Способ изготовления фотоприемника

 

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при создании оптоэлектронных устройств. Целью изобретения является расширение спектральной области чувствительности фотоприемника из JNSE в ультрафиолетовую область спектра от 3,3 до 6,0 эВ. Цель достигается тем, что проводят расслоение монокристалла JNSE в инертной среде при 200...220°С. После чего осуществляют отжиг при этих же температурах. При использовании данного способа появляется возможность упростить технологию изготовления без использования дорогостоящих материалов. 1 ил.

СОЮЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

09} (}}}

913 А1 рц Н О) L 31/18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A STOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

Il0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР. (21) 4233244/31-25 (22) 20.04.87 (46) 07,06 ° 90, Бюл. Ô 2) (71) Институт физики АН АЗССР (72) Э.Ю,Салаев, Л.Н;Алиева, Е,Т,Алиев, М,О.Годжаев, М.З.Зарбалиев и P.А,Сулейманов (53) 621.387 (088.8) (56) Царенков В.З. и др. Фотоэлектрические свойства поверхностно-6apsepных структур Au-n-GaP в ультрафиолетовой области спектра, - ФТП, т. 8, вып.3, 1974, с. 410-413.

Ананьина Д.Б. н др, Об особвннос" тях фотопроводимости н области сильного поглощения полупроводниковых материалов со слоистой и дефектной структурами, - ФТП, т,10, вып,)2, 1976, с. 2373-2375.

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при создании оптоэлектронных устройств, Цель изобретения — расщирение спектр аль: ой области чувствительности фотоприемника из InSe в ультрафиолетовую область спектра от 3„3 эВ до 6,0 эВ.

На чертеже приведены спектры фототока образцов селенида индия,приготовленных расслоением: в инертной (гелиевой) среде при 200 - 200 С в . течение 2 ч — кривая 1, в инертной (гелиевой) среде при )50 С в течение

2 ч " кривая 2, на воздухе при комнатной температуре - кривая 3.

2 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРИ)мНИКА (57) Изобретение относится. к области квантовой электроники и может быть использовано при создании оптоэлектронных устройств. Целью изобретения является распжрение спектральной области чувствительности фотоприемника из InSe.â ультрафиалетовую область спектра от 3,3 до 6,0 эВ. Цель достигается тем, что проводят расслоение .монокристалла InSe в инертной среде при 200 — 220 С. После чего осуществляют отжиг нри этих же температурах. При использовании данного способа появляется возможность упрос- д. тить технологию изготовления 6es использования дорогостоящих материалов.

1 ил.

Пример, Монокристалл InSe, выращенный методом Бриджмена,механически скалывают вдоль слоев в гелиевой среде (давление 1 атм),после чего отжигают в температурном интервале 200-220 С в течение 2 ч. Контакты на образце создают путем напыления индиевых полосок в вакууме.Измерения фотопроводимости приготовленного таким путем фотоприемника проводят в воздухе при комнатной температуре с помощью монохроматора и калиброванного по количеству квантов источника света.

Скалывание монокристалла слоистого соединения InSe в температурном интервале 200-220 .С в среде инертноо

1569913 нологии без использования дорогостоящих материалов получить высокоэффективный фотоприемник в ультрафиолетовой области спектра, обладающий размерами вплоть до нескольких квадратных сантиметров, причем параметры приемника со временем не ухудшаются.

Формула изобретения

При использовании предлагаемрго способа можно с помощью простой техI

Составитель Ф.Фазьаов

Редактор О,Головач Техред М,Ходанич, Корректор О.ципле Заказ 1454 Тираж 451. Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

ro газа способствует снятию напряжений в припоаерхностной области образца и .тем самым устранению деформационных дефектов кристаллической

5 решетки, что приводит к уменьшению адсорбционной активности поверхности . кристалла и резко увеличивает квантовую эффективность фотопроводимости образца InSe в УФ-области (3.,3 - 10

6,0 эВ) спектра; температурный интервал 200-220 С является оптимальным для отжига кристалла InSe поскольку ниже 200 С не происходит достаточно полного снятия !5 напряжения и устранения дефектов в образце, а при температурах выше о

220 С происходит возгонка селена с поверхйости кристалла, что ухудшает качество его поверхности. 20

Способ изготовления фотоприемника, включающий расслоение монокристапла селенида индия с последующим нанесением двух электродов, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью расширения спектральной области чувствительности фотоприемника в ультрафиолето- . вую область спектра от 3,3 до 6,0 эВ, расслоение проводят в инертной срео де при температурах от 200 до 220 С с последующим:отжигом при этих температурах.