Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) (RU)
Изобретение относится к горнодобывающей промышленности и может быть использовано при подземной разработке рудных месторождений. Способ разработки месторождений полезных ископаемых включает проведение вскрывающих и подготовительных выработок, деление залежи на этажи, нарезку очистных блоков, очистную выемку руды, забойную сортировку отбитой горнорудной массы с выделением технологических потоков, закладку выработанного пространства некондиционной горнорудной массой, представленной хвостами забойной сортировки, выщелачивание ее растворами выщелачивающих реагентов и выдачу на поверхность кондиционной руды и продуктов.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов. Способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и контактов к ним.
Способ формирования полевых транзисторов // 2791268
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с силицидом молибдена с пониженным значением контактного сопротивления.
Изобретение относится к аналитической химии, в частности к способам люминесцентного определения тербия. Тербий переводят в люминесцирующее комплексное соединение с органическим реагентом (R) - офлоксацином.
Способ формирования полевых транзисторов // 2787299
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления оксинитрида кремния, устойчивого к дефектообразованию и воздействию горячих носителей.
Изобретение относится к ароматическим полиэфирам, в частности, к галогенсодержащим ароматическим полиэфиркетонам, которые могут быть использованы в качестве конструкционных и пленочных материалов в электронике, электротехнике, авиационной, космической, автомобильной и других отраслях промышленности.
Способ формирования силицида // 2786689
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования силицида включает электронно-лучевое нанесение палладия толщиной 50 нм в вакууме на кремниевую подложку и отжиг, при этом согласно изобретению нанесение осуществляют испарением, которое проводят в вакууме при давлении 1·10-5 Па с последующим воздействием пучка ионов Ar энергией 200 кэВ под углом 7° дозой 3·1016 см-2 и плотностью тока ионного пучка 1,5 мкА/см2 при температуре 50°С со скоростью роста 0,3 нм/с, а отжиг осуществляют при температуре 200°С в вакууме 1·10-3 Па в течение 10 мин.
Изобретение относится к аналитической химии, в частности к способам люминесцентного определения тербия, и может быть использовано для определения следовых количеств тербия при анализе высокочистых лантанидов.
Изобретение относится к аналитической химии, в частности к способам люминесцентного определения тербия. Тербий переводят в люминесцирующее комплексное соединение с органическим реагентом (R) - ципролетом.
Способ получения аппрета, аппретированный полиэфирэфиркетонный композит и способ его получения // 2769396
Изобретение может быть использовано для получения полимерных композиционных материалов. Способ получения аппрета для создания полиэфирэфиркетонных углеволокнистых полимерных композиционных материалов включает выделение растворимого аморфного полиэфирэфиркетона из промышленного полиэфирэфиркетона РЕЕК 450.
Изобретение относится к полимерным композиционным материалам и способу их получения, предназначенным для использования в качестве суперконструкционных полимерных материалов. Углеволокнистый полимерный композиционный материал содержит в качестве полимерной матрицы полиэфирэфиркетон, являющийся продуктом поликонденсации 1,4-диоксибензола и 4,4'-дифтордифенилкетона, а в качестве наполнителя используется состав, включающий компоненты: углеволокно в количестве 95-98 мас.%, аппретированное полиэфирэфиркетоном на основе 4,4'-диоксидифенилпропана и 4,4'-дифтордифенилкетона в количестве 2-5 мас.%, причем количество наполнителя в полимерной матрице составляет 10 мас.%.
Изобретение относится к применению диметилового эфира 4-хлорфталевой кислоты формулы в качестве пластификатора поливинилхлорида. Изобретение позволяет получать полимеры и композиты с повышенными значениями огне-, тепло- и термостойкости, сохраняющие хорошие диэлектрические свойства в широком интервале температур и частот, легко растворимые в обычных органических растворителях, и которые могут перерабатываться в изделия обычными технологическими методами.
