Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП). Цель изобретения - повышение надежности изготовления цилиндрических магнитных пленок. Способ изготовления ЦМП основан на электрическом осаждении магнитного слоя на немагнитную проволочную подложку с медным подслоем при одновременном воздействии на немагнитную проволочную подложку постоянным током и переменным током промышленной частоты и термомагнитной обработке.Электролитическое осаждение и термомагнитную обработку магнитного слоя проводят при свободном провисании проволочной подложки. Устройство для изготовления ЦМП содержит узел 1 сматывания подложки, узел 2 для свободного провисания немагнитной проволочной подложки 3, электролизер 4 для осаждения медного подслоя при одновременном воздействии с на немагнитную проволочную основу постоянным током промьшшенной частоты, электролизер 5 для осаждения магнит- . ного слоя и печь 6 для термомагннтной обработки. 3 ил. in « СО

СЗЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУ БЛИН 5114 С 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЬЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ

f ф© } н у

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ т

К А ВТОРСМОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4243483/24-24 (22) 23.03.87 (46) 23.10.88; Бюл Ф 39 (72) Е. К.Станина, Л.И.Пыхтина и В.А. Иванов (53) 681 ° 327.6(088..8) (56) Ильюшенко Л.Ф. Электролитически осажденные магнитные пленки. вЂ” Минск, 1972. . Авторское свидетельство СССР и 1016833, кл.G 11 С 11/14, 1982. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦИП). Цель изобретения вЂ” повышение надежности изготовления цилиндрических магнитных пленок. Способ изготовления ЦМП основан на электри„„SU„„) 432607 А1 ческом осаждении магнитного слоя на немагнитную проволочную подложку с медным подслоем при одновременном воздействии на немагнитную проволочную подложку постоянным током и перемен" ным током промышпенной частоты и термомагнитной обработке. Электролитичес" кое осаждение и термомагнитную обработку магнитного слоя проводят при свободном провисании проволочной подложки.

Устройство для изготовления ЦМП содержит узел 1 сматывания подложки, узел 2 для свободного провисания немагнитной проволочной подложки 3, электролизер 4 для осаждения медного подслоя при одновременном воздействии

1 Ю на H< ìàãíèòíóþ проволочную основу постоянным током промышпенной частоты, электролизер 5 для осаждения магнит. ного слоя и печь 6 для термомагнит- . С ной обработки. 3 ил.

1432607

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлен m запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦИП).

Цель изобретения вЂ” повышение надежности изготовления ЦИП, На фиг. t изображена блок-схема устройства для изготовления ЦИП, функ10 ционирующего в соответствии с предлагаемым способом;на фиг. 2 вЂ” ус ройство для создакия свободного провисания проволочной подложки„ общий вид; на фиг. 3 вЂ” разрез Л-А на фиг.2. 15

Способ изготовления ШмП основан на электролитическом осаждении магнитного слоя на немагнитную проволочную подложку с медным подслоем при одновременном воздействии ка немагнитную проволочную подложку постоянным током м переменным током промышленной частоты и термомагнитной обработке, причем электролитическое осаждение и . термомагнитную обработку магнитного 25 слоя проводят при свободном провисании проволочной подложки.

Устройство для изготовления ЦМП содержит узсл 1 сматывания подложки, узел 2 свободного провисакия немагнит-39

НОй прОволОчной пОДлОжки 3 электро ливер 4 для осаждения медного подслоя при одновременном воздействии на немагнитную проволочную оскову постоянного тока промышленной частоты, электро- лизер 5 для осаждения магнитного слоя и печь 6 для термомагнитной обработки.

Узел для свободного провисания проволочной подложки состоит из ролика

7, жестко соединенного с приводом 8, и прижатого к ролику 7 посредством пружины 9 прижимного ролика 10,установленного в кронштейне 11, датчика

12 параметра, состоящего из двух расположенных соосно фотодиодов 13 и 14 и двух световодов 15 и 16, фильеры 17, установленной в кронштейне 18 и блоке 19 автоматического регулирования свободного провисания проволоки подложки в пределах, например, от 1-2 до 4-5 см от уровня движущейся проволочной подложки по сигналам датчика.

