Способ крепления преимущественно полупроводниковой пластины на кольцевом держателе

 

Изобретение относится к области электроники. Цель - повышение надежности крепления полупроводниковой пластины (ППП) путем уменьшения ее деформации. Способ крепления реализован в устройстве. Для фиксации ППП на столик 6 с базовой поверхностью 7 наносят клей и располагают на нем ППП структурами вверх. Удаляют излишки клея, затем по периферии рабочей стороны наносят слой 9 теплостойкого расплавленного клея. ППП со столиком 6 размещают на опоре 2 струбцины. На слое 9 устанавливают кольцевой держатель 10, выполненный из кремния, на него устанавливают прижимной диск 5 и винтом 3 прижимают кольцевой держатель 10 к ППП давлением, равным давлению, создаваемому при фиксации ППП на столике 6. Выдержку ППП с кольцевым держателем 10 на столике 5 осуществляют под давлением до затвердевания теплостойкого расплавленного клея. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при утонении полупроводниковых структур и гибридных интегральных схем на диэлектрических и полупроводниковых подложках путем травления, шлифования и полирования нерабочей стороны. Цель изобретения - повышение надежности крепления путем уменьшения деформации пластины. На фиг.1 показано устройство для реализации способа; на фиг.2 показана пластина, закрепленная на кольцевом держателе (размер А характеризует выпуклость пластины на кольце). Устройство состоит из струбцины 1 с опорой 2 и прижимным винтом 3, на котором установлен на шаровой опоре 4 прижимной диск 5. На опоре 2 соосно с прижимным диском устанавливают столик 6 с базовой поверхностью 7, на которой зафиксирована пластина 8. По периферии пластины нанесен слой 9 теплостойкого клея, на котором размещен кольцевой держатель 10. Примеры реализации способа. П р и м е р 1. Для утонения и металлизации используют пластины Si диаметром 60 мм. толщиной 350 мм со структурами (пластины в свободном состоянии сильно деформированы, прогиб 50 мкм). Каждую пластину наклеивают на столик 6 из нержавеющей стали клеем КС-1 "Ракель". Для этого на плоскую базовую поверхность 7 нагретого столика наносят клей и располагают на столике пластину структурами вверх. Охлаждение пластины со столиком осуществляют при создании грузами давления, равного 0,6-0,8 кГ/см2. Протиркой бензином пластины удаляют излишки клея, затем по периферии рабочей стороны наносят слой 9 теплостойкого клея ЭДС-250. Пластину со столиком 6 размещают на опоре 2 струбцины. На слое 9 клея устанавливают кольцевой держатель 10, выполненный из кремния в виде кольца толщиной 550 мкм. На кольцевой держатель устанавливают прижимной диск 5, с помощью которого винтом 3 прижимают держатель к пластине (давление 0,6-0,8 кГ/см2). Струбцину помещают в термостат, в котором в течение 3 ч выдерживают пластину при температуре 120оС до затвердевания теплостойкого клея. После этого извлекают столик с пластиной с наклеенным кольцевым держателем из струбцины. После закрепления кольцевого держателя на пластине осуществляют отклейку пластины от столика с помощью лезвия или нагрева столика до температуры 130-140оС. Остатки клея КС-1 удаляют протиркой салфеткой, смоченной бензином. Пластину на кольцевом держателе далее подвергают шлифовке и травлению до толщины 30-50 мкм. П р и м е р 2. Для утонения и металлизации используют пластины Si диаметром 60 мм и толщиной 350 мкм со структурами (пластины в свободном состоянии сильно деформированы, прогиб 50 мкм). На каждую пластину по периферии рабочей стороны наносят слой 9 клея, состоящий из смолы ЭД-5 и полиэтиленполиамина в массовом отношении 5:1. На слой клея устанавливают кольцевой держатель 10, выполненный из пластины кремния толщиной 550 мкм. Пластину с кольцевым держателем размещают на базовой поверхности 7 вакуумного столика 6 (на фигурах вакуумная система столика не показана), имеющего кольцевые канавки, неравномерно распределенные по поверхности столика. Включают вакуумный насос, создавая разряжение 0,02 - 0,04 МПа. В результате вакуумирования пластина выпрямляется и прижимается к базовой поверхности столика. На кольцевой держатель 10 устанавливают прижимной диск 5, с помощью которого винтом 3 прижимают держатель к пластине под давлением 0,6-0,8 кг/см2. Струбцину с пластиной и кольцевым держателем при включенном вакуумном насосе выдерживают при комнатной температуре в течение 2-2,5 ч до полного затвердения эпоксидного клея. Затем освобождают прижимной винт 3 к струбцине, отключают вакуум и снимают пластину с кольцевым держателем со столика. После шлифования и травления нерабочей стороны структур до толщины 30-40 мкм наблюдаются лучшие, чем в прототипе параметры пластин. Таким образом, технико-экономическая эффективность способа крепления пластины на кольцевом держателе заключается в следующем: обеспечивается более высокая сохранность тонких пластин при шлифовке и травлении нерабочей стороны, повышается точность обработки пластин за счет создания предварительного напряженного состояния перед креплением пластины на кольцевом держателе.

Формула изобретения

СПОСОБ КРЕПЛЕНИЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ НА КОЛЬЦЕВОМ ДЕРЖАТЕЛЕ, включающий фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением, нанесение теплостойкого клея по периферии пластины, размещение кольцевого держателя на пластине на слое клея, прижим кольцевого держателя к пластине, выдержку пластины с кольцевым держателем на столике при температуре затвердевания клея и отделение пластины с держателем от столика, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности крепления путем уменьшения деформации пластины, фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением осуществляют посредством нанесенного на поверхность столика теплостойкого расплавленного клея, прижим кольцевого держателя к пластине осуществляют под давлением, равным давлению, создаваемому при фиксации пластины на столике, а выдержку пластины с кольцевым держателем на столике осуществляют под давлением до затвердевания клея.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 10-2002

Извещение опубликовано: 10.04.2002        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при конструировании и изготовлении полупроводниковых чувствительных элементов датчиков и микроприборов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при промышленном изготовлении полупроводниковых структур, в частности интегральных схем

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления
Наверх