Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом

Авторы патента:

C30B29/28 - с формулой A₃Me₅O₁₂, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты

C30B11 - Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00)

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y₂O₃, Al₂O₃, Nd₂O₃, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас.%: Al₂O₃ - 41,82 - 42,64 Nd₂O₃ - 7,89 - 2,17 Y₂O₃ - Остальное и выращивание ведут со скоростью 0,6 - 1,0 мм/ч.

Способ получения монокристаллов сложных окислов и устройство для его осуществления // 1165095

Неорганический растворитель // 609230

Способ приготовления раствора в бор-бариевомрасплаве // 422449

Термостабильный ферритовый материал на основе y - g @ - а @ - g @ - j @ граната // 412748

Шихта для выращивания монокристаллов иттрий-железного граната // 394315

Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов // 391847

Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната // 293765

Шихта для выращивания монокристаллов ферромагнитного материала на основе висмут-кальций-железо-ванадиевых гранатов общей формулы в @ с @ f @ v @ о @ // 284778

Способ получения монокристаллов // 240689

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления // 1282582

Способ получения монокристаллов cds и cdse // 1279277

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений AIIBVI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин

Способ получения монокристаллов cds и cdse // 1279277

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава // 1262998

Изобретение относится к выращиванию кристаллов направленной кристаллизацией расплава и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности

Способ получения тройных халькогенидов меди // 1208848

Изобретение относится к способу получения полупроводниковых соединений и может быть использовано для получения материалов, применяемых в полупроводниковых приборах и приборах нелинейной оптики

Способ получения кристаллов со структурой берилла // 1175186

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллических образцов со структурой беррила и может быть использовано в электронной и ювелирной промышленности

Способ выращивания кристаллов селенида цинка // 1157889

Способ загрузки шихты окиси алюминия и устройство для его осуществления // 1147774

Устройство для выращивания монокристаллов // 1122012

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов щелочно-галоидных соединений и может быть использовано для получения монокристаллов направленной кристаллизацией расплава в ампулах

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации // 1107589

Изобретение относится к технике выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава в ампуле, в частности к устройствам самих ампул

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6