Подготовка оригиналов для фотомеханического изготовления рельефных поверхностей или поверхностей с рисунком (G03F1)
G Физика(403185)
G03 Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография (воспроизведение изображений или образов путем развертки и преобразования в электрический сигнал H04N)
(10965)
G03F Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей (фотонаборные устройства B41B; светочувствительные материалы или процессы для фотографических целей G03C; электрография, чувствительные слои или процессы G03G)
(960)
G03F1 Подготовка оригиналов для фотомеханического изготовления рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком (фотомеханические процессы вообще G03F7)(91)
G03F1/02 - Путем фотографирования(26)
G03F1/04 - Путем фотомонтажа(9)
G03F1/08 - Оригиналы, имеющие неорганические слои для формирования изображения, например хромовые маски ( G03F1/12 имеет преимущество)(2)
Рентгеновская маска // 2785012
Использование: для создания микроструктур. Сущность изобретения заключается в том, что рентгеновская маска состоит из подложки, утонённой мембраны, топологического рисунка, нанесенного на утоненную мембрану, и знаков совмещения, при этом подложка, утонённая мембрана и знаки совмещения выполнены из одного материала лейкосапфира и представляют собой монолитную конструкцию, на мембрану нанесен тонкий металлический проводящий слой, на тыльную поверхность мембраны нанесен слой, преобразующий поглощенное тепло рентгеновского излучения в инфракрасное излучение.
Изобретение относится к области средств для детектирования ядерных излучений - твердотельных трековых детекторов (ТТД), конкретно представляет собой способ получения нитроцеллюлозного ТТД альфа-частиц, который широко используется в РФ и за рубежом для мониторинга природной радиоактивности, в частности в радоновых измерениях.
Изобретение относится к способам очистки подложки. Способ очистки подложки включает сканирование лазерным излучением поверхности с остатками, нагревая указанные поверхность и остатки.
Устройство для нанесения нагруженной ультрафиолетовым излучением жидкой среды на подложку // 2756470
Раскрыто устройство для нанесения нагруженной ультрафиолетовым излучением жидкой среды на подложку. Устройство (1) содержит корпус (114, 14) с вытянутой камерой (122, 22), по меньшей мере, одним впускным отверстием, которое расширяется в направлении камеры (122, 22), и с, по меньшей мере, одним расположенным против впускного отверстия, имеющим форму шлица выпускным отверстием (21), которое простирается на протяжении длины камеры (122, 22).
Изобретение относится к головке для обработки, системе для обработки и способу обработки локальной области поверхности подложки с использованием плазмы. Головка для обработки области поверхности подложки содержит корпус, имеющий основную поверхность, выполненную с возможностью размещения рядом с подлежащей обработке областью поверхности подложки и обращенную к этой области; вытяжное отверстие, выполненное в основной поверхности корпуса, способное соединяться с вытяжным устройством посредством канала для вытягивания газа, образованного по меньшей мере в части корпуса; радиационный нагреватель, размещенный в корпусе, предназначенный для испускания теплового излучения через отверстие для выхода излучения, выполненное в основной поверхности; источник плазмы, размещенный в корпусе, для выпуска струи плазмы через отверстие для выхода плазмы, выполненное в основной поверхности; выпускное отверстие в основной поверхности корпуса, способное соединяться с источником газа посредством газового канала, образованного по меньшей мере в части корпуса.
Изобретение относится к прибору и способу для очистки части площади подложки, в частности фотошаблона. Прибор содержит чистящую головку, имеющую нижнюю поверхность, выполненную с возможностью размещения над подлежащим очистке участком подложки и в непосредственной близости от него, причем нижняя поверхность имеет образованное в ней центральное отверстие, первую кольцеобразную канавку, окружающую центральное отверстие, и по меньшей мере вторую канавку, расположенную между первой кольцеобразной канавкой и центральным отверстием, причем первая кольцеобразная канавка соединена по текучей среде с первым отверстием, обеспечивающим соединение с внешним источником подачи, а вторая кольцеобразная канавка соединена по текучей среде со вторым отверстием, обеспечивающим соединение с внешним источником подачи, механизм подачи ленты, расположенный с возможностью подачи абразивной ленты к центральному отверстию в нижней поверхности чистящей головки, так что часть абразивной ленты выступает из центрального отверстия, и трубопровод для жидкой среды, имеющий выход, предназначенный для подачи жидкости к тыльной стороне абразивной ленты в центральном отверстии или вблизи него.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии формирования GaN транзисторов различного назначения (мощных и СВЧ транзисторов) и, в частности, к созданию термостабильных меток совмещения, подходящих для электронной литографии и фотолитографии.
