Способ получения селективных эпитаксиальных структур

Авторы патента:

Способ получения селективных эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы, включающий перемещение подложки, контактирующей с узкой полоской расплава при принудительном снижении температуры, отличающийся тем, что, целью упрощения технологии получения многоэлементарных структур улучшения их качества, снижают температуру со скоростью 510^-3 - 10^-2 град/с, а скорость перемещения подложки устанавливают из соотношения V=D/L, где V - скорость перемещения подложки, мкм/с; D - коэффициент диффузии компонента, растворенного в расплаве, см²/с; L - линейный размер периода повторения (шага) структуры в направлении перемещения, см.

Способ получения эпитаксиальных p-n-структур // 880170

Способ обработки пластин арсенида галлия // 865057

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия // 830961

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа aiiibv // 826887

Способ получения полупроводниковых структур // 803747

Способ изготовления электролюминесцентных экранов // 795317

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа a iiibv // 786699

Способ получения эпитаксиальных структур // 776400

Способ получения p-n-переходов // 683399

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ эпитаксиального наращивания ограниченно растворимого амфифильного вещества // 2137250

Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии // 2297690

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии

Способ локальной жидкостной эпитаксии // 2072584

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Гетероструктура на основе арсенида - антимонида - висмутида индия и способ ее получения // 2035799

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)

Способ молекулярно-лучевой эпитаксии // 2038646

Способ получения структур с @ - @ -переходом на основе полупроводников типа @ // 928942

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы // 940603

Способ изготовления многослойных p-n структур соединений типа aiiibv // 990016

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках // 999872