Способ контроля структурного совершенства монокристаллов твердых растворов,метастабильных при комнатной температуре

 

Изобретение относится к физикохимическому анализу и может быть использовано для контроля структурного совершенства элементов. Цель изобретения - расширение класса контролируемых образцов монокристаллов и обеспечение неразрушающего контроля. Проводят декорирующий отжиг в температурной области существования двух твердых фаз в течение времени, необходимого для образования на дефек- „ тах структуры частиц второй фазы раз-® мером, сравнимым с дЛиной волны просвечивающего излучения, а после регистрации дефектов проводят второй отжиг в области гомогенности данного материала в течение времени, необходимого для растворения частиц второй фазы. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„1427268 А1 (SD 4 С 01 N 25/02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АВТОРСК0МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4146516, 31-25 (22) 12. 11.86 (46) 30. 09. 88. Бюл. Р 36 (71) МГУ, им. М. В.Ломоносова (72) А.Л.Александровский,В.А.Дяков, Н.М.Рубинина и Г.И.Яковлева (53) 536.42 (088.8) (56) Лодиз P., Паркер P. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974, 39-46.

Levinstein Н,, Capiо С. Decorated dislocations in LiNb03 and

LiTa0p. — J. Арр1. Phys., 1967, ч. 38, р. 276!-2765. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ СТРУКТУРНОГО

СОВЕРШЕНСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРД1Х

РАСТВОРОВ, МЕТАСТАБИЛЬНЫХ ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ (57) Изобретение относится к физикохимическому анализу и может быть использовано для контроля структурного совершенства элементов. Цель изобретения — расширение класса контролируемых образцов монокристаллов и обеспечение неразрушающего контроля.

Проводят декорирующий отжиг в температурной области существования двух твердых фаз в течение времени, необходимого для образования на дефектах структуры частиц второй фазы размером, сравнимым с длиной волны просвечивающего излучения, а после регистрации дефектов проводят второй отжиг в области гомогенности данного материала в течение времени, необходимого для растворения частиц второй фазы.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

l 427268

Формула и з о б р е т е н и я

Составитель С.Беловодченко

Техред N.Õîäàíè÷ Корректор М.Васильева

Редактор А.Лежнина

Подписное

Заказ 4847/40

Тираж 847

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к физико-химическому анализу и может быть использовано для контроля структурного совершенства элементов. 5

Целью изобретения является расширение класса контролируемых образцов монскристаллов и обеспечение неразрушающего контроля.

Способ осуществляют следующим об- 10 разом.

Кристалл твердого раствора помещают в печь и отжигают при температу,ре Т,, соответствующей двухфазной об- 15 ласти. При этом происходит выпадение второй фазы. Кристалл отжигают в течение времени t< которое зависит от температуры отжига. С ростом времени отжига растет размер частиц второй 2О фазы, поэтому минимальнал длительность отжига определяется мЬментом, когда размер частиц становится порядка длины волны оптического излучения (1 мкм), а следовательно, частицы становятся видны в оптическом Микро,скопе. После декодирующего отжига кристалл помещают в микроскоп, декорированные дефекты наблюдают в проходящем свете в объеме кристалла. Ес- 30 ли частицы второй фазы прозрачны, то для наблюдения эффективен метод "темного поля". Затем кристалл вновь помещают в печь и отжигают при температуре Т в области гомогенности твердого раствора в течение времени которое также зависит от Т вЂ” чем выше температура отжига, тем быстрее рассасываются частицы второй фазы, следовательно, тем меньше Й . Когда размер частиц становится много меньше 1 мкм, оптические свойства кристалла восстанавливаются.

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов твердых растворов, метастабильных при ком- . натной температуре, заключающийся в декорирующем отжиге монокристалла и последующей оптической регистрации декорированных дефектов, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью расширения класса контролируемых образцов монокристаллов и обеспечения неразрушающего контроля, декорирующий отжиг ведут в температурной области существования двух фаз в течение времени, необходимого для образования на дефектах структуры декорирующих частиц второй фазы размером, сравнимым с длиной волны оптического регистрирующего излучения, а после оптической регистрации декорированных дефектов проводят второй отжиг в области гомогенности данного материала в течение времени, необходимого для растворения частиц второй фазы.