Способ регистрации концентрации локализованных носителей заряда в полупроводниках

 

Союз Советских

Социалистичесюа

Республик

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДВПЛЬСТВУ

< 669301 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01.09.75 (21) 2169349)18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл .

G 01 R 31/26

Гапударстеенньа номнтет

СССР па делам нзюбретеннй н етнрытнй (53) УДК 621.382 (088.8) Опубликовано 25.06.79. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 05.07.79. (72) Авторы изобретения

В. П. Сушков и М. Н. Титов (71) Заявитель (54) СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ КОНЦЕНТРАЦИИ

Л ЛКАЛИЗОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Изобретение относится к области элект рических измерений в полупроводниковом приборостроении.

Известен способ регистрации локализованных носителей заряда в полупроводниках

HB уровнях прилипания в запрегценной зоне в области р-п перехода путем приложения обратного смещения и регистрации емкости р-п перехода,1). Недостатком известного способа является необходимость испо.: зования дополнительного переменного сигнала.

Наиболее близким техническим решением является способ регистрации локализованных носителей заряда в полупроводниках на уровнях прилипания в запрещенной зоне в области р-и перехода путем приложения обратного смегцения и регистрации тока через переход (2) . Согласно этому способу осуществляется определение полного протекшего заряда. Недостатками известного способа является низкая точность, связанная с необходимостью регистрации двух слабых токов, и невозможность определения измерения концентрации локализованных носителей.

Цель изобретения — повышение точности измерения и обеспечение возможности определения измененной концентрации носителей заряда.

5 Поставленная цель достигается тем, что используют р-и переход с уровнями туннельной рекомбинации и прикладывают прямое смещение меньше его контактной разности потенциалов.

Предложенный способ основан на том, 10 что при протекании туннельного тока через уровни отсутствует инжекция свободных носителей заряда в разрешенной зоне, и ток определяется шириной области объемного заряда, которая зависит от концентрации локализованных носителей заряда.

В настоящем способе прошедший ток не изменяет концентрации локализованных носителей и поэтому регистрация может происходить многократно и в процессе изменения концентрации локализованных носителей заряда. как за счет заполнения, так и за счет термической ионизации носителей заряда. Точность регистрации повышается благодаря тому, что туннельный ток имеет

669301

Составитель Г. Баланюк

Редактор О. Степина Техред О. Луговая Корректор Е. Папп

Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное

ЦН И И ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 на несколько порядков более высокое значение, чем ток, определяемый термической ионизацией носителей заряда.

Предложенный способ может быть реализован на диодах из Alp35Ga As, в которых уровни туннельной рекомбинации введены за счет облучения быстрыми электронами.

При температуре 77 К осуществляют заполнение уровней за счет инжекции. Затем при смещении 1,2 В регистрируют изменение концентрации локализованных носителей по величине протекающего тока.

Вследствие термической ионизации локализованных носителей туннельный ток экспоненциально убывает, что обеспечивает возможность получения экспоненциальной зависимости тока с большим временем спада.

Формула изобретения

Способ регистрации концентрации локализованных носителей заряда в полупроводниках на уровнях прилипания в запрещенной зоне в области р-.п перехода путем приложения смещения и регистрации тока через переход, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности измерения и обеспечения возможности определения измененной концентрации, используют р-и переход с уровнями туннельной рекомбинации и прикладывают прямое смешение меньше его контактной разности потенциалов. 0 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Гольдберг Ю. А., Седов В. В. Определение параметров примесных атомов в

Ga As р-п переходах методом релаксации емкости. ФТП, 1972, т. 6, вып. с 1383 — 1385.

2. Сушков В. П. и Титов М. H. Применение методов термостимулирования. М., 1975, с. 35 — 41.