Накопитель для запоминающего устройства

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ПАТЕНТУ

< >988200

Союз Советских

Социалистических ресттубпин (6! ) ДополнитеЛьный к патенту(51) NL. Ka. (22) Заявлено 11. 02.80 (21) 2878801/18-24 (05,06,79) (РСТ/US 79/00386) (23) Приоритет - (З2),12 06.78

6 11 С 11/14

Гааударатаеалмй каиитат

СССР (З1) 914959 (ЗЗ) СИ1А (53) УДК681, )27. .66(088,8) Опубликовано 07,01.83. Бюллетень М 1пв делам лааарателий и открытий

Дата опубликования описания 07. 01. 83 (72) Автор изобретения

Иностранец

Эндру Генри Бобек (США) Е,а

Иностранная фирма

"Вестерн Электрик ИНК" . (О11А) (7t) Заявитель (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычис".

ll яительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах {ЦИД). 5

Известен накопитель дпя запоминающего устройст ва, содержащйй магнито-. одноосную пленку,, на которой расположены токопроводящие проводники. В известном накопителе перемещение ЦИД то в магнитоодноосной пленке осуществляется путем подачи импульсов тока в соответствующие токопроводящие проводники (1 3.

Недостатком такого накопителя являетсяя сложность его и зготовления особенно при использовании пленок с .малым диаметром ЦИД.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является накопитель для запоминающего устройства, который содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположен первый электропроводящий слой с отверстиям . В этом накопителе нали" чие отверстий в зле ктропроводящем слое вызывает концентрацию токов в перемычках между отверстиями, что в свою очередь приводит к образованию локальных градиентных магнитных ю" лей для продвижения ЦИД. Отверстия расположены так, что их позиции не совпадают со стабильныи положениями ЦИД, в которые они перемещаются при отсутствии градиентов поля, вызванных током. Таким образом, двухфазная система питания приводит к движению ЦИД в одном направлейии(2).

Недостатками известного накопителя являются трудоемкость изготовле- . ния, требующая высокой точности при взаимном размещении стабильных положений ЦИД (имплантированных o6" пастей пленки) и отверстий в электропроводящем слое, относительно боль", шое потребление мощности от первичного источника питания и недостаточная надежность.

3 9882

Цель изобретения - упрощение и повышение надежности накопителя для . запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается пу тем того, что накопитель для запоминающего устрой ст ва содержит лоследовательно нанесенные на первый элекгропроводящий слой изолирующий слой и второй электропроводящий слой с от" верстиями, причем отверстия - во вто- 1ф ром электропроводящем слое смещены по отношению к соответствующим отверстиям в первом электропроводящем слое.

На фиг. 1 изображена принципиаль- 15 ная схема накопителя; на фиг. 2-4-от.дельные фрагменты накопителя; на фиг. 5-10 - иллюстрация отдельных аспектов работы предлагаемого накопителя ° 20

Накопитель для запоминающего,устройства (фиг. 1) содержит магнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первый электропроводящий слой 2 с отверстиями, изо gg лирующий слой 3 и второй электропроводящий слой 4 с отверстиями овальной формы. Отверстия 5 во втором . электропроводящем слое 4 смещены относительно соответствующих отверстий ,6 в первом электропроводящем слое 2 на одну четверть периода продвижения ЦМД (фиг. 2),Траектория продвижения ЦМД, изображенная извилистой линией 7 на фиг. 1 . определяется

35 взаимным расположением вышеуказанных отверстий 5 и 6 (фиг. 2). В качестве примера на фиг..3 показана в увели ченном виде последовател ьност ь расположения отверстий 5 и 6 для замк-40 нутой траектории продвижения ЦМД, включая повороты. Размещение. отверстия относительно связанного с ним отверстия в смежном электропроводящем слое определяет последовательность 4 градиентов поля и,.тем самым, точное движение ЦМД в каждый момент. От.носительное размещение может быть таково, что отверстия в каждой паре могут .быть смещены относительно друг

50 друга вдоль оси движения ЦМД, быть смещены в боковом направлении по отношению друг к другу или иметь как первое, так и второе смещение вместе.

