Устройство для осаждения слоевиз газовой фазы

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

> 82762!

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено |1.07.77 (21) 2506528/23-26 (51) М.Кл."С 30 В 25/08 с присоединением заявки—

Государственный комитет (23) Приоритет— ло делам изобретений н открытий (43) Опубликовано 07.05.81. Бюллетень 1!е 17 (45) Дата опубликования описания 01.10.81

53) УДК 548 25 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. И. Иванов, Н. И. Николайкин, Г. Н. Свинцов, Э. Б. Сигалов и М. М. Павлов (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ

ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЪ|

Изобретение относится к области attиарат«в для ш1лучсиия монокриcTàëëов и легированных полупроводниковых материалов непосредственно из газовой фазы, в частиост!! для наращивания кристаллических слоев кремния и его соединений на 011«к р и с T а л л и 1 е с к l! х и о дл о ж и а х.

Известны устройства для осаждения слоев з газовой фазь1, содержащие герметичную камеру со средствами подачи !! отвода газов и полый держатель подложек, иагреваемый внутренним индуктором, отделенным от полости камеры кварцевым колпаком, который закреплен »а верхнем или иижисм фланце, причем средства QTBo да газов выполнены в ви <е штуцеров и корпусе камеры, соединенных гибкими ц1лангами со стационарной магистралью отвода газов (1) и 12 .

Недостатком известных устройств является сложность конструкции, вызванная соединением штуцер«в отвода газов со стационарной магистралью отвода газов с помощью гибких шлангов (или спльфонов), что связано с необходимостью регулярной загрузки и выгрузки пластин, Как правило, отходящие газы — это агрессивная среда с высокой температурой, что приводит к быстрому выходу из строя гибких lllлангов, в т. ч и ctlльфонов из нс,;жавеющей стали.

Известно также устройство для осаждения слоев из газовой фазы, содержащее герметичную камеру, средства подачи и отвода газов и коаксиально размещенный полый держатель подложек, внутри которого расположен водоохлаждаемый индуктор, заK.1!Очcнltый В квapueвый 1 .Олпак, 10 закрсплеиный на нижнем фланце, причем средство подачи газов выполнено в виде струйных вводов, а средство отво;!а газов — в ви.lc штуцеров в корпусе камеры, соед11ttet

11с !«cTaTli!I даииог«устройства заклю :;I:oTcÿ в сг!жадности и Itcttaдежности конструкци;1, !1« вызвано наличием гибких

11lлаI гов (сильфонов), соединяющих шту20 цсра отвода газов со стационарной магис l;;Iлью отво.<а газов. Гибкие шланги по;щ1ляют производить регулярную разгермст!1зацию камеры, ио в связи с тем, что через них отводится горячий газ, в кото25 ром частично продолжается процесс образова и и я твердого кремния, осаждающегося иа стенках устройств отвода, шланги (сильфîHû) быстро теряют свою гибкость (эластичность), прогорают, разгерметизи30 руются и в результате выходят из строя, 3

827621 что определяет ненадежность такого устройства.

Цель изобретения — упрощсш!с эксплуат3ции II пÎвьнисние надежности работы аппарата.

Это достигается тем, что устройство содержит герметичную камеру со сре;(ства м". подачи и отвода газа, внутри которой коаксиально смонтированы последовательно один в другом водоохлаждасмый индуктор, кварцевый колпак и подложкодержатель. Средство для отвода газа выполнено в ви,le осевого сквозного патрубка, ирохо,(ящсго через кварцевый колпак, внутри водоохлаждясмого индуктора !r сообщающегося с рабочей полостью камеры.

На чертеже показан общий и!д устройCT133;I.1Er 0C3ÆÄCI !!I Jt C 10C13 нз Гсlзовой фаЗЬ(. CTpOHCTI30 CO. 1Cp)rr )IT I Cp b(CTII r Jr> lO камеру 1, средство струйной подачи 2 и отвода,3 газов, полый держатель 4 подложек 5, гнуTpcrrrt)!)"r I)n.rnn.êлаждасмый дуктор б, от;!слснный от полости 7 ка vrcpr» r>l33prtcr3r rм кОлпа !30л((3. Cpe (ст!30 отво t3 газов 3 выполнено в виде осевого патрубка 9, сос;и)ненног() с,пш)цем (!сры и-! сой(10 колпака 8 таким ооразом, что внутренняя Itoëîñòr, 11 г.атрубка 9 сообщена с полостью 7 камеры 1. Пятрубок 9

Выполнен кяк часть колпака 9 и соединен сферическим и(лифом !2 со стационарной магистралью 13 о1во!;1 газов.

