Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия

Авторы патента:

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200^oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в пределах 0,125 - 0,333, а осаждение нитрида кремния проводят при суммарном рабочем давлении 50 - 100 Па и удельной мощности высокочастотного разряда 0,1 - 0,2 Вт/см³.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что напуск моносилана и аммиака производят раздельно.

Способ осаждения пленок нитрида кремния // 1225431

Способ получения структур кремний-двуокись кремния-нитрид кремния // 1093175

Способ получения нитридной пленки на поверхности полупроводниковых соединений а3в5 // 2168237

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводниковых соединений A3B5 и приборов на их основе, а также для подготовки поверхности этих полупроводниковых соединений для последующего эпитаксиального выращивания на ней нитрида галлия GaN

Способ получения пленок нитрида кремния (si3 n4) // 2325001

Изобретение относится к технологии получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния (Si3N4)

Способ получения нитридной пленки на поверхности gasb // 2368033

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе

Способ получения нитридной пленки на поверхности гетероструктуры на основе gasb // 2370854

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности антимонида галлия

Способ получения диэлектрической пленки нитрида кремния // 2449414

Изобретение относится к технологии изготовления мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения диэлектрических пленок нитрида кремния

Способ получения нитрированного окисного слоя на подложке из полупроводникового материала // 2008745

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем, и предназначено для получения подзатворных окисных слоев КМОП-интегральных схем, полупроводниковых приборов, а также окисных слоев, применяемых в качестве изоляции активных элементов в интегральных и дискретных структурах

Способ получения слоев нитрида бора на подложках из полупроводников типа a3b5 // 2012092

Изобретение относится к области изготовления структур на полупроводниках А3В5

Способ получения защитного слоя для алюминиевого покрытия // 2034366

Изобретение относится к способам устранения причин замыкания между проводящими уровнями в интегральных схемах (ИС) с целью увеличения выхода годных ИС и может найти применение в микроэлектронике

Способ получения слоев оксинитрида кремния // 1630570

Способ изготовления затвора для мноп-элементов памяти // 1641145

Изобретение относится к области технологии изготовления интегральных схем-для вычислительной техники, в частности к способу изготовления структуры затвора для МНОП-элементов памяти постоянных электрически перепрограммируемых запоминающих устройств Цель изобретения - повышение времени хранения за счет уменьшения скорости растекания информационного заряда