдегидной смолы, сажи и инертного наполнителя, формование заготовок, их термообработку, вырубку резистивных элементов, монтаж токовыводов и окончательную термообра20 ботку резисторов, предусматривающую их нагрев до определенной температуры и выдержку при данной температуре, отличаюи4ийея тем, что, с целью уменьшения уровня ЭДС шумов, температурного коэффициента сопротивлений и ввышения износостойкости резисторов, термообработку до вырубки резистивиых элементов осуществляют со скоростью подъема температуры 5 — 10 град/«ас до 90 — 120 С, а при оконч ательной термообработке нагрев резисторов осуществляют со скоростью подъема темпераз@ туры 30 — 50 град/час до 300 — 500" С с выдержкой при данной температуре в течение 10—

20 час.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Гальперин Г1. Непроволочные резисторы.

Л., «Энергия», 1968, с. 145, 160--163.