УстРО!(стВО 03 Оота ст c, с, Ivro Jlrrl J>I Ооi> 3зом, Подложки 5 загружают rt3:(сржатсль 4, гермстизируют камеру 1, после чего с помощью внутреннего индуктора б нагревают держатель 4 до температуры проведения процесс"",. Нагрев осуществляют в газовой сре(е заданного состава, для чего в полость 7 камеры 1 вводят газы через средства струйной их подачи 2. Такая подача газов позволяет турбулизировять газовую смесь в полости 7, чем предотвраИ(яетея се раССлОЕНиЕ на СОСтавляЮщие И созда!отея условия для равномерного осаждения слоев на подложках 5. Вывод газа осуществляется через крышку 10 колпака

9 Ilrlдуктора 6, а далее через полость 11 соnc«oro иа.грубка 9 и через CT31IJIOJ)3prri 10 магистраль 13 отвода газов.

Предложенное выполнение аппарата по)О зволяст значителы(о упростить эксплуатацию его за счет облегчения демонтажа обору,(0!3!!!!1!11 II;3 аппарата, а также повысить

lfEl тсжиость работы аппарата за счет отка33 от ), cT31!01)êè ненадежных в работе I II()киi соединительных шлангов между мcT

poJjcTr3ox(отвода газов и стационарной маг: стра.tt>)o !гх отвода.

20 Формула изобретения

Источи)(ки информации, )!pl!I(JET!)0 во и!ItI Jяиис при экспертизе:

l. Л!)торс!сое свидетельство СССР

М 339х15, кл. Н 01! 7,(8. 1972.

2. Патент Японии Хо 49-9588, кл. 99(5)

В (5. (1. Кг!. В 01,! 17 32, опублик, 1974.

;3. Патент С(1(А М 3645230, кл, 1(8-49,), 0 ir уб л и к, 1972.

40 стройст 30 для осаждеш!я слоев из ! 3:30J3nJJ ((!331» содсрж3щсc ñ!)мcTJIч)lу!o камеру со средствами подачи и отвода га25:!! I!III три которойк,с)аксиально c IOJIT)rp()ияиы ш)следовательlro олин в другом во,ln(J !cJ3))3(!;Ic».(»)J и((дуктор, кварцевый колпак

И I!0. 1 IОЖ(СО, ICP)I>.(IТ(> 1!>, 0 1 II и 3 10 IЦ С (. с я тс м, что, с цслью у:!рощения эксплуата30 i(п >» I I! ОВ li! fc: itlr я 113.,cælrncòl! ря Ооть) 311I3p;l-.3, срс ICTJ)o отвода газа выполнено в

13!i,1С ОСС)30ГО С! .130ЗПОГО ИЯТРУОК3, !!РО. О, 1>I IICI I C i) CЗ и !33 P IJC131>I !1 i!n, 1 Н 3 К 131) "1 j) И 130.!Ос)хля)кдасмого JIJJ,Ióêòop3 I! сообн(яющс35 )ося с ряс)очей полостью камеры.

827621

i !

Составитель Н. Рудько

Техред Л. Куклина

Корректор И. Осиповская

Редактор Т. Глазова

Заказ 569/512 Изд. № 371 Тираж 354 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

I !

), 1

1

I 1/ 5

Устройство для осаждения слоевиз газовой фазы Устройство для осаждения слоевиз газовой фазы Устройство для осаждения слоевиз газовой фазы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению

Изобретение относится к конструкции реактора для осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев из газовой фазы, полученной смешиванием двух и более разнородных газов

Изобретение относится к устройствам для выращивания эпитаксиальных слоев соединений A3B5 хлоридно-гидридным методом и может быть использовано в полупроводниковой промышленности

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев

Изобретение относится к оборудованию для нанесения металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий и может найти практическое применение в полупроводниковой промышленности, обеспечивает повышение однородности толщины и структурно-чувствительных параметров пленки и снижение потерь испаряемого соединения/Устройство включает обогреваемый цилиндрический кварцевый реактор, установленный горизонтально, расположенные внутри него кювету для испаряемого соединения и подложку для осаждения пленок, средство для ввода в реактор газа-носителя и средство для вывода, соединенное с фильтром-ловушкой продуктов разложения
Наверх