Всесоюзядя 11 латенч/о- -."^^яи':нс?мя '« •'-6 ?иот?/;аб. а! . резников
ОПИСАН И Е
ИЗОБРЕТЕИИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
l7I854
Союз Советски)!
Социалисти((ески)(Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 1! IV.1963 (№ 830662/26 25) с присоединением заявки №
Приоритет
Кл. 12с, 2
40d, 1(<)
40(1, 1зо
Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССР
МПК B 0ld
С 22f
С 22f
УД К 66.065 (088.8) Опубликовано 22.VI.1965. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 26.VII.1965
СПОСОБ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ напряжений в кристалле до цагреваиия. После этого кристалл охлаждают. Скорость охлаждения нужно выбирать таким образом, чтобы при каждой температуре термоупругие иапря>кения в том же фиксированном месте кристалла были меньше (по абсолютной всличине) напряжений, оставшихся в кристалле iij)II той же температуре во время нагрева. 11змсряется .характериал величина ианряжсиий.
Например, режим от>кига по предлагаемому способу для моиокристалла 1 )! размсром
20Х20У50 л(л! следующий. Образец иагрсиаюг со скоростью 20%(ин до Т =600 С, затем охлаждают со скоростью 3 /иан. Максимальная величина напряжений растяжеиия, измеренная в средней плоскости параллелепипеда, составляет до от>кига 35 кг/с>и-", после—
5 кг/сл(2, Общая продолжительность режима
220 л(нн, 20
Способ отжига кристаллов, обладающ)гх пределом текучести, иапример мои<)кристалла
25 фтористого г)ития, путем иагр< иаиии и иослсдуюи(его охлажд(!1ил, отл((((л()(((((Й< я Tl ì, IT(), с целью уск<)р llllfl ир<)иесса и и<и)ижеиил т(Mll(. j)атуj)ll(VIIIIII .! )к;)л<) III()(() типа д()стига)<)т и< и)<)T< рми l(ск<)й
30 и, (! < с « I I I l < ! и > г j ) (! ! ! х ! < ! () и к (I Ill)i ! р ! Г) ! .
Пода(сн(>л г/)(/тп Л",>(/
Отжиг, например моиокристаллов LiF, по известному способу проводят в изотермических условиях. При этом процесс требует достаточно высокой температуры, большой выдержки при температуре отжига и медлеиного охлаждения.
Предлагаемый способ быстрого иизкотемпсратуриого отжига заключаетсл в использовании иеизотермической релаксации при быстром нагревании. При этом уровень»апряжешш искусственно повышается за счет иаложеиил иа остаточные иапря>кения термоупругих напряжений (скорость, рассеяние остаточных напряжений возраста(от), температура, до которой надо нагревать моиокристалл, понижается, допустимая скорость последующего охлаждения повышается, а время отжига сокращается.
Пример. Кристалл, подлежащий отжигу, нагревают с большой (постояииой) скоростью длл создаиил в ием значительных тсрмоупругих иапря>ксиий. Одновременно с нагреванием в каком-либо месте кристалла с помощью, например, поляризациоиио-оптического метода, измеря)от вели п(иу виутрсииих иапрлжсиий. Кристалл иагр(иа)от до тех пор, п<н(а пели Illllll срслаксироиап)иих напряжений (отсчиТI>IÈ Предмет изобрстсиил! 71854 Составитель T. И. Ухорская Техред Л. К, Ткаченко .Корректор Г. И. Чугунова Редактор И, Г. Карпас Заказ 1631!7 Тирлгк 000 Форгвлт бум. 60/90 /в Обьем 0,1 изд. л. Ценл 5 кон. Ц11И11ПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 3 стром нагревании, например 20 /.яин, при толщине пластинки 20 мм, до температуры порядка 600 С, при которой величина срелаксировавших напряжений станет равной первоначальной величине остаточных напряжений в образце до нагревания.
