Состав для травления

 

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития. Цель изобретения - повышение скорости травления. Состав для травления монокристаллических подложек ниобата и танталата лития представляет собой расплав компонентов, взятых в количестве, соответствующем на фазовой диаграмме HF-KF, соотношению, мас.% : MF 48-89, KF 11-52, где M - щелочной металл и/или аммоний. Скорость травления повышается в несколько раз по сравнению с прототипом. 1 табл.

C0N3 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСтИаСКИХ

РЕСПУБЛИН

09) . (И1 (g1)g С 30 В 33/00, 29/30

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

\ чВ чв

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

fl0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ГНИ ГКНТ СССР (21) 4461713/23-26 (22) 13.07.88 (46) 23,09.90. Бюл. Ф 35 (72) Э.Г.Раков, А.Е.Федоров, N.В.Мелкумянц, Д.Г.Купрюнин, А.П.Груздев и Д.В.Карпеев (53) 621. 3 15, 592 (088. 8) (56) Патент США 11 3860467, кл, 156/17, Н 01 L 7/50, 1975. (54) СОСТАВ ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ (57) Изобретение относится к неорганической химии и может быть испольИзобретение относится к неорганической химии, в частности к составам растворов для травления, н может быть использовано для химической обработки монокристаллических подложек из ниобата и танталата лития.

Целью изобретения является повыше.ние скорости травления.

Пример. Берут 47 г фторида калия, помещают в никелевый сосуд, после чего в сосуд конденсируют 30 г фтористого водорода при 10 С. Вместо перечисленных компонентов можно взять навески 79,4 г КН2Е> и 3,8 г KF, поместить в никелевый сосуд и перемешать. Далее сосуд с твердой смесью реагентом нагревают до 133 С, поме.щают в образовавшийся расплав подложки ниобата и танталата лития и травят при этой температуре. Количество исходных компонентов для приготовления травителя и температуру травления определяют из фазовой диаграммы системы KP-НР при концентрациях КГ

61 мас.Ж и HF 39 мас.X.

2 зовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития. Цель изобретения — повышение скорости травления. Состав для травления монокристаллических подложек ниобата и танталата лития представляет собой расплав компонентов, взятых в количестве, соответствующем на фазовой диаграмме HF-KF, где М-щелочной металл и/или аммоний, соотношению, мас.7: NF 48-89, KF. 11-52. Скорость травления повышается в несколько раз по сравнению с прототипом. 1 табл.

Травление можно проводить при температуре выше температуры плавления твердой смеси, т.е. при любой температуре, когда используемый состав будет представлять собой жидк ость.

Скорость травления составляет 1,94 и

0,96 мкм/мин для ниобата и танталата лития соответственно.

Скорости травления в растворах с другим содержанием MF приведены в

: таблице.

Как видно из таблицы, значения скорости травления с использованием предлагаемого раствора превышают скорости травления известному составу в несколько раз, что позволяет поднять производительность процесса травления °

Формула из обре теи ия

Состав для травления в жидкой фазе монокристаллических подложек LiNbO> и ЫТаО, содержащий HF и второй компонент, о т л и ч а ю m и и с я тем, что, с целью повышения скорости трав1594222 ления, в качестве второго компонента состав содержит па крайней мере один фторид или гидрофторид щелочного металла и/или аммония в количестве., соответствующем на фазовой диаграмме соотношению, мас.X: МГ 48-89 и HF 1152, где М вЂ” щелочной металл или ам» моний.

Опыт

Состав для травления

LiNb03

LiTa0>

Компонент Концентрация, мас.%

0,40

0,21.75

0,23

О, 47

1,94

0,96

133

0,54

0,28

0,38

0,17

560

3,07

8,13

265

3,24

136

1,28

1,31

189

2,97

0,99

2,28

3,31

1,.27

Составитель Е.Лебедева

Редактор H.Рогулич Техред А.Кравчук " Корректор С.Черни

Заказ 2814 Тираж 349 Подписное

ВК16ПП1 Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, )Н-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101

КР

2 KF

3 KP

4 KF

5 KF

HF.

6 RbP

7 GsP

8 . NH P

9 KF

ИН P

10 КГ

СзЬ

45,5

54,5

48,0

52,0

61 0

39,0

89,0

11,0

94,0

6,0

69,1

30,9

75,0

2 5, 0

68) 1

31,9

12,4

- 41,2

46,4

25. емпература, С Скорость травления,мкм/мин

Состав для травления Состав для травления 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к твердофазному сращиванию оптических кристаллов, может быть использовано в оптике и обеспечивает повышение величины двулучепреломления

Изобретение относится к способу обработки щелочно-галоидных кристаллов и позволяет упростить технологию процесса

Изобретение относится к получению сцинтилляционных монокристаллов и может быть использовано для регистрации ионизирующих излучений, Целью изобретения является увеличение и стабилизация конверсионной эффективности сцинтилляционных кристаллов и улучшение энергетического разрешения детекторов по их основе, а также обеспечение безотходной технологии

Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия

Изобретение относится к способам обработки активных элементов лазерной и нелинейной оптики и может быть использовано при изготовлении нелинейных элементов на основе монокристалла иодата лития -LilO3 например параметрических преобразователей длины волны лазерного излучения

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов

Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии

Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических монокристаллов, которые могут быть использованы в пьезотехнике

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов
Наверх