Способ создания омического контакта

Авторы патента:

H01L21/40 - сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой

Способ создания омического контакта, включающий размещение между кремниевой структурой со стороны n-типа и термокомпенсатором алюминиевой прокладки и сплавление, отличающийся тем, что, с целью уменьшения контактного сопротивления за счет создания прерывистого рекристаллизованного слоя p⁺-кремния и улучшения качества омического контакта, перед размещением алюминиевой прокладки осуществляют равномерное тиснение 10 - 50% ее площади.

Способ изготовления туннельных диодов // 324943

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых терморезисторах // 281650

Способ изготовления выпрямительного элемента // 256875

Способ получения контакта // 243740

Способ соединения металлической заготовки с полупроводниковым кристаллом // 192297

Способ изготовления омических контактоввсгсц»я11>&|1 .ffm^m^^т*фб:';щ1?а(а„. // 174276

Патент 157439 // 157439

Патент 154960 // 154960

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях // 151260

Способ сплавления // 2564685

Использование: для сплавления электродными материалами кремниевых полупроводниковых пластин и полупроводниковых подложек с термокомпенсирующими электродами. Сущность изобретения заключается в том, что способ сплавления электродными материалами кремниевой полупроводниковой подложки с термокомпенсатором ведут алюминием/силумином через прослойку окиси кремния, выращенную на поверхности полупроводниковой подложки. Технический результат: обеспечение малой глубины проникновения электродного материала в полупроводниковую подложку. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.