Диглицидиловый эфир 4-хлорфталевой кислоты в качестве мономера для получения эпоксидных полимеров // 2757583
Изобретение относится к получению нового хлорсодержащего диэпоксида - ди[1,2-карбокси-(2,3-эпокси-пропан)]4-хлор-бензола в качестве мономера для синтеза эпоксидных полимеров. Диглицидиловый эфир 4-хлорфталевой кислоты имеет формулу: .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления мелкозалегающих переходов с пониженным значением токов утечек. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния п-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см наносится слой Тi 110 нм, затем проводится термообработка при температуре 950°С в течение 35 с в атмосфере азота для образования силицида, потом проводят легирование слоя силицида ионами бора имплантацией с энергией 50 кэВ, дозой 7,5*1015 см-2 и термообработку при температуре 900°С в течение 20 с, в атмосфере азота.
Ароматические сополиэфирсульфоны // 2752775
Изобретение относится к ароматическим полиэфирам, в частности к ненасыщенным галогенсодержащим ароматическим полиэфирсульфонам, которые могут быть использованы в качестве конструкционных и пленочных материалов в электронике, электротехнике, авиационной, космической, автомобильной и других отраслях промышленности.
Изобретение относится к электрохимическому способу получения карбида молибдена электролизом, согласно которому электролиз ведут в расплаве электролита, при следующем соотношении компонентов, моль %,: К2СО3 43,0 - 45,0, Na2CO3 43,0 - 45,0, Li2CO3 1,0 - 4,5, Li2MoO4 9,0-9,5, при температурах в интервале 1073-1173К и плотности тока 0,5÷3,0 А/см2.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Технология способа состоит в следующем: на кремниевой подложке 10 Ом*см (100), р-типа проводимости после обработки излучением галогенных ламп в Н2 при температуре 1000°С в течение 10 с формируют пленку оксидного слоя.
Способ изготовления силицида титана // 2751983
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления силицида титана с пониженным значением контактного сопротивления. Способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и электроды к ним, подзатворого диэлектрика и силицида титана, при этом согласно изобретению на подложках кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), с удельным сопротивлением 10 Ом*см формируют силицид титана путем осаждения пленки титана Тi толщиной 75 нм при давлении 3*10-6Па, температуре подложки 60°С, со скоростью роста 1 нм/с и последующей обработкой структур ионами Si с энергией 85 кэВ дозой 1*1015-1*1016 см-2, с низкотемпературным отжигом при температуре 650°С в течение 30 с в атмосфере азота N2 и с проведением высокотемпературного отжига при температуре 1050°С в течение 20 с в атмосфере азота N2.
Способ увеличения адгезии // 2751805
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии увеличения адгезии к полупроводниковой структуре. Техническим результатом является увеличение адгезии, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Способ получения 4-хлорфталевой кислоты // 2751514
Изобретение относится к способу получения 4-хлорфталевой кислоты в качестве мономера для синтеза поликонденсационных полимеров. Способ получения 4-хлорфталевой кислоты заключается в обработке 4-хлорфталевого ангидрида составом, представляющим собой смесь дистиллированной воды и триэтиламина при следующих соотношениях (мас.%) компонентов:
ХФА
66,4
Вода
33,2 ÷ 32,6
ТЭА
0,4 ÷ 1,0
Изобретение позволяет получать полиэфиримды, эпоксидные олигомеры, полимеры, термоотверждаемые полиэфиры с высокими значениями огне-, тепло- и термостойкости, сохраняющие хорошие диэлектрические характеристики в широком интервале температур и частот, хорошо растворимые в обычных органических растворителях.
Изобретение относится к получению нового хлорсодержащего органического соединения - ди(1,2-пропенилкарбоксилат)4-хлор-бензола в качестве мономера для синтеза термореактивных полимеров, а также к способу его получения.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования активных областей полевых транзисторов включает формирование активных областей полевого транзистора на кремниевой подложке n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см.
Люминесцентный способ определения тербия с метилэтиловым эфиром сульфосалициловой кислоты // 2747594
Использование: для люминесцентного определения тербия. Сущность изобретения заключается в том, что тербий переводят в люминесцирующее комплексное соединение с органическим реагентом (R) - метилэтиловый эфир сульфосалициловой кислоты.
