Устройство для выращивания многослойных эпитаксиальных полупроводниковых структур

 

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев. Устройство содержит реактор, внутри которого размещены источники исходных компонентов и проточная камера роста. В проточной камере роста неподвижно установлен подложкодержатель. Камера роста соединена одним из источников с помощью поворотного коммутатора. Поворотный коммутатор обеспечивает подачу к подложке только тех газовых компонентов, которые необходимы для наращивания конкретного слоя. Исключается подача газового потока к подложке неконтролируемого состава. Выращены сверхрешетки арсенида галлия - фосфида галлия с толщиной переходного слоя не более 10 и периодом сверхрешеток 70 - 100 . 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к устройствам для эпитаксиального выращивания слоев из газовой фазы. Целью изобретения является уменьшение толщины переходных слоев. На чертеже представлено предлагаемое устройство, общий вид. Устройство содержит реактор 1, в котором неподвижно установлен подложкодержатель 2, размещенный в проточной камере 3 роста. В реакторе размещены источники 4 исходных компонентов, размещенных в трубках 5. Проточная камера 3 роста и источники 4 соединены с помощью поворотного коммутатора 6. Поворотный коммутатор 6 выполнен в виде Ч-образной трубки и установлен с возможностью соединения с одним из источником 4 при помощи средства 7 перемещения. Проточная камера 3 имеет входной 8 и выходной 9 патрубки. Вывод газа из реактора 1 осуществляют через патрубок 10. Для уменьшения влияния диффузии в источники 4, в трубки 5 и выходной патрубок 9 помещают вкладыши 11. Устройство работает следующим образом. Через трубки 5 к источникам 4 подают газовые потоки. При помощи поворотного коммутатора 6 газовые потоки с ростовыми и легирующими компонентами поступают через входной патрубок 8 в проточную камеру 3, где происходит осаждение слоя на подложке. Отработанные газы через патрубок 9 выводят из проточной камеры 3 в реактор 1. Из реактора 1 газы через патрубок 10 выводят в атмосферу. Поворотный коммутатор 6 обеспечивает подачу к подложкодержателю 2 только тех газовых компонентов, которые необходимы для выращивания конкретного слоя. Газовые потоки от источников 4, не соединенных с проточной камерой 3, поступают в реактор 1, а затем в атмосферу, что исключает подачу газового потока неконтролируемого состава к подложке. Выращивают сверхрешетки арсенида галлия - фосфида галлия с толщиной переходных слоев не более 10 и периодом сверхрешеток 70-100 A (56) G. Beuchet, M. Bonnet, P. Thebault, J. P. Duchemin, Hydride multibarrel reactors suitable for microwave and optoelectronic (Ga, In) (As, P) heterostructure growth. - J. Gryst. Growth, 1982, v. 57, N 2, рр. 379-386.

Формула изобретения

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР из газовой фазы, содержащее реактор, неподвижно установленный в нем подложкодержатель, источники исходных компонентов, каждый из которых соединен со средством ввода газов, и средство их вывода, отличающееся тем, что, с целью уменьшения толщины переходных слоев, устройство снабжено проточной камерой роста, в которой размещен подложкодержатель, при этом камера роста соединена с одним из источников поворотным коммутатором.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000        

---