Устройство для классификации полупроводниковыхдиодов в

 

Союз Советскиз

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 23.|||.1966 (№ 1061307/26-25) Кл. 24а 4, 71

21g, 11/02 с присоединением заявки №

МПК Н Oll

Н Oll

УДК 621.382.2.317. .61/619: 53.088.7 (088.8) Приоритет

Опубликовано 29 II/11.1967. Бюллетень № 16

Комитет по делам иаобретениИ и открытий ори Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КЛАССИФИКАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х

ДИОДОВ В РЕЖИМЕ ОДНОПОЛУПЕРИОДНОГО

ВЪ| П РЯМЛ EH ИЯ

Известны устройства для автоматической классификации полупроводниковых диодов по электрическим параметрам в режиме однополупериодного выпрямления, содержащие сравнивающие устройства, связанные с блоком коммутации обратного напряжения таким образом, что их срабатывание приводит к прекращению коммутации. Однако помехи, вызываемые импульсными наводками в BblcoKQQMIIbIx цепях, не позволяют увеличить скорость классификациии.

В предлагаемом устройстве параллельно задающей емкости генератора тактовых импульсов включены два вспомогательных тиратрона, управляющие сетки которых подсоединены к выходам сравнивающих устройств.

Это позволяет повысить точность измерений.

Блок-схема предлагаемого устройства изображена на чертеже.

Контактное приспособление с испытуемым диодом 1 подключено к блоку 2 задания режима непосредственно (для подачи прямого тока) и через блок 3 коммутации и сигнализации (для подключения обратного напряжения) . Кроме того, контактное приспособление присоединено к двум сравнивающим устройствам 4 и б, каждое из которых подключено к блоку 2, задающему контрольное значение прямого напряжения и обратного тока. Со сравнивающими устройствами соединены сетки тиратронов б и 7, входящих в генератор 8 тактовых импульсов. Эти тиратроны включены параллельно задающей емкости 9. Генератор 8 выполнен по схеме релаксатора на тиратроне

10 и содержит задающую RC-цепочку 11,9, сеточное сопротивление 12, подключенное к анодам тиратронов, и катодное сопротивление 13;

Катод тиратрона 10 подключен к блоку коммутации и сигнализации. Пусковое устройство

10 14 механически связано с контактным приспособлением, а электрически — с блоком коммутации и сигнализации, На испытуемый диод 1 с блока 2 подается требуемая амплитуда полусинусоиды прямого

15 тока, а с блока 3 — требуемый дискретный ряд амплитуд (ступеней) синусоидального обратного напряжения классификационных групп.

Прямое падение напряжения U ð, возникающее на испытуемом диоде при протекании пря20 мого тока, и обратный ток 1,qð, возникающий вследствие приложения к диоду обратного напряжения, сравниваются соответствующими устройствами 4 и 5 с контрольными значениями прямого напряжения U и обратного

25 тока 1,, поступающими с блока 2 задания режимаа.

Если величина измеряемого U ð на испытуемом диоде превышает контрольное значение Ьо, сравнивающее устройство 4, форми30 рует сигналы с частотой испытательного ре199935

Предмет изобретения

Опечатка колонка строка напечатано следует читать

4 8 все же приводят к ошибке все же не приводят к ошибке

Составитель P. Г. Акопян

Редактор И. Громов Техред T. П. Курилко Корректоры; А. П. Татаринцева и О. Б. Тюрина

Заказ 2922(1 Ттра>к 535 Подписное

ЦIIIIIIIIII Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 жима, которые зажигая гиратрон, препятствуют инерции тактовых импульсов вследствие периодических разрядов емкости 9 с частотой, превышающей собственную частоту релаксатора.

Если же U„ð не превышает контрольного значения U,, тактовые импульсы генератора, воздействуя на блок коммутации и сигнализации, вызывают возрастание обратного напряжения на испытуемом диоде и, как следствие, увеличение обратного тока.

При превышении обратным током контрольной величины 1в сравнивающее устройство 5 формирует сигналы, которые, зажигая тиратрон б с частотой испытательного режима, срывают инерцию тактовых импульсов, в результате чего дальнейшее переключение ступеней обратного напряжения в блоке коммутации и сигнализации прекращается и индикаторное устройство указывает группы испытуе. мого диода.

Устойчивый срыв инерции тактовых импульсов невозможен, если тиратроны б и 7 будут зажигаться импульсами с частотой, меньшей частоты релаксатора, так как при этом емкость 9 успевает зарядиться до напряжения зажигания тиратрона 10. Таким образом, импульсы с частотой, меньшей частоты релаксатора, лишь удлиняют период следования тактовых импульсов вследствие разряда емко5 сти 9 через тиратроны 6 и 7. По этим причинам помехи, возникающие с частотой, меньшей частоты релаксатора, несколько удлиняя время классификации, все же приводят к ошибке в определении группы испытуемого диода.

Устройство для классификации полупроводниковых диодов в режиме однополупериодного

15 выпрямления, включающее блок задания режима испытания, сравнивающие устройства, контактное приспособление для помещения испытуемого диода и генератор тактовых импульсов, управляющий работой блока задания )p режима, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения путем увеличения помехозащищенности, параллельно задающей емкости генератора тактовых импульсо в включены два вспомогательных тнратрона, уп25 равляющие сетки которых подключены к выходам сравнивающих устройств.

Устройство для классификации полупроводниковыхдиодов в Устройство для классификации полупроводниковыхдиодов в 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх