Способ изготовления сегнетокерамической мишени

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий синтез шихты сегнетокерамических компонентов, измельчение, формовку и обжиг полученной заготовки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени путем снижения содержания загрязнений, синтез проводят расплавлением шихты лучистым нагревом с одновременным перемешиванием расплава, а измельчение осуществляют термоударом.

Изобретение относится к способам получения керамических мишеней для нанесения покрытий в вакууме катодным распылением и может быть использовано при изготовлении пленочных интегральных схем с сегнетоэлектрическими элементами. Известен способ изготовления сегнетокерамической мишени, включающий формовку смоченной водным раствором поливинилового спирта шихты гранулированных компонентов, очистку поверхности отформованной заготовки от частиц материала пресс-формы и синтез заготовки путем обжига при температуре спекания гранулированных компонентов. Способ обеспечивает небольшой срок службы мишени из-за низкой ее термостойкости. Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ изготовления сегнетокерамической мишени, включающий синтез шихты сегнетокерамических гранулированных компонентов, предварительно смешанных со связующим веществом и отформованных путем обжига при температуре спекания гранулированных компонентов, измельчение механическим дроблением, формовку и обжиг полученной заготовки. Однако данный способ изготовления сегнетокерамических мишеней не обеспечивает достаточно их качества, так как в материале мишеней появляются структурные нарушения из-за дефицита кислорода по толщине заготовки при обжиге и низких температур при обжиге в электропечах. Дефицит кислорода совместно с недостаточными температурами обжига приводит, например, при синтезе компонентов из титаната бария к появлению в образцах не только метатитаната бария (BaТiО3), но и его модификации (например, Ba2ТiO4, BaТi3O7, BaТi4О9 и др.), так как в этом случае затрудняется прохождение диффузии кислорода и термохимических реакций по толщине заготовки. Измельчение материала заготовки, синтезированной при температуре спекания гранулированной керамики, приводит также к заметному загрязнению мишеней материалом дробящих и мелющих элементов, что в конечном итоге снижает качество мишеней, уменьшая их диэлектрическую проницаемость, из-за указанных загрязнений. Цель изобретения повышение качества мишени путем снижения содержания загрязнений, достигается тем, что в способе изготовления сегнетокерамической мишени, включающем синтез шихты сегнетокерамических компонентов, измельчение, формовку и обжиг полученной заготовки, синтез проводят расплавлением шихты лучистым нагревом с одновременным перемешиванием расплава, а измельчение осуществляют термоударом. Качество сегнетокерамической мишени повышается благодаря тому, что во время расплавления во вращающемся открытом тигле в гелиоустановке сегнетокерамических компонентов они достаточно насыщаются кислородом воздуха, кроме того, под воздействием стимулирующего концентрированного теплового потока и облегченных условий для прохождения диффузии и термохимических реакций в перемешивающемся расплаве образуется метатитанат бария без каких-либо иных модификаций и стеклофаз. Измельчение термоударом обеспечивает получение необходимых фракций сегнетоматериала без внесения загрязнений. Внесение примесей в предлагаемом способе сокращается также вследствие исключения ряда предварительных операций, которые в известном способе необходимо выполнять до первой формовки мишени (смешивание со связкой шихты исходных компонентов, гранулирование, формовка брикетов, очистка поверхности брикетов). П р и м е р. Изготавливают сегнетокерамическую мишень из титаната бария. Исходную шихту компонентов карбоната бария и двуокиси титаната засыпают в тигель гелиоустановки и облучают тепловым потоком. При этом тигель вращают со скоростью 50-60 об/мин и в течение нескольких минут доводят шихту до расплава (20 см3 шихты расплавляется за 5 мин). Затем расплав выливают в воду, нанося тем самым термоудар, измельчающий сегнетоматериал, так как снижение температуры в этом случае происходит со скоростью 200-300 град/с. В измельченный материал добавляют 3-5% связующего вещества (водный 5%-ный раствор поливинилового спирта) и формуют мишень при давлении 100-1200 МН/м2. Отформованную мишень обжигают с выдержкой при температуре 1400-1450оС в течение 2 ч. Опробование способа проведено на солнечной печи типа СГУ-4 мощностью 1,5 кВт Крымской гелиотехнической базы института проблем материаловедения АН УССР. Пленки, напыленные обычным катодным распылением в окислительной среде из сегнетокерамических мишеней, полученных способом по прототипу, имеют диэлектрическую проницаемость 1200, в то время как пленки, напыленные в тех же режимах и в том же катодном устройстве из сегнетокерамических мишеней, изготовленных по предлагаемому способу, обладает диэлектрической проницаемостью 1600. Таким образом, предлагаемый способ позволяет повысить диэлектрическую проницаемость пленочных образцов в 1,3 раза, путем повышения качества мишеней. Кроме того, способ не только приводит к экономии энергетических ресурсов путем замены на дешевый источник нагрева, но и обеспечивает повышение производительности сокращая время, затрачиваемое на синтез и измельчение материала.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий синтез шихты сегнетокерамических компонентов, измельчение, формовку и обжиг полученной заготовки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени путем снижения содержания загрязнений, синтез проводят расплавлением шихты лучистым нагревом с одновременным перемешиванием расплава, а измельчение осуществляют термоударом.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано для загрузки и выгрузки изделий в вакуумных установках со шлюзовыми системами и устройствами нанесения покрытий

Изобретение относится к системам ультравысокого вакуума для обработки полупроводникового изделия, к геттерным насосам, используемым в них, и к способу обработки полупроводникового изделия

Изобретение относится к области нанесения покрытий, различных по назначению и составу, и может быть использовано в машиностроении, электронной, электротехнической, медицинской и других отраслях промышленности

Изобретение относится к технологии вакуумно-дуговой обработки металлов, в частности к производству многослойных лент
Изобретение относится к изготовлению приборов оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов и затворов полупроводниковых структур типа металл-диэлектрик-полупроводник

Изобретение относится к области изготовления самонесущих тонких пленок, в частности, к способам и устройствам для получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги, используемых для окон при регистрации низкоэнергетических излучений, и может найти применение в прикладной физике, машиностроении, при обработке металлов и в других отраслях промышленности

Изобретение относится к промышленному транспорту, в частности к устройству для непрерывной загрузки емкостей, например пластиковых бутылок

Изобретение относится к области нанесения покрытий и может быть использовано в машиностроении, электронной, электротехнической, медицинской и других отраслях промышленности

Изобретение относится к геттерной системе для очистки газовой рабочей атмосферы в процессах физического осаждения из паровой фазы
Наверх