Способ записи информации в мнсп-транзистор

 

СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В МИОИ-ТРАНЗИСТОР, заключающийся в подаче управляющего нанряжения на затвор ЛАНОП-транзистора. отличающийся тем. что. с целью новышения надежносги записи информации, одновременно с подачей у11равляюн1его напряжения в сток Д1ИОП-транзистора подают постоянный ток.

СС)ОЗ СОЕ)ЕТС1-{{ .,>. .

СО.Д{АЛ(4СТИЧЕСНИХ

n I ãj Y c и -) 3,, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ / " с

ГОСУДАРСТВЕННЬ{: !-.СМЕТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕН(4. -". :И ОТНРЫТи)з

Н Д BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ и, мА

2,0

0,5

O1 OZ И 0И 05 Об 07 08 09 10 t> мс

Фиг. 1

{ 21 ) 8786729, 24-24 (22) 0 .02.84 (46) 23.07.85. Вк)л, Л 27 (72} К, )1. Кролевец, В. Е. Стиканов, 3. И. Невядомский и В. П. Чекалкин

{58) 681.32?.6 (088.81 (561 Авторское свидетельство СССР

Л 658599, кл. G 11 С 17/00, 1977.

Проектирг ванне и применение полупроводниковых интегральных схем и полупроводниковых запоминающиx устройств. Сбор:и:к нау п.ых трудов по проблемам микроэлектрс)ники. М.. МИЭТ, 1977, вь и. 33, с. 51-- 52. (54) (571 С(1ОСОЬ ЗА11((СИ ИНФОРМАЦИИ В Ч}1ОП-ТРАНЗИ{. ТОР, заключающийся в подаче управляющего напряжения на затвор ЧНОП-транзистора, отлачаюшиш» тем, что. с полью повышения надежно(. Г)f записи ив()ормс) пии. одноврс м он но с подачей управляюни.го напряжения в сток . ))НОП-транзи.тора Il()1<)K)T 1)()<тоянныи ток.

1!69021 ;i> <3j)>оролин

: с:.р<;, П. Вор<>с Корректор О. Л) говая

< "! Раж 564 1!отписное

Вг(И(411И Г;>cy. арственного комитета СССР

:>о делам изобретений и открытий ! 13035, Москва, >К-- 35, Раушская наб., д. 415

Филиал ППП «П:<тент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4. i ко. >иииук

Нз >бр«-(x ЗУ

«энер!Онезависимым хранением информаЦi! H.!

40«!!!0 изо)j)«!(Иия является повышение

i! !!ДС.К!«>СТ1! 33 IIÈ«lf И НфОРМ ЯЦИИ.

НЯ ф!1;.. l представлены зависимости тока и«!Окя зи <МНО!1-транзистора <и врс>(<:— ни .!1!i!H«ii инф01>мации tg !i!)H (Риис!112():!;-ii -!

Iblx 3!1и I«!IH H на Г11>нж(«IIH H на:3 3TI100"

И СТОK« Х(y ll ТОКЯ В II(IIH СТОh3 (c-, (КP!I вЯЯ 3 ИРи записи IIII(f)OP>13!(f! Ij «01.!>! ИО известному способу, кривая б — «Ог,((!«<О пред!У; на фиг. 2 — «x(а (31<>соба зап ll«ll и !!<1>ОРм Я Ции.! 13 (тем с об<>вне> !«!! ; : ".! Iи>;I!("с

; "I,)<)! сrH<2 1, за!!(>. >И(!3>к)«(п!!»<1> < . <,. 3НЗИ< -;Ор 2 < ТОК,>, 3 1 (<<> (.. И <"! ОК, >

« >.;, !0)к!(;! 6:!3 !!Ом ин;! к>п((.",:.. 1;,! < <3.!« l

< по«об 0<;! <(<; (;л я< 1< я («j(, )х; к) ((>,, Обj> 3 3 0.>1.

При записи информации одновременно с подачей управляющего напряжения на затвор 4 от устройства 1 (фиг. 2) в сток транзистора 2 подается постоянный ток, соответствующий работе запоминак>щего

МНОП-транзистора в режиме насы(цения.

При этом в канале транзистора создаются у«ловия для разогрева носителей заряда и ltx последующего захвата на ловушки в нитри (e кремния. Формирование порогово>С и(> напряжения вдоль канала транзистора. с<>нровождающееся инжекциеи носителей заря,(я t!з ка!>Зла в подложку. приводит к

fl(J)(j>iI«>!рс.(сл";!ик) начального тока flj)< ! рям ми рОня IH>1, Определяем ОГО >!(Tj)0!I« < 5 IIO>! I . 1(ih;i(h3 I! 3, (Ох! (и «1 Ок()х! ) H I < > i. ;0)кКОЙ (<. !»! МЯ TOKOB ИСТО КЯ И ПОДЛожки .2(! В

ИЯ <Ок ус<рой«тва 1!. При эт<>м ис лк,::е (и .< КОЕ !!ОЗ > !«> ЯНАМ. TOK3 В ЦС!<И И«,КЯ !

;,:; з ст р) (кривая 6; фиг. .:1)(>l СX<> (И Г 01,>ЯНИ !ЕНИЕ Ъ(ЯК«И)13,! t",I;OIO

> г, !!Яll 2ЯЖ(!! I<>1 I!3 (П )KC Т!)ЯНЗИСТОРЯ, (>i!Р( ((ЛЯ(."Х 0! 0 „IЯBi!(fив(З(H ПРО!ГЕССЯМ!! Б г« i i3,1Е ! р!!!!зи«гс>ра и инжекцией носителей заряда ! : 3 К >1 Н (1, 38 I I O!I;1 0 >K K >