Способ рентгенографического исследования структуры кристаллов

 

т1 11 ент ;<..:.cK . . иб,; л

Союз Советских

Социалистических

Республик

О П -Е (11) 542?28

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.08.74 (21) 2050933/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.01.77. Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описания05.04.77 (51) М. Кл.2 G01N23/20

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 623.386(088.8) (72) Авторы изобретения

В. В. Харченко и С. P. Бойко (71) Заявители

Государственное конструкторское бюро АН Уз.ССР и Институт электроники АН Уз. CCP (54) СПОСОБ РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ

СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ

1 2

Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу и может применяться при исследовании структурных несовершенств кристаллов.

Известен способ исследования структурных несовершенств кристаллов по методу Берга — Баррета, согласно которому на поверхность кристалла под очень малым углом направляют плоский пучок рентгеновских лучей и регистрируют дифрагированные лучи с помощью фотопластинки, расположенной около поверхности образца (1).

Однако известный способ не позволяет исследовать послойное распределение несовершенств в кристаллах без их разрушения, кроме того, он очень чувствителен к поверхностным нарушениям.

Известен способ послойного исследования структурных несовершенств кристаллов по методу

Боррмана, согласно которому направляют рентгеновский пучок над брегговским углом и наблюдают аномальное прохождение пучка через образец (2) .

Однако при осуществлении этого способа используют очень узкие пучки, следствием чего является недостаточная экспрессность.

Цель изобретения — повышение экспрессности исследования приповерхностных монокристаллических слоев.

Согласно изобретению, поставленная цель достигается тем, что рентгеновский пучок направляют в торец образца под брегговским углом к плоскостям, параллельным поверхности образца, и регистрируют рассеянное излучение, вышедшее из поверхности образца.

Сущность изобретения поясняет чертеж.

10 Пучок рентгеновских лучей 1, ограниченный щелью 2 до заданной ширины, направляют в торец образца под утлом Вульфа — Брэгга к отражающим плоскостям, которые параллельны поверхности образца 3. Отражающее положение образца, которое

15 соответствует выходу дифрагированных лучей 4 из образца 3, проверяют счетчиком излучения с регистрирующим устройством. Рассеянные в направлении дифрагированного пучка лучи 4 регистрируют на фотопластинке 5, которую располагают о0 вблизи от поверхности исследуемого образца 3. На фотопластинке получают топограмму с изображением дефектов структуры, находящихся в слое, параллельном поверхности образца, толщина которого определяется заданной шириной рентгеновского

25 пучка. Области образца, находящиеся вне этого слоя, Составитель К. Кононов

Техред М. Ликович

Редактор E. Меньшова

Корректор Т. ЧабРова

Заказ 5957/28

Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 не участвуют в формировании контраста на фотопластинке, например, поликристалл 6, Затем образец 1 с новой фотопластинкой перемещают в направлении, перпендикулярном его поверхности, на расстоянии, равном ширине исследуемого ранее слоя. В этом случае получают топограмму с изображением дефектов, находящихся в соседнем слое. Экспозиция сокращается за счет возможности использовать более широкий пучок, а, кроме того, практически полностью ликвидируется контраст от поверхности нарушений образца.

Предложенный способ применим для исследований поверхностных монокристаллических слоев, в частности таких, которые расположены на подложке с иными физическими свойствами.

Формула изобретения

Способ рентгенографического исследования структуры кристаллов, заключающийся в том, что на исследуемый образец направляют рентгеновский пучок под брегговским углом и наблюдают аномальное прохождение пучка через образец, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения экспрессности исследования приповерхностных монокристаллических слоев, рентгеновский пучок направляют в торец образца под брегговским углом к плоскостям, параллельным поверхности образца, и регистрируют рассеянное излучение, вышедшее из

1О поверхности образца.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. А. А. Русаков "Рентгенография металлов" ч.

l5 П МИФИ Москва, с, 191 — 196.

2. А. А. Русаков "Рентгенография металлов" ч.

П МИФИ, Москва, с. 189 — 191 (прототип).