Способ получения эпитаксиальных структур (его варианты)

 

1. Способ получения эпитаксиальных а основе соединений типа A^IIIB^V жидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлий и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качестве, вводят второй раствор-расплав со скоростью, удовлетворяющей соотношению V=V_т/K(T₀+5+30), где V - скорость изменения соотношения концентрацией индия к галлию (I/с); V_т - скорость снижения температуры (град/с); K - 0,3-0,4; T₀ - температура инверсии амфотерной примеси в первом растворе-расплаве (K).

2. Способ получения эпитаксиальных структур на основе соединений типа A^IIIB^V жидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлия и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качества, вводят второй раствор-расплав со скоростью изменения соотношения концентраций индия к галлию в результирующем растворе-расплаве 0,01 - 0,1 I/с, а температуру в области роста устанавливают в диапазоне T₂ + ( 5 - 10) < T < T₁ - (5 - 10), где T₁, T₂ - температура инверсии амфотерной примеси, соответственно в первом и во втором растворе-расплаве, Т - температура в области роста.