Светочувствительный негативный состав

 

«т

Фт ri„„-.

ОПИСАНИЕ

ИЗОЕЕЕт ЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 14.II.1972 (№ 1?48530/26-9) с присоединением заявки №

03с 1 52

05! 3,00

Приоритет

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий

Опубликовано 27.1Х.1973. Б«оллетень X 38

Дата опубликования описания 1.1I.1974.531:621.396.6.

9.75.002 (088.8) Авторы изобретения Л. С. Эфрос, Т. А. Юрре, Л. К. Сыркина и И. С. Короткова

Заявитель

СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЪ|Й НЕГАТИВНЪ|Й СОСТАВ

Изобретение относится к технолопш получения межслойной изоляции, например «лсночных СВЧ-микросхем, больших интегральных схем, больших интегральных гибридных функциональных узлов, с помощью органических светочувствительных слоев.

Известен светочувствительный негативный состав для межслойной изоляции, например, в микросхемах, содержащий светочувствительную компоненту азидного типа и полимерную составляющую на основе полиизопргнового циклокаучука.

Однако известный негативный состав обладает недостаточной электрической про|«ность«0 и большой диэлектрической проницаемостью.

С целью «овышения элсктри «еской «рочности и уменьшения диэлектрической проницаемости в предлагаемом светочувств«тельном негативном составе в качестве полимерной составляющей использован эпоксидированный полиизопреновый циклокаучук с содержанием эпоксидпых групп в пределах от 3 5 до 8,0%.

Эпоксидная группа азидосодержащег0 1тoлиизопренового э«оксидированного пиклокаучука обеспечивает образование плотно сшитого полимера, «густота» пространственнойй сетки которого в 3 разя !Iлотнсе «густсты» пространственной сетки азидосодержящего состава на основе фенольного циклокаучука, который может образовывать над.жную межслойную «золян«по микросхем.

Пре чля гясмый свсточувс I витсльш,« и негативный сосГBB 110, 1т|1яют след| юп1пм ОоразОм.

Сначала готовят состяB, содержащий по,шизопреновый э«окс«дировапныи ц«клокаучук и диазид.

LIHK."10««Bi -1 | li B 1:0 ««I D«CC I Bc 50 «13яс гв013я«от в 500 мл бензоля при 80"-С. постепенно приOаB. IIIIOT B <1сг0 80 3«л I«ад | ксмсно«1 (3 — 3,5%). Выдсрживают при этой температуре в тсчснпс 1 час и медленно выливают реакционную массу в 1500 мl ацетона. Полимер выл ядаст B виде тянущихся ни гс«11, сг0 переносят 13 200 мл этилового с«прга и растирают в ступке или шаровой мельнице.

Эпоксид«13ова«п«ы« 1 циклокаучук отфильтровывают 1«В воро«кс Бюх«сра, снова растворяют в бе«золе, обраоilTûBяют сначала в

1500 мл яцс.-оня, а потом в 150 мл эгян|,ля, растирают в с«упке или в шаговой мелы«ицс, отфильтр в «Bain I и сушат вначале нз возд| \«-, я зятем з с| пшльном шкаф| .

В«лход — 42 — 13 г, содержание эпоксидного кислорода — 4,2 ;о.

Из 1«; л| ц нного э«окс«дировянног0 цп .локя, чука готовя г с«30T() Ix âc ãBII! B, .h««ûé сос гав, pBCTBOpB II 10 г )IIOKC«i3«lpOBBIIIIOI О циклокя; чука 1 0,5 г 2,6-бис- (4-азидобснзидсн) -4

Зо мстилциклсгсксонона в 100 мл-M-ксилола.

398916

СВСТО|li BCTBJJTC 71iIIbll1 нсгативньп! д:!я мсжслОЙнОЙ изоляции, например, В никросхемах, содержащий светочувствительную компоненту азидного типа и полимерную составляющую на основе полиизонрсHGBof циклокаучука, отли !а!О!!!ийся тем, что, с це;Iь|0 ИОВышсния элсктр11чссеой Ilpo JHocTH и умсньшсния дпэ;!сктри-1сскоЙ IfpoHJlliBcifocTf! сОстаВа, В ка !ествс полимерной сос ав. !я!ОЩСЙ использован эпоксидированный полиизопреновый цпклокаучук с содержанием эпоксидных групп в пределах от 3,5 до 8,0зе.

Составитель Э. Гилинская

Тсхред Л. Богданова

Редактор Т. Морозова

Корректорь1: А. Николаева и Л. Корогод

Заказ 118i7 Изд. _#_) 999

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобрстеннй и

Москва, Ж-35, Раугиская

Типография, пр. Сапунова, 2

Раствор (ри,тьтррот, наносят на подложку микросхемы цснтрифугированисм и сушат при

/Π— !5 С в Tc fcf:ifc 10 )1;!f1 Слой фО)орсзиста толщиной 1 — 1,2 мкм экспонируют под p JiTно-кварцсвой лампой, нрсдваритслы1о совместиВ изображение на подложке с изооражеиисм на фотошаблоне. Изображение проявля1от последовательно в трех порция(смеси толуола с ксилолом в соотношении 1: 1. 1(,Опию. сначала сушат при комнатной т !Иературе в течение 5 мин, затем прп 100 C ь течение 15 мин. Слой проходит Окончательную полимсризацию при световом задубливании под ртутно-кварцевой ла Il)GA в течснис 20 мин.

Предмет изобретения

Тираж 523 Подписное

Совета Министров СССР открытий наб., д. 4!5

Светочувствительный негативный состав Светочувствительный негативный состав 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к способу получения термостойкого позитивного фоторезиста, который используется в качестве защитного покрытия и межслойной изоляции в многоуровневых электронных приборах и устройствах

Изобретение относится к фотолитографическим процессам по формированию на функциональной поверхности подложки с помощью фоторезистов рельефного покрытия заданной конфигурации для получения изображения рисунков при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике

 // 403207

Изобретение относится к взрывной фотолитографической технологии и может быть использовано, когда получение рабочего рисунка из активного материала (металла или полупроводника) методами избирательного химического или плазмохимического травления через фоторезистную маску затруднено или нецелесообразно в связи с повышенной химической стойкостью к травлению активного материала. Предложен способ взрывной литографии, включающий нанесение на подложку слоя полимерного фоторезиста и его сушку, избирательное облучение слоя фоторезиста, получение путем проявления и сушки резистной маски с изображением, обратным по отношению к рабочему рисунку, нанесение в высокотемпературных условиях на всю поверхность подложки и сформированной на ней резистной маски слоя активного материала с последующим удалением резистной маски с нанесенным на нее слоем активного материала, путем растворения полимерного фоторезиста, расположенного под слоем активного материала, причем растворение полимерного фоторезиста сопровождается его набуханием и образованием рабочего рисунка из оставшегося нанесенного на поверхность подложки слоя активного материала. Для обеспечения высокотемпературной формостойкости и термостойкости резистной маски в исходный полимерный фоторезист, изготовленный из фенолформальдегидной смолы и производного ортонафтохинондиазида, вводят добавку полигидроксилсодержащего соединения, выбранного из глицерина и полиэтиленгликоля с молекулярной массой от 380 до 650 единиц, в количестве 1-11% от массы производного ортонафтохинондиазида. Технический результат - повышение эффективности взрывной фотолитографии за счет повышения ее технологичности. 2 з.п. ф-лы, 10 табл., 2 пр.

Изобретение относится к электролитическим способам изготовления печатных схем и заключается в избирательном электрохимическом травлении фольгированного диэлектрика при его движении относительно линейного секционного электрод-инструмента
Наверх