Способ изготовления двухуровневых тонкопленочных коммутационных плат

 

Изобретение относится к области микроэлектроники. Цель изобретения - повышение процента выхода годных. На подложку из стали наносят структуру V-Cu-V-Al, а затем методом селективной фотолитографии формируют проводники 1-го слоя с использованием позитивного фоторезиста. С помощью негативного фоторезиста формируют защитную маску с окнами для переходных контактных столбиков. Переходные окна к проводящей пленке 1-го слоя выполняют травлением слоев Аl и V. Через полученные окна проводят обслуживание медных контактных площадок. Далее наносят диэлектрическую пленку моноокиси кремния и вновь облуживают подложку. В результате расплавления столбиков из припоя происходит разрыв диэлектрика над столбиками и их наращивание. Второй уровень металлизации получают напылением структуры V-Cu-V-Al и формируют рисунок проводников второго уровня. Способ позволяет повысить выход годных до 60%.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к способу изготовления многослойных структур на жестких подложках. Целью изобретения является повышение процента выхода годных. Изобретение иллюстрируется конкретным примером выполнения. На подложку из стали марки СТ-5О1-1 методом ионно-плазменного распыления на установке УВН-74П-3 напыляли структуру V-Cu-V-Al общей толщиной 1,2 1,8 мкм (V адгезионный подслой, Аl защитная пленка, Сu проводящая пленка первого уровня), а затем методом селективной фотолитографии формировали проводники 1-го слоя с использованием позитивного фоторезиста ФП-383. Использовали травитель следующего состава, мл: НРО 860, СН₃СООН 105, HNO₃ 35. Затем с помощью негативного фоторезиста ФН-11 формировали защитную маску с окнами для переходных контактных столбиков и производили выполнение переходных окон к проводящей пленке 1-го слоя травлением нижележащих слоев Аl и V. Далее через окна проводили предварительное обслуживание медных контактных площадок в ванне припоем ПОCМ-61 при t 260±10^oС методом окунания подложки в припой. Затем наносили диэлектрическую пленку моноокиси кремния толщиной 0,6 0,8 мкм, которую наносили на подложку при 200^oС методом электронно-термического испарения в вакууме 6,7 х x 10^-3Па на установке УВН-74П-3. После формирования сплошной диэлектрической пленки подложку вновь подвергали обслуживанию, погружая ее в ванну с припоем ПОСМ-61. В результате расплавления столбиков из припоя происходили разрыв диэлектрика над столбиками и их наращивание на 10 мкм. Методом ионно-плазменного распыления напыляли второй уровень металлизации со структурой V-Cu-V-Al толщиной 1,2 1,8 мкм. Рисунок проводников второго уровня формировали методом фотолитографии аналогично формированию рисунка проводников первого уровня. Контроль качества межсоединений осуществляли визуально с помощью микроскопа МБС-1 и измерением электрических параметров схемы прибором Щ-З4. Способ согласно изобретению позволяет повысить выход годных двухуровневых тонкопленочных коммутационных плат с 30 (по способу-прототипу) до 60%

Формула изобретения

Способ изготовления двухуровневых тонкопленочных коммутационных плат, включающий нанесение на диэлектрическую подложку проводящей пленки первого уровня, формирование рисунка проводников первого уровня, нанесение диэлектрической пленки, нанесение проводников второго уровня, формирование защитной маски, выполнение переходных окон к проводящей пленке первого уровня травлением нижележащих слоев, обслуживание и формирование рисунка проводников второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, защитную маску формируют после формирования рисунка проводников первого уровня, после формирования переходных окон к проводящей пленке первого уровня проводят предварительное обслуживание, а обслуживание проводят после нанесения диэлектрического слоя.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        

---