Способ изготовления линейных растров

 

Изобретение относится к измерительной технике и позволяет упростить технологию изготовления растров с произвольным шагом. Нарезают штрихи матрицы растра под углом oL к направлению , перпендикулярному направлению подачи матрицы. Угол oL определяется необходимым шагом растра и шагом делительной машины. Способ изготовления обеспечивает практически любую нужную для нониусного сопряжения разность шагов. 1 ил. сх Г 00 со 00 vj с

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) А) (51) 4 С 03 F 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

К А ВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЛЬСТВУ (21) 3991135/24-10 (22) 04 ° 11. 85 (46) 15.09,87. Бюп. Р 34 (71) Вильнюсский филиал Экспериментального научно-исследовательского института металлорежущих станков (72) С.А.Бармаш, Л.И.Герберене, A,Ò.Ушинскас и Ю.Я.Вузов (53) 628.948 (088.8) (56) Фотоэлектрические преобразователи информации. Под ред, Л.Н.Преснухина, М.: Машиностроение, 1974, с. 316. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛИНЕЙНЫХ

РАСТРОВ (57) Изобретение относится к измерительной технике и позволяет упростить технологию изготовления растров с произвольным шагом. Нарезают штрихи матрицы растра под углом (к направлению, перпендикулярному направлению подачи матрицы. Угол определяется необходимым шагом растра и шагом делительной машины. Способ изготовления обеспечивает практически любую нужную для нониусного сопряжения разность шагов. 1 ил.

1337878

t(t-at)

Т (1)

a t где Т вЂ” шаг нониусной полосы, — шаг первого растра, — разность шагов первого и второго растров, Из чертежа следует, что

t-5 t

*=arccos — с учетом (1)

Э

Т ..= arccos—

T+t

Т с .= arccos

T+t

40

Т вЂ” arccos

Т+t где Т вЂ” необходимый шаг растра, — шаг делительной машины.

Составитель А,Добрыднев

Редактор И.Касарда Техред B.Êaäað Корректор А.Обручар

Заказ 4130/46 Тираж 420 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул, Проектная, 4

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к технологии изготовления растровых деталей, и может быть использовано при производстве измерительных преобразователей линейных перемещений, Цель изобретения — улучшение технологии изготовления растров с произвольным шагом, Сущность способа заключается в том, что штрихи растра наносятся с шагом на поверхность матрицы, но благодаря повороту резцового устройства в случае применения механических делительных машин, или проекции штриха в случае использования проекционных методов, получают растровую структуру с другим шагом. При этом связь между углом поворота oL, необходимым шагом Т растра и шагом растра, выполненным на делительной машине, определяется выражением

На чертеже изображены штрихи растра, выполненные с шагом t, резцом под углом Ы к направленИю перемещения резца; рамкой А обозначены контуры рабо- 30 чей индикаторной пластинки, получаемой далее с нарезанной матрицы методом фотолитографии (в том случае,если конфигурация пластины прямоугольная), 35

Способ осуществляют следующим образом.

Нарезают матрицы первого растра с шагом t. Поворачивают резцовое устройство на угол д, определяемый расчетно, Нарезают матрицу второго растра, перемещая стол с тем же шагом..Определяют необходимый угол поворота резцового устройства для нарезания второго растра, исходя иэ 45 параметров преобразователя.

Как известно, шаг нониусной полосы определяется по формуле

Для осуществления способа необходимо предусмотреть возможность поворота резцового устройства машины на соответствующие углы.

Таким образом, предлагаемый способ изготовления растров позволяет получить практически любую нужную для нониусного сопряжения разность шагов без существенного изменения конструкции делительной машины, что расширяет функциональные возможности оборудования, Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Способ изготовления линейных растров, заключающийся в нарезании матриц растров по покрытию на делительной машине и тиражировании с нарезанных матриц рабочих растров методом фотолитографии, включающим фотоэкспонирование заготовки рабочего растра, покрытой светочувствительным слоем, и химическую обработку, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления растров с произвольным шагом, штрихи матрицы растра нарезают под углом с к направлению, перпендикулярному направлению подачи матрицы, а угол 4. определяют из выражения

Способ изготовления линейных растров Способ изготовления линейных растров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полиграфической промьшшенности и позволяет улучшить эксплуатационные характеристики печатной формы путем увеличения силы сцепления при креплении ее на магнитной подставке

Изобретение относится к спектральному приборостроению и позволяет сократить время изготовления копии решетки и повысить ее климатическую устойчивость

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям для сухих пленочных фоторезистов, использующимся в радио- и электротехнической промышленности при производстве печатных плат

Изобретение относится к устройствам для экспонирования светочувствительных материалов и позволяет повысить производительность и расширить класс изготавливаемых плат

Изобретение относится к химико фотографической области и позволяет увеличить адгезию печатающих элементов фотополимерных форм к подложке

Изобретение относится к химико фотографической области и позволяет увеличить адгезию печатающих элементов фотополимерных форм к подложке

Изобретение относится к технологии изготовления форм высокой печати мелкого рельефа и позволяет повысить качество краскопередачи и тиражестойкости формы

Изобретение относится к процессам получения полимерного изделия посредством фотосшивки жидкого светочувствительного состава

Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет улучшить качество изготовлен ш фотошаблонов

Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике

Изобретение относится к синтезу и использованию нового бифильнорастворимого фотоинициатора радикальной полимеризации фотополимеризующихся композиций (ФПК) 2,2-бис- (3-сульфоксипропилокси)- фенилэтанона нижеприведенной формулы

Изобретение относится к химико-фотографическим фоторезистивным формным материалам, в частности к фотополимеризующимся композициям (ФПК) для изготовления эластичных печатных форм для флексографической печати в полиграфии

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха
Изобретение относится к технологии формирования на поверхности материалов рельефных элементов и может найти применение, например, в области полиграфии при изготовлении печатных форм (клише) для высокой печати, а также в других областях техники, где необходимо получение рисунка заданной глубины с субмикронным разрешением структур формируемых рельефных элементов в функциональных (обрабатываемых посредством механического воздействия) слоях изделий
Наверх