Способ осуществляют следующим образом.

С бобины сматывающего узла 1 немагнитная проволочная подложка 3 поступает в узел 2 для создания свободного провисания проволочной подложки. Проволочная подложка 3 зажимается между

2оликом 7 и прижимным роликом 10 с помощью пружины 9 и без всякого нагяжекия вводится в датчик 12 параметра и фильеру 17. В датчике 12 параметра фотодиоды 13 и 14 и светодиоды

15 и 16 устанавливаются на границах свободного провисания проволочной подложки 3 например, на расстоянии

4-5 см от уровня движущейся проволочной подложки. При включении устройства начинает вращаться с помощью привода 8 ролик 7 и вместе с прижимным роликом 10 начинает протягивать проволочную подложку 3 °

Как только проволочная подложка

3 входит в зону действия фотодатчика, состоящего из фотодиода 13 и световода 15, поступает сигнал в блок 19 автоматического регулирования, который увеличивает скорость вращения привода

8 Как только проволочная подложка 3 входит в зону действия фотодатчика. ; состоящего из фотодиода 14 и световода 16, поступает сигнал из блока 19 автоматического регулирования, который уменьшает скорость вращения привода 8;Таким образом, узел автоматически поддерживает минимальное усилие натяжения, обусловленное свободным провисанием,проволочной подложки 3.

Затем проволочная подложка 3 проходит в электролизер 4 для осаждения медного подслоя при одновременном воздействии на немагнитную проволочную подложку 3 постоянного тока промьппленной частоты, плотность которого составляет 1,0-1,5 плотности постоянного тока меднекия и 4,5-5,5 плотности постоянного тока осаждения ферромагнитного сплава. Проволочная подложка с нанесенным медным подслоем проходит в электролизер 5, где осуществляется осаждение магнитного сплава, а затем немагнитная проволочная подложка с осаждением на нее магнитным сплавом поступает в печь 6 для термомагниткой обработки. Электролитическое осаждение и термообработка магнитного слоя при этом проводятся при постоянном свободном провисакии провол 2чной подложки, что снижает напряжение растяжения проволочной подложки и устраняет кристаллографическую и магнитную текстуру вдоль оси трудного намагничивания UMH.

1432607

Формула и з о б р е т е н и я

Составитель Ю.Розенталь

Редактор В.Петраш Техред Л.Сердюкова Корректор А.Обручар

Заказ 5450/46 Тираж 590 Подписное

ВНИйПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок, основанный на электролитическом осаждении магнитного слоя на немагнитнук проволочную подложку с медным подслоем при одновременном воздействии на немагнитную проволочную подложку постоянным током и переменным током промышленной частоты и термомягнитной обработке, о тл и ч а ю шийся тем, что с целью

5 повышения надежности изготовления цилиндрических магнитных пленок, электролитическое осаждение и термомагнитную обработку магнитного слоя прово" дят при. свободном провисании проволочной подложки.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении дополнительных устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) Целью изобретения является повьппение надежности устройства

Накопитель для запоминающего устройства // 1425781

Изобретение относится к оВласти вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Запоминающий модуль // 1425780

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе цилиндрических магнитных доменов

Способ считывания плоских магнитных доменов // 1418810

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих и логических устройств на плоских магнитных доменах (ПМД)

Устройство для записи информации в память на магнитных вихрях // 1417669

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения информационных систем сверхбольшой емкости на магнитных вихрях (MB)

Регистр на магнитных вихрях // 1417668

Накопитель информации на магнитных вихрях // 1414183

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (MB)

Накопитель информации на магнитных вихрях // 1414182

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ)

Накопитель информации на магнитных вихрях // 1414180

Способ изготовления источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах // 1410099

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)