Способ получения контакта

 

мтектио-техничес,ие» "-. -ф3фйВ®тек N5<

О П И С А Н И Е 243740

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21g, 11/02

21g, 32

Заявлено 05.Х.1966 (№ 1104256/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14.V.1969. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 26.IX.1969

МПК Н Oll

Н Old

УД К 621.3.066.6 (088.8) Комитет по делам иаоьретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

К. А. Преображенцев и В. С. Шваров

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА

Известны способы получения контакта металла с полупроводником путем нанесения одного или нескольких металлических слоев. Такие способы используются при создании однослойных или многослойных контактов с сох- 5 ранением структуры наносимых слоев для последующего присоединения выводных электродов пайкой или термокомпрессией.

С целью улучшения электрических и механических свойств контакта и для получения контакта с одновременным присоединением выводного электрода наносят металлические о слои общей толщиной менее 1000А при температуре не ниже 400 С, а затем вплавляют 25 электродный материал при температуре эвтектики электродный м атериал — полупроводник.

В образующейся жидкой фазе состава вплавляемый материал — полупроводник стру- 20 ктура наносимых слоев металла в процессе сплавления не сохраняется, В результате металлизации окислы на поверхности полупроводника частично восста- 25 навливаются, окисная пленка разрушается и сплавлением получают контакт металла с по. лупроводником.

Фронт вплавления оказывается однородным, сплошным и равномерным. 30

Для металлизации могут применяться металлы, обладающие большой свободной энергией образования окислов, например титан, ниобий, гафний, хром и другие, а в качестве второго слоя — никель, серебро и другие коррозионностойкие при повышенных температурах металлы, которые предохраняют первый слой от окисления.

Пример. Пластины кремния перед нанесением титана промывают в дионизованной воде и обезжиривают в СС14. Титан наносят при температуре подложки 500 — 800 0С в вакууме 10 мл рт. ст., а затем наносят пленку никлея. Общая толщина слоев меньше

1000А, Перед сплавление кристаллы кремния обезжиривают, Электродный материал, например золото, нанесенное на выводной электрод, и кристаллы загружают в кассету которая обеспечивает давление на систему кристалл— электродный материал не менее 1 г/мм .

Сплавление проводят в вакууме не ниже 10 4 мм рт, ст. при температуре на кассете выше электрической температуры кремний — золото на 80 — 100 С.

Полученный контакт обладает сложной конфигурацией, .имеет высокую механическую прочность и малое электрическое сопротивление.

243740

Редактор Вольпина Техред Л. 3. Левина Корректор Е. Н. Миронова

Заказ 2446/17 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Применяя указанные технологические приемы, можно получить как невыпрямляющий, так и выпрямляющий контакты, если вместо золота выбрать другие электродные материалы.

Предмет изобретения

Способ получения контакта металла с полупроводником путем нанесения одного .или нескольких металлических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и электрических свойств контакта, наносят слои о общей толщиной менее 1000А при температуре не ниже 400 оС, а затем проводят вплавление электродного материала при температуре не ниже температуры эвтектики электродный материал — полупроводник.

Способ получения контакта Способ получения контакта 

 

Похожие патенты:

Использование: для сплавления электродными материалами кремниевых полупроводниковых пластин и полупроводниковых подложек с термокомпенсирующими электродами. Сущность изобретения заключается в том, что способ сплавления электродными материалами кремниевой полупроводниковой подложки с термокомпенсатором ведут алюминием/силумином через прослойку окиси кремния, выращенную на поверхности полупроводниковой подложки. Технический результат: обеспечение малой глубины проникновения электродного материала в полупроводниковую подложку. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Наверх