Способ формирования оксинитрида кремния // 2747421
Способ формирования пленки оксинитрида кремния толщиной 50 нм на подложке кремния при температуре 380°С, давлении 133 Па, при потоке SiН4 – 390 см3/мин, N2О - 1300 см3/мин и NН3 -1200 см3/мин, с последующей термообработкой при температуре 850°С в течение 10 мин позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надёжность..
Изобретение относится к медицине, а именно к челюстно-лицевой хирургии. Намечают линии предстоящих разрезов в соответствии с размерами интактных зон лица.
Полимерный композит на основе полиэфирэфиркетона, армированного углеволокном, и способ его получения // 2743995
Изобретение относится к полимерным композиционным материалам, предназначенным в качестве суперконструкционных полимерных материалов, и способу их получения. Предложен полимерный композит на основе полиэфирэфиркетона, армированного аппретированным углеродным волокном, в котором в качестве полимерной матрицы используется полиэфирэфиркетон, содержащий 20 мас.% наполнителя, а в качестве наполнителя используется аппретированное дигалогендиарилкетоном - 4,4’-дихлордифенилкетоном углеволокно, состоящее из компонентов, в мас.%: углеволокно (96-98), 4,4’дихлордифенилкетон (2-4).
Биоразлагаемый материал // 2741986
Изобретение относится к области создания биоразлагаемых композиционных материалов, предназначенных для изготовления изоляционных оболочек металлических жил проводов, используемых в кабельной промышленности.
Изобретение относится к медицине, а именно к сердечно-сосудистой хирургии. Осуществляют выделение общей, поверхностной, глубокой артерий бедра, накладывают сосудистые зажимы на глубокую артерию бедра и одну из коленных артерий.
Использование: для изготовления полевого транзистора с пониженным значением токов утечек. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает формирование на пластинах кремния p-типа тонкого слоя оксида и слоя поликремния, при этом поликремний формируют со скоростью осаждения 8,5 нм/с при скорости потока газа-носителя аргона 2,7 см/с и скорости потока силана SiN4 1,0% от скорости потока газа-носителя при температуре подложки 800°С и последующей имплантацией ионами азота с энергией 12,5 кэВ и дозой 1*1017см-2 при температуре подложки 100°С и проведением отжига в атмосфере водорода в течение 15 минут при температуре 350°С.
Способ изготовления силицида никеля // 2734095
Использование: для создания силицида никеля. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления силицида никеля содержит осаждение пленки никеля Ni толщиной 30-50 нм в вакууме 3*10-6Па со скоростью роста 2 нм/с и последующей обработкой структур ионами ксенона Хе при температуре 175°С с энергией 300 кэВ, дозой 1*1015 см-2 и отжигом при температуре 240°С в течение 20 мин в атмосфере.
Электролитический способ получения наноразмерных порошков интерметаллидов лантана с кобальтом // 2661481
Изобретение относится к электролитическому способу получения наноразмерных порошков интерметаллидов лантана с кобальтом, включающему синтез интерметаллидов лантана с кобальтом из расплавленных сред в атмосфере очищенного и осушенного аргона при температуре 700°С.
Способ получения полимерной композиции // 2650965
Изобретение относится к области получения полимерных композиций с высокими механическими и термическими характеристиками. Полимерную композицию на основе полиэтилена высокой плотности стабилизируют циклогексилфосфонатом магния в количестве 0,1-4,0 мас.% путем механического смешения их.
Композиционный материал // 2646435
Изобретение относится к способу получения композиционного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена, модифицированного слоистосиликатным материалом, обладающего улучшенными прочностными и физико-механическими характеристиками, предназначенного в качестве суперконструкционных композиционных материалов для аддитивных 3D технологий.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры выращивание эпитаксиального слоя кремния проводят в процессе водородного восстановления SiCl4, со скоростью 0,7 мкм/мин, при температуре 1200°С с последующим легированием Ge до концентрации 1020-1021 см-3.
Изобретение относится к биотехнологии. Предложен способ культивирования микроводоросли Chlorella.
