Источник плазмы для очистки тлеющим разрядом

 

Изобретение относится к области вакуумной техники и может быть использовано для очистки подложки перед напылением. Сущность изобретения: источник плазмы представляет собой гребенчато расположенные электроды, изготовленные из трубок , расположенных перпендикулярно относительно горизонтальной трубки и имеющие скосы, расположенные симметрично, где электрод тлеющего разряда имеет вертикальные трубки, представляющие собой в сечении эллипс,, большая ось которого направлена в сторону очищаемой подложки, а меньшая ось эллипса составляет 15-30 величины темного катодного пространства. Плазма возникает между электродами и заземленным корпусом установки. Такая конструкция источника плазмы удобна при использовании в вакуумных напылительных установках, в частности установках УВМ- 15У, УВМ-18Аидр.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)л С 23 С 14/38

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4902217/21 (22) 14.01.91 (46) 23.08.93. Бюл. hL 31 (71) Научно-производственное объединение

"Вакууммаш" (72) В.А. Головко, М.А. Диульский и Э.Г. Фахрутдинов

{56) И.Л. Ройх и др, Защитные вакуумные покрытия из стали, М.: Машиностроение, 1971, с.125-128.

Вакуумные металлизационные установки, M.: ЦИНТИхимнефтемаш, 1983. (54) ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ ДЛЯ ОЧИСТКИ

ТЛЕЮЩИМ РАЗРЯДОМ (57) Изобретение относится к области ваку-. умной техники и может быть использовано для очистки подложки перед напылением.

Изобретение относится к области вакуумной техники и может быть использовано для очистки подложки перед напылением.

Целью изобретения является уменьшение времени полной очистки подложки.

Указанная цель достигается тем, что в вакуумной напылительной установке, имеющей источник плазмы для очистки. тлеющим разрядом, представляющий собой гребенчато расположенные электроды, изготовленные иэ трубок, расположенных перпендикулярно относительно горизонтальной трубки со скосами расположенных симметрично, электрод тле1ощего разряда имеет вертикальные трубки, представляющие собой в сечении эллипс. большая ось которого направлена в сторону очищаемой подложки, а меньшая ось эллипса составляет 15 — 30 величины темного катодного пространства.

„„Я „„1835434 Al

Сущность изобретения; источник плазмы представляет собой гребенчато расположенные электроды, изготовленные из трубок, расположенных перпендикулярно относительно горизонтальной трубки и имеющие скосы, расположенные симметрично, где электрод тлеющего разряда имеет вертикальные трубки, представляющие собой в сечении эллипс, большая ось которого направлена в сторону очищаемой подложки, а меньшая ось эллипса составляет 15-30 величины темного катодного пространства.

Плазма возникает между электродами и заземленным корпусом установки. Такая конструкция источника плазмы удобна при использовании в вакуумных напылительных установках, в частности установках УВМ15У, УВМ-18А и др.

На чертеже представлена вакуумна напылительная установка 1, имеющая источник плазмы 2, имеющая горизонтальную трубку 3, вертикальные электроды 4, имеющие в сечении эллипс 5, где 6 — вершина эллипса, 7 — скосы электродов, 8 — напыляемая подложка, 9 — подложкодержатель.

Вакуумная напылительная установка, имеющая источник плазмы для очистки, работает следующим образом.

При давлении 1.10 — 1. lO мм рт.ст. на электрод подается напряжение, возникающий тлеющйй разряд создает энергию ионов, бомбардирующих обрабатываемую поверхность, которые очищают поверхность от загрязнения, Для определения оптимальной формы электрода тлеющего разряда источника плазмы для очистки тлеющим разрядом было изготовлено 8 электродов:

1835434

4 — размер меньшей оси эллипса по отношению к величине темного катодного пространства

* — адгезия алюминиевого покрытия на стекле при обработке тлеющим разрядом различными электродами в течение 120 с.

1) с цилиндрическими вертикальными трубками

2) с эллипсом, большая ось которого равна S" величинам темного катодного пространства

3) с эллипсом, большая ось которого равна 10 величинам -"-, 4) с эллипсом, большая ось которого равна 12 величинам -"5) с эллипсом, большая ось которого равна 15 величинам -"6) с эллипсом, большая ось которого равна 20 величинам -"7) с эллипсом, большая ось которого равна 30 величинам -"8) с эллипсом, большая ось которого равна 35 величинам -""— меньшая сторона эллипса

Для оценки распределения ионного потока на обрабатываемую поверхность предварительно наносился тонкий слой лака.

Стеклянная пластинка, покрытая лаком, помещалась на подложкодержатель и обрабатывалась разрядом, при этом отмечалось время от включения разряда до начала вспучивания лака..

Результаты испытаний представлены в приложении 1, При величине большой оси эллипса, меньшей 15 величины катодного пространства, а также при величине более

30, происходит резкое увеличение времени от начала разряда до вспучивания лака (в 5 и более раз), Признак, характеризующий новизну предлагаемого технического решения, — на5 личие вертикальных эллиЬсных трубок с размером меньшей стороны 15-30 величины темного квтодного пространства, в то же время определяет существенные отличия . предлагаемого технического решения.

Технико-экономическими преимуществами изобретения являются:

1) уменьшения времени ионной очистки

2) улучшение качества очистки при очистке в заданном временнЬм интервале.

Формула изобретения

Источник плазмы для очистки тлеющим разрядом, представляющий собой гребен20 чато расположенные электроды, изготовленные из трубок, расположенных перпендикулярно горизонтальной трубке и имеющих скосы,. расположенные симметрично, о т л и,ч а ю шийся тем, что, с целью

25 уменьшения времени ионной очистки, электрод тлеющего разряда имеет вертикальные трубки, представляющие собой в сечении эллипс, большая ось которого направлена в сторону очищаемой подложки, а меньшая

30 составляет 15-30 величин темного катодного пространства.

1S35434

Составитель В. Головко

Техред M.Moðãåíòéë Корректор Н, Ревская

Редактор Л. Полионова

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 2977 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5