Устройство для функциональной подгонки микросхем

 

0 П Й С А Л И Е

ИЗОБРЕТЕННАЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 2109.77 (21) 2534934/18-21 (51)М. Кл.

Н 01 С 17/22

Н 01 Ь.21/бб с присоединением заявки №

Государственный комитет

СССР

IIo делам илобретеиий и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 250680..Бюллетень ¹23

Дата опубликования описания 250680 (53) УД 621. 317. 8 (088. 8) (72) Авторы изобретения

В.A.Ëîïóõèí, С.1и.Сотенко, Д.К.Шелест и Ю.Ф.Шеханов

Ленинградский институт авиационного приборостроения

Министерства высшего и среднего специальиого образования РСФСР (71) 3 а яв ител ь (5 4 ) УСТ РОИ СТВО ДЛЯ ФУНКЦИОЧАЛЬНОЙ ПОДХ ОНКИ

NHKP OCXEN

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к устройствам подгонки микросхем и может применяться для функциональной подгонки микросхем.

Известно устройство для функциональной подгонки микросхем, при которой производится необратимое изменение параметров пленочных пассивных элементов, определяющих выходные параметры микроуэла, причем это изменение производится до тех пор, пока выходные параметры не окажутся в,поле допуска (1). Недостатком этого устройства является недостаточная точ- 15 ность подгонки микросхем.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство для функциональной подгонки микросхем, включающее 20 соединенные последовательно блок контроля параметров, блок сравнения параметров и командный блок (2).

Недостатком этого устройства является его малая производительность;

11ель изобретения — повышение производительности.

Для этого устройство для функциональной подгонки микросхем, включающее соединенные последовательно блок контроля параметров, блок сравнения параметров и командный блок, содержит дополнительно термостатируемую камеру для размещения микросхем с окном в крышке, выполненным из материала, прозрачного для инфракрасного излучения, над которым установлена система нагревателей, блок управления системой нагревателей, блок памяти со)ртояния нагревателей и блок фиксации состояния нагревателей, при этом к первому выходу командного блока подключены соединенные последовательно блок управления системой нагревателей,первый вход блока памяти состочння нагревателей и система нагревателей, а ко второму выходу командного блока подключен блок фиксации состояния нагревателей, выход которого соединен со вторым входом блока памяти состояния нагревателей.

На чертеже представлена схема устрОйства для функциональной подгонки микросхем.

Устройство содержит блок 1 контроля параметров, блок 2 сравнения параметров и командный блок 3, соединенные последовательно, Вход блока 1

743043 контроля подключен к выходу подгоняемой микросхемы 4.

При этом к первому входу командного блока 3 подключены соединенные последовательно блок 5 управления системой нагревателей, первый вход блока 6 памяти состояния нагревателей и система 7 нагревателей, а ко второму выходу командного блока 3 подключен вход блока 8 фиксации состояния нагревателей, выход которого соединен со вторым входом блока б qàìÿòè состояния нагревателей, Система 7 нагревателей, представляет собой коммутирующую плату с расположенной на ней матрицей инжекционных микролазеров инфракрасного излучения и закреплена. на крышке термостатиронанной камеры 9 (над окном 10,прозрачным для инфракрасного излучения), в которой помещена подгоняемая микросхема 4.

Устройство работает следующим образом.

В термостатированную камеру 9 помещается и закрепляется микросхема 4 с элементами, обращенными в сторону окна 10. Сигнал с микросхемы подается на вход 1 блока контроля параметров, где обрабатывается и передается на блок 2. B случае, если выходной параметр микросхемы лежит вне зоны допуска, блок 2 сравнения параметров выдает сигнал на командный блок 3, по которому последний начинает программированный перебор вариантов состояний нагревателей.

Информация с командного блока 3 поступает на блок 5 упранления системой нагревателей, который вырабатывает напряжение, управляющие нагревателями. Эти напряжения через блок б памяти состояния нагревателей подаются на систему 7 нагревателей, закрепленных на крышке термостатированной камеры 9 над окном. Инфракрасное излучение микролазеров, проходя окно, вызывает локальное изменение температуры элементов микросхемы 4, размещенной в термостатированной камере 9, вызывающее изменение параметров элементов микросхемы 4. При попадании выходных параметров микросхемы в зону допуска блок 2 сравнения параметров, вырабатывает сигнал, по которому командный блок 3 запускает блок 8 фиксации состояния нагревателей, блокирующий входы блока б памяти состояния нфуревателей и предотвращающий изменение состояния нагренателей при дальнейших операциях. Блок 8 фиксации состояния нагревателей необратимо фиксирует информацию о состоянии нагревателей, обеспечивающем нормальное функционирование

;микросхемы, н ячейках памяти блока б (например путем выжигания управляющих дйодбв, соотнетствуюших лазераи, находящимся в выключенном состоянии)

После этого микросхема вместе с термостатированной камерой 9, укрепленной на ней системой 7 нагревателей и блоком 6 памяти состояния

5 нагревателей в дальнейшем эксплуатируется как микрос борка. При подключении питающих напряжений к микросхеме и микролазерам внутри термостатированной камеры 9 и на поверхности микросхемы 4 снова возникает картина температурного поля, образовавшегося при подгонке, так как включаются только те микролазеры, которые соответствуют действующим управляющим диодам блока б памяти состояния нагревателей, а также последнему состоянию нагревателей, при котором выходной параметр находится в пределах поля допуска.

Использование в процессе функцио2О нальной подгонки изменения параметров элементов микросхем при помощи локального программированного изменения температуры этих элементов отличает даннэе изобретение от про25 тотипа. Воэможность обратимого изменения параметров элементов микросхем позволяет получать выходные параметры микросхем, близкие к номинальным, независимо от сложности микросхем и тем самым, значительно повышать точность и увеличивать выход годных микросхем, а также повысить производительность подгонки.

Отсутствие в предлагаемом изобретении механических перестроек, высокое быстродействие микролаэеров также повышает производительность устройства. Использование устройства повышает степень автоматизации производства микроузлов.

Формула из о бр ет е н и я

Устройство для функциональной подгонки микросхем, нключаюшее соединенные последовательно блэк контроля параметров, блок сравнения параметров и командный блок, О т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью повышения производительности, оно содержит дополнительно термостатируемую камеру для размешения микросхем с окном в крышке, выполненным из материала, прозрачного для инфракрасного излучения, над которым установлена система нагревателей, блок

55 управления системой нагревателей, блок памяти состояния нагревателей и блок фиксации состояния нагревателей, при этом к первому выходу команднîro блока подключены соединенные последовательно блок управления системой нагревателей, первый вход блока памяти состояния нагренателей и система нагревателей, а ко второму выходу командного блока подключен вход блока фиксации состоя743043

Составитель В.Ленская

Редактор .Н.Воликова Техред Л. Теслвк Корречтор Н. Григорук

Заказ 3475/44 Тираж 844 Подпис ное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

11 3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул. Проектная, 4 ния нагревателей, выход которого соединен со вторым входом блока памяти состояния нагревателей.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Solicl State Technology, 1971, XI, с.46.

2. Патент CttlA,9 3453781, кл. 51-8, опублик. 1969 (прототип) .