Изобретение относится к области гидрометаллургического синтеза высокочистых веществ, в частности вольфрамата свинца PbWO4, и может быть использовано при получении монокристаллов вольфрамата свинца, используемых в качестве сцинтилляторов для высокоточной электромагнитной калориметрии частиц высоких энергий.
Изобретение относится к области гидрометаллургического синтеза высокочистых веществ, в частности молибдата свинца PbMoO4, и может быть использовано при получении монокристаллов молибдата свинца, используемых в качестве сцинтилляторов для высокоточной электромагнитной калориметрии частиц высоких энергий.
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для изготовления биметаллических втулок и подшипников скольжения с антифрикционным слоем баббита. Способ включает изготовление стальной заготовки, покрытие ее внутренней поверхности флюсом, засыпку наплавочного материала, герметизацию заготовки с помощью двух технологических крышек, закрепление в центрах установки для биметаллизации, придание вращения заготовке, нагрев индукционным током высокой частоты, изотермическую выдержку и охлаждение.
Использование: для получения термоэлектрических материалов на основе теллурида свинца. Сущность изобретения заключается в том, что получение термоэлектрического материала для термоэлектрических генераторных устройств на основе теллурида свинца заданного свойства и состава производится сплавлением исходных компонентов шихты под флюсом в алундовом тигле при постоянном перемешивании путем воздействия акустическими волнами частотой 22-24 кГц и мощностью 400-600 Вт в течение 30-50 минут, температура синтеза которой составляет 880-910°С, после чего расплав выдерживается в течение 15-20 минут при температуре 900-930°С, затем охлаждается со скоростью 100-150 град/мин, после кристаллизации при температуре 600-700°С проводится гомогенизация сплава в течение 10-12 часов.
Изобретение относится к области изготовления биметаллических втулок и подшипников скольжения с антифрикционным покрытием. Способ включает изготовление стальной заготовки, засыпку в нее шихты, состоящей из стружки наплавленной антифрикционной бронзы, смешанной с флюсом, герметизацию заготовки с помощью двух технологических крышек, закрепление заготовки в центрах установки для биметаллизации, осуществление вращения заготовки с нагревом ее поверхности токами высокой частоты (ТВЧ) посредством индуктора ТВЧ до температуры плавления шихты, изотермическую выдержку и охлаждение, при этом в процессе нагрева и изотермической выдержки осуществляют продольное перемещение заготовки относительно индуктора ТВЧ, а время нагрева Т поверхности заготовки до упомянутой температуры задают в соответствии с выражением Т=245,6*ехр(-8,77*Q) сек, где Q - удельная мощность нагрева, кВт/см3.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводникового прибора, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования области эмиттера на подложке кремния разложением моносилана при температуре 650°С осаждают слой поликристаллического кремния толщиной 0,2 мкм со скоростью 10 нм/мин, с последующей термообработкой при температуре 1000-1100°С в течение 30 минут в потоке N2O-N2.
Способ получения нитрида кремния // 2629656
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения нитрида кремния. В способе получения нитрида кремния нитрид кремния формируют каталитическим парофазным химическим осаждением смеси гидразина (N2H4) и силана (SiH4) при температуре подложки 230-370°С, давлении SiH4 15-17,5 Па, скорости роста нитрида кремния 100 нм/мин и отношении парциальных давлений газообразных источников Р(N2H4+N2)/P(SiH4)=4-6.
Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковой структуры кремний на диэлектрике с низкой плотностью дефектов.
Изобретение относится к области химического производства, в частности к получению вольфрамовых бронз свинца, и может быть использовано для создания новой техники, изготовления анодов химических источников тока, катодов электролизных ванн, в качестве катализаторов в органическом синтезе, материалов для полупроводниковых диодов и датчиков давления.
Изобретение относится к технологии получения молибдата свинца (PbMoO4) в ионных расплавах, который может быть использован при изготовлении сцинтилляционных элементов, в лазерной технике, акустооптических модуляторах, дефлекторах, что обусловлено его высокими физическими и оптическими свойствами.
