Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов

Авторы патента:

H01L21/78 - с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов,H01L 21/304)

Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов на металлической подложке, включающий нанесение через маску изолирующего слоя, тензорезистивного слоя и проводящей пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы и повышения воспроизводимости параметров тензорезисторов, для нанесения проводящей пленки используют металлическую маску с подслоем, имеющим высокие адгезионные свойства с материалом тензорезистивного слоя, а массу для нанесения тензорезистивного слоя формируют методами фотолитографии, после чего проводят ионное травление этого слоя.

Устройство фиксации разрезаемой пластины // 1121723

Устройство для растяжения эластичного носителя полупроводниковых кристаллов // 1089676

Способ изготовления меза-структур // 1050476

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур // 1050475

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур // 980568

Устройство для разрезания хрупкихматериалов // 836707

Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы // 777756

Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы // 587533

Способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы // 545020

Интегральная схема и способ ее изготовления // 2117418

Способ обработки структур "кремний на сапфире" // 2185685

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации

Способ изготовления микросхем // 2244364

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем

Прибор для поверхностного монтажа // 2316846

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2321101

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений

Способ изготовления чипов мощных нитридных свч-транзисторов // 2339116

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале // 2071145

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин

Способ изготовления датчиков давления // 2075137

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления

Способ изготовления полупроводниковых кристаллов // 2001467