Способ относится к оптическому приборостроению и может быть использован для создания дифракционных оптических элементов видимого и ультрафиолетового диапазона - линз Френеля, корректоров и др. Способ изготовления фазовых дифракционных решеток, микроструктур и контактных масок включает в себя магнетронное осаждение пленки молибдена на поверхность диэлектрической подложки, формирование топологического рисунка оптического элемента с последующей выдержкой в муфельной печи при температуре 500°С в течение 0,5-3,5 мин.
Устройство для нанесения жидкой среды, подвергаемой ультрафиолетовому облучению, на подложку // 2680059
Изобретение относится к устройству для нанесения жидкой среды, подвергаемой ультрафиолетовому облучению, на подложку. Устройство содержит: кожух, имеющий продолговатую камеру, по меньшей мере одно впускное отверстие, которое открыто в камеру, и по меньшей мере одно щелевое выпускное отверстие, противоположное впускному отверстию, которое проходит по длине камеры.
Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур // 2580901
Изобретение относится к области лазерной обработки материалов и касается способа и устройства для изготовления масок и диафрагм лазерной установки для создания микроструктур на поверхности твердого тела.
Изобретение относится к области литографии и касается способов изготовления снабженной нанорисунком цилиндрической фотомаски. Способ включает нанесение слоя эластомерного материала на прозрачный цилиндр с последующим формированием на эластомерном материале элементов рисунка размером от 1 нм до 100 мкм.
Способ контроля ширины элементов топологии // 2533097
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для проверки топологии фотошаблонов, печатных плат, микросхем на наличие дефектов. Техническим результатом является повышение точности контроля ширины элементов и изоляционных промежутков.
Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии изготовления акустоэлектронных устройств на поверхностных и объемных акустических волнах.
Изобретение относится к стеклянным подложкам большого диаметра, пригодным для формирования подложек фотошаблонов стороны матрицы и стороны цветного фильтра в жидкокристаллических панелях на тонкопленочных транзисторах.
Способ получения фотошаблонных заготовок // 2319189
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к фотошаблонным заготовкам, предназначенным для получения шаблонов с последующей передачей рисунка микроизображения на полупроводниковую пластину при изготовлении интегральных схем.
Фотошаблонная заготовка // 2206115
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к фотошаблонным заготовкам, являющимся исходным материалом для получения шаблонов. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для формирования маскирующего слоя и устранения прозрачных дефектов фотошаблонов в производстве полупроводниковых приборов, интегральных микросхем (ИМС) и устройств функциональной электроники (УФЭ) высокой степени интеграции.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для устранения прозрачных дефектов типа "прокол" в маскирующем покрытии фотошаблонов (ФШ) в производстве полупроводниковых приборов, интегральных микросхем и устройств функциональной электроники.
Способ изготовления хромовых шаблонов // 1577555
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Способ получения рисунка шаблона // 1353142
Изобретение относится к области микроэлектроники. .
Способ получения рисунка фотошаблона // 1314881
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении фотошаблонов Цель изобретения - увеличение тиражеаойкости фотошаблона На аеклянную подложку наносят слой органического материала - полиглицидилметакрилата с этилакрилатом толщиной от 1 до 4 мкм и облучают его ультрафиолетовым облучением в вакууме не ниже 1,3 Па Затем обрабатывают подложку в ацетоне в течение 3 мин сушат при температуре 80°С в течение 30 мин и напыляют пленку А1 толщиной 80-120 мкм.
Способ получения рисунка фотошаблона // 1308111
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при литографических операциях Цель изобретения - повышение тиражеетойкости фотошаблона На стеклянную подложку наносят слой полиимида, а затем слой As Se толщиной 100 - 300 нм состава X 1-X 0.2 х 0.5 и слой Ag толщиной 15 - 20 нм.
Способ регенерации заготовки фотошаблона // 1306402
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении эмульсионных фотошаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных схем повышенной степени интеграции методом обращения.
Фотошаблон и способ его изготовления // 1026564
Изобретение относится к полупроводниковой технике и микроэлектронике, а конкретно к разработке и изготовлению высокоразрешающих фотошаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных схем. .
Способ изготовления сеткотрафаретов // 836617
Устройство наборной диафрагмы // 708290
Фотоповторитель // 680466