Накопитель для запоминающего устройства работает следующим образом.

Ввод ЦМД в накопитель осуществля-. ется с помощью генератора 8 ЦМД, ОО 4 возбуждаемого с помощью источника 9 импульсов тока. Считывание ЦМД в накопителе осуществляется после их предварительного растяжения ромбовидным расширителе м 10 ЦМД с помощью тон копленочного магниторезистора 11, сигнап с которого подается на усилитель

12 считывания.

Продвижение ЦМД вдоль траектории 7 осуществляется путем подачи в электропроводящие слои 2 и 4 биполярных импульсов тока 3<, 3З и 3, 34 соответственно, которые накладываются друг на друга (фиг. 5). Направления протекания этих токов в слоях обозначены стрелками на фиг. 6. В результате протекания этих токов на краях отвер стий возникают локальные магнитные поля, которые притягивают ЦМД. При подаче указанной последовательности импульсов тока каждая пара смещенных отверстий, образующая период продвижения схемы, обеспечивает создание четырех устойчивых положений ЦМД

П„- П (фиг. 7). Сплошная и пунктирные линии на фиг. 7 показаны смещенными относительно друг друга только для целей наглядности. Таким образом, при подаче последовательности импульсов 3 - 34 ЦМД последовательно переходит из позиций П в позиции

П . Повторяющаяся подача указанной последовател ьности и мпул ьсов тока

3 - 34 приводит к последовательному продвижению ЦМД вдоль образованной отверстиями траектории продвижения ЦИД.

Очевидно, что изгибающиеся и имеющие форму замкнутой петли траектории движения ЦМД, как и прямые участки, ре ализуются путем соответствующего расположения отверстий в слоях 2 и 4 (фи r . 3). На фиг. 3 движение ЦМД происходит по часовой стрелке. Однако, изменяя последовательность подачи импульсов 3.1- 3 на обратную, можно вызвать движение ЦМД против часовой стрелки.

Еще более гибкие возможности изменения направления движения ЦМД проиллюстрированы на фиг. 8,;аде взаимное размещение отверстий (обозначенных вертикальными линиями) обеспечивает одновременное перемеще ние ЦМД вдоль осей Х и У, а также поворот на 90 . При подаче изображенной на фиг. 5 последовательности импульсов тока; .3<- 34 ЦМД на фиг.8

5 98820 перемещаются одновремейно снизу вверх по оси У и слева направо по оси Х, Форма напряжения питания РП и импульсов токов, а также схема подключения электропроводящих слоев . 5 изображены соответственно на фиг.9 и 10. Как показано на фиг. 10, слои

2 и 4 соединены друг о другом параллельно.и, соответственно, последовательно с конденсатором 13 и индук- ®В тивност ью .14, Такая-. схема обеспечива" ет переключение энергии между конденсатором и индуктивностью и создание прямоугольных импульсов тока в слоях, 15

Растяжение ЦИД перед считыванием., осуществляется с помощью расширителя

10 ЦИД, s котором применяются щели последовательно увеличивающейся дли- . ны, расположенные в слоях 2 и 4 попе- 20 рек траектории движения ЦИД. Продвижение домена в расширителе 10 осуществляется таким же образом, как- и на других участках траектории продвижения ЦИД. 2$

Практические испытания одного из вариантов предлагаемого устройства и оказали его работоспособность

0 6 на частотах до 1 ИГц. Выходной сигнап 2 мВ. Емкость накопителя составляла 10 бит.

Формула . изобретения

Накопитель для запоминающего устройства, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположен пер" вый- электропроводящий слой с отверстиями, о т л и чающий с я тем, что, с целью упрощения и повышения надежности, он содержит последовательно нанесенные на первый электропроводящий сбой изолирующий слой и второй электропроводящий слой с отверстиями, причем отверстия во втором электропроводящем слое смещены по отношению. к соответствующим отверстиям в первом электропроводящем слое °

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США М 3460116, кл. 340-174, опублик. 1971.

2. Патент США 1Г 4143419, кп. 340- l74, опублик. l981 (прототип),.