Способ осаждения пленок нитрида кремния

Авторы патента:

Способ осаждения пленок нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование и подачу в зону осаждения парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью безотходного использования реагентов, исключения загрязнений атмосферы и исключения использования инертного газа-носителя, парогазовую смесь формируют, подавая пары тетрахлорида кремния в возвратно-циркулирующий поток аммиака, причем общее давление в зоне осаждения поддерживают постоянным подачей в нее аммиака.

Способ получения нитридной пленки на поверхности полупроводниковых соединений а3в5 // 2168237

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводниковых соединений A3B5 и приборов на их основе, а также для подготовки поверхности этих полупроводниковых соединений для последующего эпитаксиального выращивания на ней нитрида галлия GaN

Способ получения пленок нитрида кремния (si3 n4) // 2325001

Изобретение относится к технологии получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния (Si3N4)

Способ получения нитридной пленки на поверхности gasb // 2368033

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе

Способ получения нитридной пленки на поверхности гетероструктуры на основе gasb // 2370854

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности антимонида галлия

Способ получения диэлектрической пленки нитрида кремния // 2449414

Изобретение относится к технологии изготовления мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения диэлектрических пленок нитрида кремния

Способ получения нитрированного окисного слоя на подложке из полупроводникового материала // 2008745

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем, и предназначено для получения подзатворных окисных слоев КМОП-интегральных схем, полупроводниковых приборов, а также окисных слоев, применяемых в качестве изоляции активных элементов в интегральных и дискретных структурах

Способ получения слоев нитрида бора на подложках из полупроводников типа a3b5 // 2012092

Изобретение относится к области изготовления структур на полупроводниках А3В5

Способ получения защитного слоя для алюминиевого покрытия // 2034366

Изобретение относится к способам устранения причин замыкания между проводящими уровнями в интегральных схемах (ИС) с целью увеличения выхода годных ИС и может найти применение в микроэлектронике

Способ получения слоев нитрида кремния // 1294220

Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия // 1452404