Элемент памяти

 

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий тиристор, катод которого соединен с шиной выборки, транзистор записи, коллектор которого соединен с и -базой тиристора диод, катод которого соединен с м-базой тиристора, а анод - с шиной записи-считывания, отличающийся тем, что,., с целью повышения надежности элемента памяти, в него введен ключевой транзистор, эмиттер которого подключен к адресной шине, база соединена с ц -базой, а коллектор - с анодом тиристора, эмиттер транзистора записи соединен с шиной выборки, а база - с ДО1ЮЛнительной шиной записи. (Л эо о со 00

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН () 9) (11) Рц4 (* )1 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГГИЙ (21) 3492931/24-24 (22) 24.09.82 (46) 23.09.85. Бюл. Р 35 (72) М. О. Ботвиник, Ю. Н. Еремин и Ю. И. Куэовлев (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

No 377881, кл. 6 11 С 11/34, 1973.

Авторское свидетельство СССР

Р 888207, кл. 6 11 С ll/40, 1981. (54) (57) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий тиристор, катод которого соединен с шиной выборки, транзистор записи, коллектор которого соединен с л -базой тиристора, диод, катод которого соединен с п-базой тиристора, а анод — с шиной записи-считывания, о тл и ч а ю шийся тем, что,... с делью повышения надежности элемента памяти, в него введен ключевой транзистор, ð которого подключен к адресной шине, база соединена с и-базой, а коллектор — с анодом тиристора, эмиттер транзистора записи соединен с шиной выборки, а база — с дополнительной шиной записи.

1180981

Составитель А. Дерюгин Редактор Л. Коссей Техред Л.Микеш . Корректор Л. Бескид

Заказ 5934/52 Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, }К.35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике н может быть использовано для построения. запоминающих устройств.

Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти эа счет, исклю- S чеиия самопроизвольного включения, тиристора.

На чертеже представлена электрическая схема элемента памяти.

Элемент памяти содержит тиристор 1, транзистор 2 записи, шику 3 записи, шину 4 выборки, ключевой транзистор 5, адресную шину 6, шину 7 записи-считывания и диод 8.

Элемент памяти работает следуюцшм образом. tS

В режиме. хранения информации устойчивость выключенного состояния обеспечивается ключевым транзистором 5, который в этом случае выключен, и поэтому анод тиристора 1 не подключен к адре".ной шине 20

6. В этих условиях включение тиристора 1 невозможно. Устойчивость включенного состояния обеспечивается протеканием через тиристор 1 тока большего или равного току удержания. Ток включенного состояния про- 25 текает по цепи; адресная шина 6, эмиттерколлектор ключевого транзисторе 5, анод-катод тиристора 1, шипа выборки 4.

В режиме считывания по шине 7 записисчитывания подается ток, который протекает по цени: шина 7 записи-считывания, анод-катод диода 8, п -база-катод тиристора 1. Шина

3 записи в режиме считывания имеет потенциал, исключающий протекание тока по цепи база-эмиттер транзистора записи 2.

Состояние элемента памяти определяется так: наличие тока в шине 7 записи-считывания означает, что тирнстор 1 открыт, а его отсутствие — что он закрыт.

В режиме записи включение тиристора 1 осуществляется включением транзистора 2 пр» равных потенциалах на шине 4 выборки и на шине 3 записи. В базу транзистора 2 запи- си задается ток, необходимый для его включения. При этом появляется ток базы транзистора 5, а затем, после его включения, включается тиристор 1, так как из его ибаэы вытекает ток. Выключение тиристора

1 происходит по тому же электрическому контуру, что и в режиме считывания, с той лишь:разницей, что потенциал, формируемый на и-базе тиристора 1 такой, при котором невозможно протекание тока в базовой цепи транзистора 5. Ток, втекающий в

П -базу тиристора 1, выключает его, рассасывая избыточный заряд в базовых областях.