Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов
Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов, включающий изготовление на полупроводниковой пластине диффузионной структуры с р-n переходом контактов, нанесение защитной маски, формирование мезаструктур путем надрезания пластины алмазным диском с последующим химическим травлением по образованным надрезам, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных приборов с повышенными значениями обратных пробивных напряжений, надрезание осуществляется со стороны n-слоя структуры с частотой вращения диска от 20 до 50 тыс.об/мин со скоростью подачи от 1 до 30 мм/с при толщине алмазной режущей кромки от 150 до 400 мкм и величине алмазного зерна от 0,5 до 20 мкм на глубину, которую устанавливают исходя из условия 0,1d < h < d - hp-n - a, где h - глубина надрезания; d - толщина структуры; hp-n - глубина залегания p-n перехода со стороны р-слоя; а - глубина нарушенного слоя полупроводникового материала, определяемая режимами надрезания.
Похожие патенты:
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при конструировании и изготовлении полупроводниковых чувствительных элементов датчиков и микроприборов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при промышленном изготовлении полупроводниковых структур, в частности интегральных схем
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы
Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления
