Способ изготовления контактного растра двойной линиатуры

 

Союз Советскмк

Социалистических

Республик

ОПИСА

ИЗОБРЕТЕНИЯ

«i> 720413

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (51) М..Кл. (22) Заявлено 050674 (21) 2034041/28-12 с присоединением заявки Нов (23) Приоритет

G 03 F 5/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано р5038р Бюллетень Hо я

Дата опубликования описания 070380 (53) УДК 655.1/3 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. В. Грачев, Г. Г. Лебедь, В. Т. Мартынюк, И. Д. Чуприна и Б. B. Генералов

Киевский филиал по специальным видам печати

Всесоюзного научно-исследовательского института комплексных проблем полиграфии (71) Заявитель (54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТНОГО РАСТРА

ДВОЙНОЙ ЛИНИАТУРЫ

Изобретение относится к способам изготовления контактных растров, в частности позитивных контактных растров двойной линиатуры,-и может быть использовано для получения растровых фотоформ, применякщихся, например, при изготовлении печатных форм глубокой автотипии.

Известен способ изготовления контактных растров двойной линиатуры путем многократного последовательного проецирования специальной диафрагмы через однолиниатурный проекционный растр на светочувствительный материал с последующей фотографической обработкой экспонированного материала (1).

Недостатком этого способа является

его трудоемкость, связанная с необходимостью точной установки диафрагMbI относительно проекционного растра при каждом последукщем проецировании.

Целью изобретения является упрощение и удешевление процесса изготовления контактного растра. 25

Сущность способа состоит в том, что гроецируют на светочувств итель ный материал диафрагму с отверстием, виекщим форму симметричного неправильного двенадцатиугольника, в центре которого расположена темная зона в виде четырехлучевой звезды„при этом при проецировании диафрагму ориентиру« ют так относительно проекционного раст ра, что диагонали, соединякщие прот ив оположные вершины ч е тырехлуч е в ой звезды,. расположены параллельно сторонам квадратных ячеек растра.

На фиг. 1 изображена схема получения контактного растра двойной линиатуры; на фиг. 2 — диафрагма для получения контактного растра двойной линиатуры; на фиг. 3 — схема образования двухлиниатурной структуры контактного растра.

Диафрагму 1 проецируют через проекционный растр 2 на фотоматериал 3.

В процессе проецирования диафрагму

1 освещают рассеянным световым потоком 4 от источника света. Для проецирования используют диафрагму, представлякщую собой отверстие 5 на непрозрачном фоне 6, имеющее форму симметричного неправильного двенадцатиугольника. Двенадцатиугольник имеет четыре одинаковых коротких стороны 7, между каждой парой которых расположено по две одинаковых длинных стороны 8. В центре отверстия 5

7204 располагается затем не иная эона я н яде четырехлучевой звезды 9, которая ориентирована относитель но сторон дненадцатиугольника так, что ее нершины 10 располагаются против середины коротких сторон 7.

Проецирование диафрагмы производят через обычный однолиниатурный крестообразный проекционный растр 2.

При этом диафрагму ориентируют относительно проекционного растра так,, Чтобы диагонали 11, соединяющие противолежащие вершины 10 четырехлучевой энеэды 9, были параллельны сторонам квацратных ячеек 12 растра 2.

На фиг. 3 изображены проекции 13 диафрагмы 1 на Фотоматериал 3 по отношению к положению прозрачных ячеек

12 проекционного растра. Участки минимальной освещенности размещаются на фотоматериале с одной стороны

1 напротив прозрачных ячеек 12 проекци- 20 онного растра эа счет проекций 14 внутренней четырехлучевой звезды 9 диафрагмы и с другой — напротив центров пересечений непрозрачных линий проекционного растра эа счет промежут-.g5 ков 15 на стыках четырех соседних проекций 13 наружного контура отверстия диафрагмы. В результате этого получается двухлиниатурная структура контактного растра. В верхнем левом уг- ЗО лу показано получаемое при этом за. счет полутоновых явлений распределение освещенностей внутри получаемых растровых ячеек. Распределение оптических плотностей н растровых ячейках после фотографической обработки будет обратным по отношению и распределению освещенностей, т.е. центры растровых ячеек будут иметь минимальную oIIòèческую плотность, а периферия — максимальную.

В качестве фотоматериала 3, на который проецируется диафрагма 1 через проекционный растр 2, может быть применен высококонтактный пленочный фотоматериал, пригодный для получения 45 контактного растра, например пленка

ФГ-31 или пленка Кодалит, тип.3.

Переменйые факторы растрового процесса (фиг. 1) связаны зависимостью:

V R 5Î вЂ” — — п, d r где V — расстояние от плоскости диаФрагмы .до плоскости Фотослоя;

d — размер отверстия диафрагмы между короткими сторонами 7;

R — растровое расстояние;

r — размер стороны ячейки проекционного крестообразного раст.ра;

n — эмперический поправочный коэффициент.

Опытным путем устанонлено, что оптимальные параметры контактного растра получаются при и от О,,37 до О, 40 и

В= З Г-

После проецирования диафрагмы на фотоматериал проводят обычную фотографическую обработку (проявление, промывка, фиксирование, окончательная промывка и сушка.

Однократное проециронание и исключение необходимости точной установки диафрагмы относительно проекционного растра в описанном способе позволяет упростить и удешевить процесс изготовления контактного растра двбйной линиатуры.

Формула изобретения

Способ изготовления контактного растра двойной линиатуры, путем проецирования диафрагмы через однолиниатурный проекционный растр на светочувствительный материал с последующей фотографической обработкой зкспонированного материала, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения и удешевления процесса изготовления контактного растра, проецируют на светочувстнительный материал диафрагму с отверстием, имеющим форму симметричного неправильного двенадцатиугольника„ а центре которого расположена темная зона в виде четырехлученой звезды, при этом при проецировании диафрагму ориентируют так относительно проекционного растра, что диагонали, соедйняющие проти» воположяые вершины четырехлучевой звезды, расположены параллельно сторонам квадратных ячеек растра.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. Патент Франции 9 1488082, кл. С 03 Р 5/00 опублик. 1987 (рототип .

720413

Составитель А. Яровая

Редактор М. Васильева Техред М.Петко Корректор Г. Назарова

Эаказ 10217/34 Тираж 526 Подп ис ное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР ло делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная„ 4