Мультиплексор

 

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в погических устройствах ЭСЛ-типа. Цель изобретения - повышение быстродействия . Мультиплексор содержит переключатели 1i, 12 1п, выполненные на первых, вторых и третьих транзисторах 2i, 222П, 3i. ЗаЗп и 4i, 424П, генератор тока 5, четвертый транзистор 6, резистор 7 и пятый транзистор 8. Компенсация изменений напряжений узла коллекторов транзисторов Зч, 32Зп позволяет снизить негативное влияние процессов перезаряда емкости этого узла на задержку переключения уровней на выходе устройства и тем самым достичь высокого быстродействия мультиплексора. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК . (я)з Н 03 К 19I086

ГОСУДАРСТВЕ ННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4775966/09 (22) 02,01.90 (46) 15,03.92. Бюл. N. 10 (71) Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (72) С.M.ÈãíàòüåB (53) 621;375.024 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1378048, кл. Н 03 К 19/086, 1988. (54) МУЛЬТИПЛЕКСОР (57) Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в логических устройствах ЗСЛ-типа.

„„. Ж„„1720153 А1

Цель изобретения — повышение быстродействия. Мультиплексор содержит переключатели 1>, 1z, ..., 1n, выполненные на первых, вторых и третьих транзисторах 2, 22, „.. 2n, 31, 32, ..., Çn и 41, 42, ..., 4n, генератор тока 5, четвертый транзистор 6, резистор 7 и пятый транзистор 8. Компенсация изменений напряжений узла коллекторов транзисторов

31, 32, „„Зп позволяет снизить негативное влияние процессов перезаряда емкости этого узла на задержку переключения уровней на выходе устройства и тем самым достичь высокого быстродействия мультиплексора.

1 ил.

1720153

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в логических устройствах ЭСЛ-типа.

Цель изобретения — повышение быстродействия.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема мультиплексора.

Мультиплексор содержит переключатели тока 11, 12, ..., 1л, выполненные на первых транзисторах 21, 22, ..., 2л, вторых транзисторах 31, 32, ..., Зл и третьих транзисторах

41, 42, „., 4n, ГЕНЕРатОР 5 тОКа, ЧЕтВЕРтЫй транзистор б, резистор 7, пятый транзистор

8, при этом базы третьих транзисторов явЛяЮтСя адрЕСНЫМИ ВХОдаМИ 91 92, „„9n, а базы первых и вторых транзисторов являются информационными входами 101, 102, ..., 10П и 111, 112, ..., 1in

Мультиплексор работает следующи л образом.

Для включения нужного входного канала на соответствующий адресный вход, например 91, подается напряжение более высокого уровня, чем на остальные входы, Благодаря этому ток генератора 5 тока через соответствующий транзистор 4 включится в эмиттерный узел транзисторов 21 и

31 выбранного входного канала. На входы

101 и 111 устройства поступает входной сигнал в виде двух потенциалов с определенной разностью. Если на входе 101 более высокий потенциал, чем на входе 111, то ток, поступающий в узел эмиттеров транзисторов 21 и 31, разделится между транзисторами 21 и 31 так, что большая его часть ответвится в транзистор 21, соответствующий входу 101. Токи транзисторов 21 и 31 через соответствующие транзисторы 8 и 6 протекают в шину питания и резистор 7 соответственно. Транзистор 8, подключенный по диодной схеме, формирует напряжение, поступающее на базу транзистора б.

Резистор 7, на котором ток транзистора б создает падение напря>кения, предназначен для формирования напряжения на выходе устройства. При рассмотренном соотношении входных потенциалов напря>кение на выходе превышает свой средний уровень и соответствует высокому логическому уровн1о. В случае более высокого потенциала на входе 111 величина тока в транзисторе.31 будет больше, чем в транзисторе 21 и напряжение на выходе будет соответствовать низкому логическому уровню.

Таким образом, входы 101, 102, ..., 10п являЮтСя ПряМЫМИ, а ВХОДЫ 111, 112, ..., 11n ИНверсными информационными входами мультиплексора.

5 Транзистор 8 предназначен для компенсации изменения напряжения в узле коллекторов транзисторов 31, 32, ..., Çn -0кз, возникающего вследствие изменения напряжения база-эмиттер транзистора 6 U1»s

10 при изменении тока. Напря>кение 14з равно напряжению на шине питания минус сумма напря>кений Us òðàíçèñòîðîâ 6 и 8. Компенсация изменений напряжения U5@5 достигается благодаря тому, что, когда в

15 транзисторе б протекает большой ток, в транзисторе 8 он меньше и U53Q > 0ьв, а в случае большего тока в транзисторе 8

05эб < Обэа и таким образом сумма Ugg транзисторов 6 и 8 при переключении выходных уровней изменяется мало, 20 Компенсация изменений напряжений узла коллекторов транзисторов 31, 32...„3п позволяет снизить негативное влияние процессов перезаряда емкости этого узла на задер>кку переключения уровней на выходе

25 и тем самым достичь высокого быстродействия мультиплексора.

Формула изобретения

Мультиплексор, содер>кащий и переключателей тока, каждый из которых выпол30 нен по дифференциальной схеме на первом и втором транзисторах, базы которых являются информационными входами мультиплексора, а эмиттеры объединены и подключены к коллектору третьего транзи35 стора, эмиттер которого соединен с эмиттерами третьих транзисторов всех переключателей тока и через генератор тока подключен к соответствующей шине питания, при этом базы третьих транзисторов

40 являются адресными входами мультиплексора, а коллекторы вторых транзисторов переключателей тока объединены и подключены к эмиттеру четвертого транзистора, коллектор которого через резистор

45 соединен с соответствующей шиной питания и с коллектором пятого транзистора, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения быстродействия, коллекторы первых транзисторов переключателей тока объеди50 нены и подключены к базе четвертого транзистора и эмиттеру пятого транзистора, база которого обьединена с его коллектором, а коллектор четвертого. транзистора я вляется выходом мультиплексора.