Способ записи информации в запоминающую матрицу из магнитоодноосного материала

 

СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ а ЗАПСЖИНАЮЩУЮ МАТРИЦУ ИЗ МАГНИТООДНООСНОГО МАТЕРИАЛА, основанный на возбуждении доменов обратной намагниченности в областях между парами взаимноортогрнгшьных шин строк и шин столбцов и прследуицем смещении доменов обратной намагниченности в заданные области матрицы, о т л и чаю1аийся тем, что, с целью уменьшения времени записи информации , возбуждение домеиов обратной намагниченности в областях между парами взаимиоортогоигшышх шин строк и шин столбцов осуществляют одновременной подачей импульсов тока в каждую вторую пару шиИ столбцов, ,а последующее смещение доменов обрат ной намагниченности в заданные облаоти матрицы осуществляют подачей в щ шины строк импульсов тока вдвое меньшей ампли туды.

<Ю 01) СОе3 СОВЕТСНИХ

0@9

1%СПУБЛИН ущ) 0 11 С .11/02

ГОСУЯАРСТНЕННЫЙ ЙОМИТЕТ СССР

По ДЕЛАМ ИЗОТ-т Н4й И отН ЫтИй

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСНОИМ СВ ЩВТВЛЬСТВ\({ 21 ) 345 3640/1 8-24 (22) 10.06.82 (46) 07.11 ° 83. Бюл. 9 41 (72) А.С. Болдырев, A.A. Крупский, А.С. Самичев и М.И. Чельдиев (53) 681.327(088.8) (56) 1. Червоненкис А.Я., Балбашов A.Ì. Использование магнитооптических материалов в микроэлектронике. - Доменные и магнитооптические запоминающие устройства. М., "Наука", 1977, с. 209-224 °

2. Балбашов A.È., Червоненкис A.ß,, Магнитные материалы для микроэлектроники. М., "Энергия", 1979. с. 128, 129 (прототип). (54),(57) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ Ь ЗАПОМИНИИЦУ10 МАТРИЦУ ИЗ МАГНИТО»

ОДНООСНОГО МАТЕРИАЛА, основанный на возбуждении доменов обратной намагниченности в областях между пара» ми вэанмноортогональных шин строк и шин столбцов н последующем смецении доменов обратной намагниченности в заданные области матрицы, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью уменьшения времени записи инфорча« ции, возбуждение доменов обратной намагниченности и областях между парами взаимиоортогоиалъных шин строк и шин столбцов осуществляют одновременной подачей импульсов тока в каждую вторую пару шин столбцов, а последумщее сМещение доменов обрат. ной намагниченности в заданные облао. .ти матрицы осуществляют подачей в шины строк импульсов тока вдвое меньшей амплитуды.

105316О

Таким обр- зом, для записи и кформации во всей матрице необходимо время, намного меньшее времени записи информации известным спосббом. ираж 594 Подписное город,ул.Проектная, Изобретение относится к вычисли- тельной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах.

Известен способ записи информации в запоминающую матрицу, выполненную на пластине высококоэрцитивного магнитоодноосного материала, заключающийся в том, что в выбранные пары вэаимноортогональных токовых шин, выполненных н виде днухпроводных 10 петель, подают пары импульеон тока, создающие внутри .этих петель напряженность магнитного поля, не превышающую коэрцитивность материала, а в месте пересечения петель - больше 15 коэрцитивности материала, что приводит к переключению направления, намагниченности ячейки материала, охваченной выбранными ортогональными петлями. Перемагничинание ячеек 20 матрицы происходит путем зарождения доменов обратной намагниченности с их последующим разрастанием до размеров ячейки. Для реализации этого способа магнитоодноосный материал должен содержать большое число микронеоднородностей, приводящих к локальному снижению поля одкоосной аниэотропии до величины коэрци:тивности материала, что необходимо

1для зарождения доменов Обратной намагниченности (1J .

Недостатком этого способа явля- ° ется низкая надежность, обусловленная невозможностью получения микронеоднородностей с одинаковыми пара- З5 метра ли.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ, заключающийся в том, что переключение ячеек матрицы (запись ин- g0 формации) происходит путем движения доменной стенки от домена обрат- . ной намагниченности из соседней ячейки в выбранную под действие<л импульсов тока, амплитуда которых определяется как и в предыдущем способе. Запись информации в такой матрице осуществляется последовательно, начиная от ячеек, расположенных на краю латрицы, в глубь матрицы. Домены обратной намагниченности для переключения крайних ячеек берутся от края магнитоодноосного материала, где всегда имеется магнитная неоднородность, обеспечивая зарождение домена обратной намагниченности (2).55

Недостатком известного способа является низкое быстродействие,обусловленное последовательным движением стенки домена обратной намагниченности or края магнитоодноосной 60 пластины, в глубь матрицы.

Целью изобретения является уменьшение времени записи информации н матрицу.

I ЗНИИПИ Заказ 8882/50 Т

Филиал ППП Патент, r.Óæ

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу записи и формации н запоминающую матрицу из магнитоодноосного материала, основанному на возбуждении доменов обратной намагниченности в областях между парами взаимноортогокальных шик строк и шик столбцов и последующем смещении даменов обратной намагниченности в заданные области матрицы, возбуждение даменов обратной намагниченности в областях между парами взаимноортогональных шин строк и шин столбцов осуществляют одновременной подачей импульсов тбка н каждую нторую пару шик стоЛбцов, а последующее смещение доменов обратной намагниченности н заданные области матрицы осуществляют подачей н шины строк импульсов тока вдвое меньшей амплитуды.

На первом этапе записи информации во нсе стобцы матрицы через один подают импульсы тока с амплитудой, в дна раза больше амплитулы импульсон, способных переключить одну ячейку при совпадении.

Импульсы такой амплитуды создают напряженность магнитного поля внутри этих столбцов выше коэрцитинности материала и, следовательно, переключают нсе ячейки. указанных столбцов в одно определенное направление ("нулевое"), обусловленное полярностью импульсон тока. Одновременно в столбцах, расположенных между ныбранными, возникает под действием подаваемых поток напряженность магнитного поля, равная напряженности внутри выбранных столбцов, но противоположная по направлению. Поскольку напрях<енность возникшего поля превышает козрцитивкость материала,нсе ячейки в невыбранкых столбцах переключаются в одном направлении ("еди-, ничном")„ обратном направлению камаг нлченности ячеек в выбранных столбцах. Таким образом, после первого этапа записи рядом с любой запоминающей ячейкой имеются ячейки,содержащие области как с "единичной", так и с "нулевой" намагниченностью. Следовательно, для записи информации в любую ячейку матрицы достаточно подать в соответствующие петли, охватывающие эту ячейку, всего пару импульсон, создающих внутри этих петель напряженность магнитного поля меньше коэрцитивности материала, а н месте пересечения петель-больше коэрцитинности материала.