Датчик влажности

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ИТИЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<и>822О 1 2 (61) Дополнительное к авт. свид-ву—

Р1 М 1 л 3 (22) Заявлено 140279 (21) 2726176/18-25 с присоединением заявки ¹

6 01 N 27/26

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет— (53) УДК 533. 275 (088. 8) Опубликовано 150481,Бюллетень No 14

Дата опубликования описания 150481 (72) Авторы изобретения

Г. Я. Бадинтер, В. М. Геллер, )0.0,Ëàïcêåð, Т.А,.Любчак, И.Г.Старуш, В.И.Шнайдерман и В.Л.Синьковская

{71) Заявитель (5 4) ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ

Изобретение относится к измерительной технике, а более конкретно к устройствам для измерения влажности газов .

Известно устройство для измерения влажности газов, включающее дв а электрода, расположенных раздельно на опоре, один из которых покрыт. слоем ионопроводяшего материала ) 11 .

Недостатком этого устройства явля-10 ется большая инерционность и габариты.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является датчик влажности, содержащий чувствительный элемент, выполненный из гиг- 15 роск опичес кой ткани, например с теклянного в олок на, пропитанного насыщенным раствором хлористого лития термочувствительный элемент и электроды в растворе хлористого лития (2J. 20

Недостатком известных датчиков являются также сравнительно большие габариты и инерционность, вызванные наличием кожуха, разделяющего чувствительную к влаге ткань и термометр 25 сопротивления.

Цель изобретения — уменьшение инерционности и габаритов. датчика.

Поставленная цель достигается тем; что в датчике влажности, содержащем 30 чувствительный элемент, выполненный из гигроскопической ткани, например стеклянного волокна, пропитанного насыщенным раствором хлористого лития, термочувствительный элемент и элек т роды в раств оре хлористого лития, термочув ствительный элемент выполнен в виде вплетенных в гигроскопическую ткань металлических нитей из термочувствительного материала в изоляции из химически стойкого к раствору хлористого лития материала.

Кроме того, с целью упрощения технологии изготовления датчика, в качестве. металлических нитей используется литой микропровод в ст KJIRH ной изоляции.

На чертеже изображен предлагаемый датчик влажности.

Датчик содержит электроды 1 из неизолиров анной пров олоки, к арк ас

2 из изоляционного материала, стеклянное волокно 3 из гигроскопического стекла, термочувствительную проволоку 4 в стеклянной изоляции, выводы

5 и 8 для термочувствительной проволоки, основание 6, выводы 7 и 9 для элеквтродов .

Датчик состоит из каркаса 2, изоляционного материала, прикрепленного

82201 2

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 1802/бб

Тираж 907 Подписное к основанию б. На каркас 2 намотаны переплетенные нити из стеклянного гигроскопического в олокна 3 и из термочув ст вительной пров олок и 4 в из ол яции из химически стойкого к хлористому литию материала, предпочтительно литого микропровода в стеклянной изо,ляции. Концы термочувстнительной проволоки 4 в изоляции крепятся к выводам 5 и 8,укрепленным на каркас 2.Поверх нитей 3 и 4 намотаны два электрода 1 иэ неизолированной проволоки, которые прикреплены к выводам 7 и 9, скрепленным с каркасом 2. Весь датчик в сборе пропитывается хлористым литием, в том числе и гигроскопическая ткань, образованная нитями 3 и 5

4, причем нити 4 вплетены в эту ткань.

При пропускании переменного тока через элеткроды 1 происходит нагрев хлористого лития до температуры его кристаллизации образов ание gQ кристаллов приводит к резкому увеличению сопротивления между электррдами 1, а следовательно, к снижению тока.и температуры датчика, Понижение температуры продолжается до тех пор пока вследствие поглощения влаги из окружающей среды, вновь не повысится проводимость раствора хлористого лития между электродами 1, что

I повлечет рост тока и повышение температуры датчика.

