Хинондиазиды (G03F7/022)

G Физика(403185)

G03 Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография (воспроизведение изображений или образов путем развертки и преобразования в электрический сигнал H04N) (10965)

G03F Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей (фотонаборные устройства B41B; светочувствительные материалы или процессы для фотографических целей G03C; электрография, чувствительные слои или процессы G03G) (960)

G03F7 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей (использующие фоторезистные структуры для специальных процессов см. соответствующие подклассы, например B44C,H01L, а также рубрики, например H01L21,H05K) (566)

G03F7/022 Хинондиазиды ( G03F7/075 имеет преимущество)(11)

Способ взрывной фотолитографии // 2610843

Изобретение относится к взрывной фотолитографической технологии и может быть использовано, когда получение рабочего рисунка из активного материала (металла или полупроводника) методами избирательного химического или плазмохимического травления через фоторезистную маску затруднено или нецелесообразно в связи с повышенной химической стойкостью к травлению активного материала.

Способ получения позитивного фоторезиста // 2427016

Изобретение относится к фотолитографическим процессам по формированию на функциональной поверхности подложки с помощью фоторезистов рельефного покрытия заданной конфигурации для получения изображения рисунков при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике.

Способ получения термостойкого позитивного фоторезиста // 2379731

Изобретение относится к способу получения термостойкого позитивного фоторезиста, который используется в качестве защитного покрытия и межслойной изоляции в многоуровневых электронных приборах и устройствах.

Сульфоэфир 1,2-нафтохинондиазида и оксибензоилбензофенона в качестве светочувствительного компонента позитивного фоторезиста // 1825362

// 403207

Светочувствительный негативный состав // 398916

Светочувствительный материал // 342378

Способ изготовления светочувствительного материала для получения репродукций // 250057

// 240571

Способ получения светочувствительного // 221589

Способ получения светочувствительных слоев // 213576