Способ получения слоев нитрида кремния
Способ получения слоев нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев до рабочей температуры, формирование и подачу в зону осаждения потока парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении с поддержанием общего давления в реакторе подачей на вход реактора аммиака, удаление остаточных продуктов реакции через выход реактора, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости процесса по длине зоны осаждения и упрощения технологической аппаратуры, поток парогазовой смеси в зоне осаждения создают подачей аммиака на вход реактора при температуре от 623 К до рабочей температуры в зоне осаждения и раздельной подачей паров тетрахлорида кремния непосредственно в зону осаждения, а удаление остаточных продуктов реакции осуществляют их конденсацией при температуре 295 - 310 К за выходом реактора.
Похожие патенты:
Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводниковых соединений A3B5 и приборов на их основе, а также для подготовки поверхности этих полупроводниковых соединений для последующего эпитаксиального выращивания на ней нитрида галлия GaN
Изобретение относится к технологии получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния (Si3N4)
Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности антимонида галлия
Изобретение относится к технологии изготовления мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения диэлектрических пленок нитрида кремния
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем, и предназначено для получения подзатворных окисных слоев КМОП-интегральных схем, полупроводниковых приборов, а также окисных слоев, применяемых в качестве изоляции активных элементов в интегральных и дискретных структурах
Изобретение относится к области изготовления структур на полупроводниках А3В5
Изобретение относится к способам устранения причин замыкания между проводящими уровнями в интегральных схемах (ИС) с целью увеличения выхода годных ИС и может найти применение в микроэлектронике