В датчике, таким образом возникает колебательный процесс регулирования температуры вблизи среднего ее значения, соответствующего влажности газовой среды, окружающей датчик.

Указанная температура измеряется термочувствительной проволокой 4.

Ис поль зов ание предлагаемого датчика целесообразно в технологических процессах и объек тах, в которых необходимо с малой инерционностью и достаточной точностью фиксировать изменения в лажнос ти газов, воздуха и др.

1. Датчик влажности, содержащий чувствительный элемент, выполненный из гигроскопической ткани, например стеклянного волокна, пропитанного насыщенным раствором хлористого лития, термочунствительный элемент и электроды в растворе хлористого лития, отличающийся тем, что, с целью уменьшения инерционности и габаритов датчика, термочувствительный элемент выполнен в виде вплетенных в гигроскопическую ткань металлических нитей из термочувствительного материала в изоляции из химически стойкого к растнору хлористого лития материала.

2. Датчик по и. 1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью упрощения технологии изготонления датчика, в качестне металлических нитей используется литой микропронод в стеклянной изоляции.

Источники информации, принятые но внимание при экспертизе

1. Патент Англии Р 1176507, кл. G 01 N 27/26, опублик 1965.

2. Берлинер М.А. Измерения влаж"йости М., Энергия, 197 3, с. 250251 (прототип) Филиал ППП "Патент", г.Ужгород,ул.Проектная,4

Датчик влажности Датчик влажности 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электрохимическим методам анализа с использованием ионоселективных электродов и может быть использовано для повышения чувствительности и селективности способа

Изобретение относится к электроаналитической химии, а именно к способу определения мышьяка (III), включающему концентрирование мышьяка на поверхности стеклоуглеродного электрода в растворе кислоты с последующей регистрацией аналитического сигнала, при этом концентрирование мышьяка (III) проводят на поверхности стеклоуглеродного электрода, покрытого золотом, в растворе до 3,0 M в интервале потенциалов -0,40-(-0,45)B в течение 1-10 мин с последующей регистрацией производной анодного тока по времени при линейной развертке потенциала

Изобретение относится к области электрохимии, электрохимических процессов и технологий в части измерения потенциала электродов под током, а именно к способу измерения потенциала рабочего электрода электрохимической ячейки под током, основанному на прерывании электрического тока, пропускаемого между рабочим и вспомогательным электродами, и измерении текущего потенциала рабочего электрода, при этом процесс измерения текущего потенциала Eизм рабочего электрода производят относительно электрода сравнения непрерывно по времени t, затем по измеренным значениям потенциала рассчитывают первую производную от зависимости изменения текущего потенциала рабочего электрода от времени: (t)=Eизм

Изобретение относится к способу получения активированных кислого и щелочного растворов, включающему электрохимическое разделение водного раствора электролита, при этом электрохимическому разделению подвергают мочу животных и/или человека
Изобретение относится к адсорбции компонентов, а именно к способу адсорбционного концентрирования необратимо адсорбирующихся на металлах соединений путем наложения электрического поля в электрохимической ячейке, при этом перед концентрированием проводят адсорбцию на жидкометаллическом электроде из раствора, содержащего адсорбируемые соединения, при интенсивном перемешивании и потенциале электрода, обеспечивающем необратимую адсорбцию, а концентрирование после отстаивания осуществляют путем сокращения поверхности электрода с необратимо адсорбируемыми соединениями при переводе электрода из ячейки в капилляр. Изобретение относится к анализу материалов с помощью оптических методов путем адсорбции компонентов
Изобретение относится к области аналитической химии, а именно к области аналитической электрохимии, и может быть использовано при определении свойств грунтов, горных пород, строительных материалов, а также свойств поверхностей раздела фаз

Изобретение относится к составу полупроводниковых материалов, используемых в адсорбционных сенсорах для обнаружения и количественной оценки концентрации низкомолекулярных органических соединений, преимущественно кетонов в выдыхаемом людьми воздухе, и к технологии изготовления таких полупроводниковых материалов
Наверх