Способ получения эпитаксиальных p-n-структур
Способ получения эпитаксиальных р-п-структур на основе полупроводников типа AIIIBV путем принудительного охлаждения раствора-расплава, легированного амфотерной примесью, включающий создание трех температурных зон, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью (1 - 5)
10-2 см/с вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции эпитаксильного наращивания, отличающийся тем, что, с целью получения резко-несимметричных р-п-переходов, улучшения качества структур и приборов на их основе, в первой зоне снижения температуры устанавливают градиент 2 - 10 град/см, по достижении температуры инверсии создают провал температуры на 15 - 30 град на участке 0,5 - 1,5 см, а далее устанавливают градиент снижения температуры 0,2 - 1,0 град/см.
